(57)【要約】
`【課題】例えば薄膜電極が基板表面にパターン形成され
`た液晶表示装置にあって、ブラシスクラバ等による基板
`洗浄に伴う薄膜電極の損傷を防止する。
`【解決手段】ポリシリコン形ＴＦＴ方式アクティブマト
`リックス液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ側基板１
`１の透明絶縁基板上にはＩＴＯにて形成される画素電極
`２２がマトリックス状に設けられている。また、アレイ
`側基板１１の透明絶縁基板上には、ブラシスクラバ等に
`よる基板洗浄の際に画素電極２２が損傷すことを防止す
`るために、画素電極２２群の外周を囲むように同画素電
`極２２より膜厚の薄いダミー膜５が設けられる。
`
`ChinaStar Ex.1014
`
`

`
`1
`
`(2)
`
`【特許請求の範囲】
`【請求項１】表面に適宜の膜材がパターン形成された状
`態でブラシ洗浄される固体装置において、
`当該装置の同一表面において前記膜材の外周を囲むよう
`にパターン形成されたダミー膜を備えることを特徴とす
`る膜材がパターン形成された固体装置。
`【請求項２】前記ダミー膜は、その膜厚が前記膜材の膜
`厚よりも薄くパターン形成されたものである請求項１記
`載の膜材がパターン形成された固体装置。
`【請求項３】前記ダミー膜は、その膜厚が装置外周に向
`かうにしたがって順次薄くなる勾配を有して若しくは階
`段状にパターン形成されたものである請求項１または２
`記載の膜材がパターン形成された固体装置。
`【請求項４】前記ダミー膜は、前記膜材と同一材料にて
`パターン形成されたものである請求項１〜３のいずれか
`に記載の膜材がパターン形成された固体装置。
`【請求項５】前記ダミー膜は、前記膜材と異なる材料に
`てパターン形成されたものである請求項１〜３のいずれ
`かに記載の膜材がパターン形成された固体装置。
`【請求項６】前記固体装置は液晶表示装置の液晶駆動用
`半導体素子が設けられる透明絶縁基板であり、前記膜材
`は同透明絶縁基板の表面に上にパターン形成された画素
`透明電極である請求項１〜５のいずれかに記載の膜材が
`パターン形成された固体装置。
`【請求項７】固体装置の表面に膜材をパターン形成する
`方法において、
`少なくとも前記固体装置の最外周にパターン形成される
`膜材の膜厚をそれ以外の部分にパターン形成される膜材
`の膜厚よりも薄くすることを特徴とするパターン形成方
`法。
`【請求項８】固体装置の表面に膜材を着膜する工程と、
`該着膜した膜材の膜厚がその端部ほど薄くなるようにプ
`ラズマ反応圧力を高めたプラズマドライエッチングにて
`同膜材をエッチングする工程と、
`を備えるパターン形成方法。
`【発明の詳細な説明】
`【０００１】
`【発明の属する技術分野】本発明は、例えば透明電極が
`パターン形成された液晶表示装置など、膜材がパターン
`形成された固体装置、及びパターン形成方法に関する。
`【０００２】
`【従来の技術】従来、表示装置、例えばポリシリコン形
`ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）方
`式アクティブマトリックス液晶表示装置等においては、
`その画素電極としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透
`明薄膜電極が使用されている。この透明薄膜電極はポリ
`シリコン形ＴＦＴをガラス基板等の上に形成した後にパ
`ターニングして形成される。そして、特に歩留まりの向
`上を図るものに対しては、その後の製造工程に移る前に
`ブラシスクラバ等による基板洗浄が行われている。
`
`
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`1010
`
`
`
`2020
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`
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`3030
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`4040
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`5050
`
` 特開２０００−９８９０９
`2
`【０００３】ここで、図１０〜図１２を参照して、上記
`ブラシスクラバを用いた基板洗浄の概要を説明する。図
`１０に上記液晶表示装置のＴＦＴアレイ側基板１の部分
`平面構造を示し、図１１には同図１０のＸ−Ｘ線に沿っ
`た断面構造を示す。なお、図１１に示す断面構造におい
`てＴＦＴ等、画素電極以外の液晶駆動にかかる部分の図
`示は省略する。
`【０００４】図１０に示すＴＦＴアレイ側基板１におい
`て、ドレインドライバに接続されるドレイン線ＤＬとゲ
`ートドライバに接続されるゲート線ＧＬとの交点近傍に
`液晶表示装置を構成する各表示画素の画素電極２がパタ
`ーン形成されている。この画素電極２はＴＦＴアレイ側
`基板１のほぼ全面において所定画素数分、マトリックス
`状に形成されているが、図１０においてはその一部分の
`みを示す。
`【０００５】また、画素電極２は上述のＩＴＯからな
`り、コンタクトホール３を介してＴＦＴのソース電極
`（図示略）に接続されている。また同画素電極２は、図
`１１に示されように、ＴＦＴアレイ側基板１を構成する
`透明絶縁基板（ガラス基板等）１ａ上に形成されてい
`る。
`【０００６】次に、図１２に示す平面図に基づき、ブラ
`シスクラバを使用したＴＦＴアレイ側基板１の洗浄態様
`を説明する。基板洗浄に際しては同図１２に示されるよ
`うに、ＴＦＴアレイ側基板１を所定の回転台（図示略）
`に載置し、同回転台を回転させた状態で同じく回転させ
`たブラシスクラバのブラシ部４を当該基板１の表面に当
`接させる。そして、同図１２の矢印Ｙ方向にブラシ部４
`を移動させながら同基板１の表面全体を洗浄する。なお
`このとき、薬液を用いた化学的洗浄と併用されることも
`多い。
`【０００７】
`【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
`うなＩＴＯ等の画素電極２がその最上部にパターン形成
`されたＴＦＴアレイ側基板１をブラシスクラバを使用し
`て洗浄する場合にあっては、図１３に示されるように、
`画素電極２のうちの上記回転するブラシスクラバのブラ
`シ４ａに最初に当接する電極がその機械的な力によって
`損傷してしまうことがある。このように基板１の洗浄工
`程において画素電極２が損傷を被ると、それは画素欠陥
`となり、ひいては液晶表示装置としての製品歩留りを低
`下させる要因ともなる。
`【０００８】なお、こうした液晶表示装置に限らず、半
`導体装置等を含めてその表面に膜材がパターン形成さ
`れ、その後上記ブラシスクラバ等によって表面洗浄され
`る固体装置にあっては、こうした実情も概ね共通したも
`のとなっている。
`【０００９】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
`あり、その目的とするところは、ブラシスクラバ等によ
`る洗浄に対してその表面にパターン形成された膜材を好
`
`

`
`3
`適に保護し、ひいては製品歩留りを向上させることので
`きる膜材がパターン形成された固体装置及びパターン形
`成方法を提供することにある。
`【００１０】
`【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
`めに、請求項１に記載の発明では、表面に適宜の膜材が
`パターン形成された状態でブラシ洗浄される固体装置に
`おいて、当該装置の同一表面において前記膜材の外周を
`囲むようにパターン形成されたダミー膜を備えることを
`その要旨とする。
`【００１１】同構成においては、固体装置の同一表面に
`おいて前記膜材の外周を囲むようにパターン形成された
`ダミー膜が備えられる。そのため、固体装置を例えばブ
`ラシスクラバ等を使用してブラシ洗浄する場合、ブラシ
`スクラバのブラシは前記パターン形成された膜材と当接
`する前にまずダミー膜に当接する。そのため、回転する
`ブラシスクラバのブラシの機械的な力によって前記膜材
`が損傷すことは防止される。
`【００１２】また請求項２に記載の発明では、請求項１
`記載の膜材がパターン形成された固体装置において、前
`記ダミー膜は、その膜厚が前記膜材の膜厚よりも薄くパ
`ターン形成されたものであることをその要旨とする。
`【００１３】同構成においては、固体装置を例えばブラ
`シスクラバ等を使用してブラシ洗浄する場合、ブラシス
`クラバのブラシは、まず膜材の膜厚よりも薄くパターン
`形成されたダミー膜に乗り上げ段差を小さくしてから同
`膜材に乗り上がるようになる。そのため、回転するブラ
`シスクラバのブラシの機械的な力によって前記膜材が損
`傷することは好適に防止される。
`【００１４】また請求項３に記載の発明では、請求項１
`または２記載の膜材がパターン形成された固体装置にお
`いて、前記ダミー膜は、その膜厚が装置外周に向かうに
`したがって順次薄くなる勾配を有して若しくは階段状に
`パターン形成されたものであることをその要旨とする。
`【００１５】同構成においては、固体装置を例えばブラ
`シスクラバ等を使用してブラシ洗浄する場合、ブラシス
`クラバのブラシはダミー膜の勾配若しくは階段に沿って
`好適に前記膜材に乗り上がるようになる。そのため、回
`転するブラシスクラバのブラシの機械的な力によって前
`記膜材が損傷することは好適に防止される。
`【００１６】また請求項４に記載の発明では、請求項１
`〜３のいずれかに記載の膜材がパターン形成された固体
`装置において、前記ダミー膜は、前記膜材と同一材料に
`てパターン形成されたものであることをその要旨とす
`る。
`【００１７】同構成によれば、ダミー膜を形成するため
`の別途マスク等は不要となり、その製造工程が簡略化さ
`れる。また請求項５に記載の発明では、請求項１〜３の
`いずれかに記載の膜材がパターン形成された固体装置に
`おいて、前記ダミー膜は、前記膜材と異なる材料にてパ
`
`(3)
`
`
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`1010
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`2020
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`3030
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`4040
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`5050
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` 特開２０００−９８９０９
`4
`ターン形成されたものであることをその要旨とする。
`【００１８】同構成によれば、ダミー膜の設計等の自由
`度が高まる。また請求項６に記載の発明では、請求項１
`〜５のいずれかに記載の膜材がパターン形成された固体
`装置において、前記固体装置は液晶表示装置の液晶駆動
`用半導体素子が設けられる透明絶縁基板であり、前記膜
`材は同透明絶縁基板の表面に上にパターン形成された画
`素透明電極であることをその要旨とする。
`【００１９】同構成によれば、液晶表示装置にあって、
`透明絶縁基板表面のブラシ洗浄に伴う画素透明電極の損
`傷は好適に防止される。また請求項７に記載の発明で
`は、固体装置の表面に膜材をパターン形成する方法にお
`いて、少なくとも前記固体装置の最外周にパターン形成
`される膜材の膜厚をそれ以外の部分にパターン形成され
`る膜材の膜厚よりも薄くすることをその要旨とする。
`【００２０】同形成方法においては、膜材の段差が緩和
`されるため、ブラシ洗浄に伴う同膜材の損傷も好適に防
`止される。また請求項８に記載の発明では、パターン形
`成方法において、固体装置の表面に膜材を着膜する工程
`と、該着膜した膜材の膜厚がその端部ほど薄くなるよう
`にプラズマ反応圧力を高めたプラズマドライエッチング
`にて同膜材をエッチングする工程と、を備えることをそ
`の要旨とする。
`【００２１】同形成方法においては、膜材の段差が緩和
`されるため、ブラシ洗浄に伴う同膜材の損傷も好適に防
`止されるとともに、製造工数を増やすことなく勾配を有
`する膜材を得ることができる。
`【００２２】
`【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発
`明にかかる膜材がパターン形成された固体装置をポリシ
`リコン形ＴＦＴ方式アクティブマトリックス液晶表示装
`置に適用した第１の実施の形態について図１〜図４に基
`づき詳細に説明する。
`【００２３】図１は、本実施の形態にかかる固体装置
`（液晶表示装置）のＴＦＴアレイ側基板１１の部分平面
`構造を示すものである。また、図２（ａ）は、この図１
`のＡ−Ａ線に沿った断面構造、図２（ｂ）は同じく図１
`のＢ−Ｂ線に沿った断面構造をそれぞれ示すものであ
`る。
`【００２４】図１に示すＴＦＴアレイ側基板１１におい
`て、ドレインドライバに接続されるドレイン線ＤＬとゲ
`ートドライバに接続されるゲート線ＧＬとの交点近傍に
`液晶表示装置を構成する各表示画素の画素電極１２がパ
`ターン形成されている。この画素電極１２はＴＦＴアレ
`イ側基板１１のほぼ全面において所定画素数分、マトリ
`ックス状に形成されているが、図１においてはその一部
`分のみを示す。
`【００２５】また、画素電極１２は上述のＩＴＯからな
`り、コンタクトホール１３を介してＴＦＴのソース電極
`（図示略）に接続されている。また同画素電極１２は、
`
`

`
`5
`図２に示されように、ＴＦＴアレイ側基板１１を構成す
`る透明絶縁基板（ガラス基板等）１１ａ上に形成されて
`いる。
`【００２６】ここで本実施の形態にかかる液晶表示装置
`にあっては、図１に示されるように、マトリックス状に
`設けられた画素電極１２の外周を連続して囲むようにし
`て、ダミー膜５が設けられている（図１にはその一部の
`み示される）。また、図２（ａ）及び（ｂ）に示される
`ように、同ダミー膜５の膜厚は、画素電極１２の膜厚よ
`りも薄く形成されている。このダミー膜５は、前記ブラ
`シスクラバ（図１２、図１３）を使用してアレイ側基板
`１１を洗浄する際に、同ブラシスクラバのブラシ４ａに
`よって画素電極１２が損傷すことを防止するために設け
`られている。
`【００２７】すなわち、本第１の実施の形態において
`は、図３に示されるように、前記ブラシ４ａが画素電極
`１２と当接する際、同ブラシ４ａは、まずダミー膜５に
`乗り上がり、画素電極１２との段差が小さくなった状態
`で同画素電極１２に乗り上がる。そのため、回転するブ
`ラシ４ａの機械的な力によって画素電極１２自体が損傷
`することは防止されるようになる。
`【００２８】なお、このダミー膜５は画素電極１２と同
`様にＩＴＯにて形成されてもよいし、その他の材質に
`て、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）等に
`て形成されてもよい。
`【００２９】次に、図４を参照して、上記ダミー膜５及
`び画素電極１２の形成方法を説明する。これら膜材のパ
`ターン形成に際しては、まず図４（ａ）に示すように、
`透明絶縁基板１１ａ上にダミー膜５となる薄膜５Ａを成
`膜する。次に、図４（ｂ）に示すように所定のレジスト
`パターン６を形成し、続いて図４（ｃ）に示すように薄
`膜５Ａをエッチングする。その後、レジストパターン６
`を剥離することで、透明絶縁基板１１ａ上に薄膜ダミー
`配線５が形成される。
`【００３０】次に、図４（ｄ）に示すように、透明絶縁
`基板１１ａ上に上記画素電極１２となるＩＴＯ膜１２Ａ
`を成膜し、その上に所定のレジストパターン６ａを形成
`する。続いて、この成膜したＩＴＯ膜２Ａをエッチング
`し、レジストパターン６ａを剥離すると、図４（ｅ）に
`示されるように、画素電極１２及びダミー膜５が透明絶
`縁基板１１ａ上に形成されるようになる。
`【００３１】以上説明したように、本第１の実施の形態
`によれば、以下のような効果を得ることができる。
`（１）本第１の実施の形態では、液晶表示装置のＴＦＴ
`アレイ側基板１１の透明絶縁基板１１ａ上において、画
`素電極１２の周囲を連続して囲んで、且つその膜厚が同
`画素電極１２の膜厚より薄く形成されるダミー膜５が設
`けられる。そのため、ブラシスクラバを使用して前記基
`板１１を洗浄する場合にあっても、ブラシスクラバのブ
`ラシ４ａが画素電極１２と当接する際、ブラシ４ａはい
`
`(4)
`
`
`
`1010
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`2020
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`
`3030
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`4040
`
`
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`5050
`
` 特開２０００−９８９０９
`6
`きなり画素電極１２の側面に衝突せずに、まずダミー膜
`５に乗り上げて、画素電極１２の段差が小さくなってか
`ら同画素電極１２に乗り上げるようになる。そのため、
`同ブラシ４ａの機械的な力によって画素電極１２が損傷
`すことが防止され、ひいては液晶表示装置としての生産
`歩留りが向上されるようになる。
`【００３２】なお、上記ダミー膜５の形状は、図１に示
`したような画素電極１２の外周を連続して囲む形状に限
`られない。他に例えば、図５に示すように、画素電極１
`２の形状に対応して切断された形状となるダミー膜５ａ
`の集合として同画素電極１２の外周を囲む形状としても
`よい。このダミー膜として要は、透明絶縁基板１１ａ上
`において画素電極１２より同基板端側にあって画素電極
`１２の周囲を囲むように設けられるとともに、その膜厚
`が画素電極１２の膜厚より薄く形成されるものであれば
`よい。
`【００３３】また、上述のようにダミー膜５は画素電極
`１２と同様にＩＴＯにて形成されてもよいし、その他の
`材質にて、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロ
`ム）等にて形成されてもよいが、ＩＴＯにて形成される
`場合は、画素電極１２をパターン形成する工程において
`一括してダミー膜５をパターン形成することができる。
`すなわち、ダミー膜５を形成するための別途マスク等は
`一切不要であり、その製造工数、製造コストを低く抑え
`ることが可能となる。一方、ダミー膜５をＩＴＯ以外の
`材質にて形成する場合は、同ダミー膜５の設計等の自由
`度が高まる。
`［第２の実施の形態］次に、本発明にかかる膜材がパタ
`ーン形成された固体装置を同じくポリシリコン形ＴＦＴ
`方式アクティブマトリックス液晶表示装置に適用した第
`２の実施の形態について図６〜図９に基づき詳細に説明
`する。
`【００３４】図６は本実施の形態にかかる固体装置（液
`晶表示装置）のＴＦＴアレイ側基板２１の部分平面構造
`を示すものである。図７（ａ）は、この図６のＣ−Ｃ線
`に沿った断面構造、図７（ｂ）は、同じく図６のＤ−Ｄ
`線に沿った断面構造をそれぞれ示すものである。
`【００３５】ここでは第１の実施の形態との相違点を中
`心に説明する。本第２の実施の形態の前記第１の実施の
`形態との相違点は、図６に示されるように、マトリック
`ス状に設けられた画素電極２２の外周を囲むダミー膜と
`して、同画素電極２２を２重に囲むダミー電極２２ａ，
`２２ｂが設けられている点にある（図６にはその一部の
`み示される）。また、これらダミー電極２２ａ，２２ｂ
`の平面形状は画素電極２２と同一に形成されるととも
`に、その膜厚は画素電極２２の膜厚に比べて薄く形成さ
`れる。さらに、図７（ａ），（ｂ）に示されるように、
`同ダミー電極２２ａ，２２ｂの表面は、その膜厚が画素
`電極２２からアレイ側基板２１端部に向けて、すなわち
`図７（ａ）及び（ｂ）においてはその右側から左側に向
`
`

`
`7
`けて薄くなるように勾配を有して形成されている。な
`お、このダミー電極２２ａ，２２ｂは画素電極２２と同
`様にＩＴＯにて形成される。
`【００３６】そのため、本第２の実施の形態において
`は、上述したようなブラシスクラバを用いた基板２１の
`洗浄の際、図８に示されるように、そのブラシ４ａは、
`ダミー電極２２ａからダミー電極２２ｂの表面の傾斜に
`沿うようにして画素電極２２上に乗り上げるようにな
`る。このため、本第２の実施の形態によっても、回転す
`るブラシ４ａの機械的な力によって画素電極２２が損傷
`すことは好適に防止されるようになる。
`【００３７】次に、図９を参照して、上記ダミー配線２
`２ａ，２２ｂ及び画素電極２２の形成方法を説明する。
`これら膜材のパターン形成に際しては、まず図９（ａ）
`に示すように、透明絶縁基板２１ａ上にダミー電極２２
`ａ，２２ｂ及び画素電極２２となるＩＴＯ膜２２Ａを成
`膜する。次に、図９（ｂ）に示すように、透明絶縁基板
`２１ａの端部に形成されるＩＴＯ膜２２Ａの膜厚が、そ
`の中央部に形成されるＩＴＯ膜２２Ａに対して徐々に薄
`くなるように同ＩＴＯ膜２２Ａの表面をエッチングす
`る。
`【００３８】このエッチング方法としては、例えばプラ
`ズマを用いたドライエッチング法において、反応圧力を
`通常の圧力（約１８ｍＴｏｒｒ）より高く、例えば２０
`ｍＴｏｒｒとする方法が有効である。すなわちここで
`は、上記エッチングにかかるプラズマ反応圧力を高くす
`ると、基板端ほど深く、いわばアンバランスにエッチン
`グされることを積極的に利用する。
`【００３９】続いて、図９（ｃ）に示すように、このエ
`ッチングされたＩＴＯ膜２２Ａ上に所定のレジストパタ
`ーン６ｂを形成する。そしてＩＴＯ膜２２Ａをエッチン
`グし、レジストパターン６ｂを剥離すると、図９（ｄ）
`に示されるように、画素電極２２及びダミー電極２２
`ａ，２２ｂが透明絶縁基板２１ａ上に形成されるように
`なる。
`【００４０】以上説明したように、本第２の実施の形態
`によれば、以下のような効果を得ることができる。
`（１）本第２の実施の形態では、ダミー電極２２ａ，２
`２ｂの膜厚が透明絶縁基板２１ａの外側に向かうにした
`がい薄くなるように形成される。そのため同基板２１ａ
`を例えばブラシスクラバを使用して洗浄する場合であ
`れ、ブラシスクラバのブラシ４ａが画素電極２２と当接
`する際、同ブラシ４ａは好適に画素電極２２に乗り上が
`るようになる。そのため、回転するブラシスクラバのブ
`ラシ４ａの機械的な力によって画素電極２２が損傷する
`ことは好適に防止される。
`【００４１】（２）本第２の実施の形態では、ダミー電
`極２２ａ，２２ｂが画素電極２２と同質のＩＴＯによっ
`てパターン形成される。そのため、画素電極２２をパタ
`ーン形成する工程において一括してダミー電極２２ａ，
`
`(5)
`
`
`
`1010
`
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`2020
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`3030
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`
`4040
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`
`5050
`
` 特開２０００−９８９０９
`8
`２２ｂをパターン形成することができる。すなわち、ダ
`ミー電極２２ａ，２２ｂを形成するための別途マスク等
`は一切不要であり、その製造工数、製造コストを低く抑
`えることが可能となる。
`【００４２】（３）本第２の実施の形態では、ダミー電
`極２２ａ，２２ｂの表面の傾斜を、画素電極２２の形成
`も含めたＩＴＯのエッチング工程において、プラズマ反
`応圧力を積極的に高めることにより形成した。すなわ
`ち、それらダミー電極２２ａ，２２ｂの表面の傾斜す
`ら、何ら別途の工程を追加することなく形成することが
`できる。
`【００４３】なお、上記第２の実施の形態は以下のよう
`にその構成を変更して実施することもできる。
`・上記第２の実施の形態においては、画素電極２２のダ
`ミー膜として、同画素電極２２の外周を２重に囲むよう
`にその膜厚に勾配を有するダミー電極２２ａ，２２ｂを
`形成する例を示したが、これに限定されない。この膜厚
`に勾配を有するダミー電極は画素電極２２の外周を１重
`に囲むように形成されるものであってもよい。
`【００４４】・上記第２の実施の形態においては、画素
`電極２２のダミー膜として、その平面形状が画素電極２
`２と同一に形成されるダミー電極２２ａ，２２ｂを形成
`する例を示したが、これに限定されない。他に例えば、
`薄膜ダミー配線２２ａ，２２ｂの平面形状は２画素分の
`面積を有する平面形状としてもよいし、あるいは３画素
`分、４画素分の面積を有する平面形状としてもよい。ま
`た逆に、１画素分の面積よりも面積が小さくなる形状と
`してもよい。要は、画素電極２２と同一面積である必要
`はない。また、画素電極２２を含めてダミー電極２２
`ａ，２２ｂの材質がＩＴＯである必要はなく、構造的に
`はそれら画素電極２２及びダミー電極２２ａ，２２ｂが
`同一材料である必要もない。
`【００４５】その他、先の第１の実施の形態も含めて、
`前記各実施の形態では、ダミー膜として形成される膜材
`（ダミー膜５やダミー電極２２ａ，２２ｂ）がいずれも
`画素電極（１２，２２）よりも膜厚が薄く形成される場
`合について例示したが、その限りでもない。すなわち、
`画素電極をそのブラシによる洗浄に伴う損傷から保護す
`ることができればダミー膜自体は損傷されてもよく、例
`えば画素電極と同一の膜厚にするなど、必ずしも画素電
`極より薄い膜厚とする必要はない。また、特にダミー膜
`が金属膜（Ａｌ等）にて形成され下地との密着性が良い
`場合にも、必ずしも画素電極より薄い膜厚とする必要は
`ない。
`【００４６】また、第１の実施の形態のダミー膜５に
`も、第２の実施の形態に示したダミー電極２２ａ，２２
`ｂのような勾配を設けてもよい。また、これらダミー膜
`５及びダミー電極２２ａ，２２ｂに勾配を設ける代わり
`に、それらの膜厚が装置外周に向かうにしたがって階段
`状に順次薄くなるように形成されるものとしてもよい。
`
`

`
`9
`なお、この膜厚が階段状に順次薄くなる態様は、複数の
`ダミー膜によって階段状とされるものであってもよい
`し、単一のダミー膜上においても階段状とされものであ
`ってもよい。
`【００４７】また、前記各実施の形態では、固体装置の
`最外周にパターン形成される膜材をダミー膜（ダミー膜
`５やダミー電極２２ａ）として形成する例を示したがそ
`の限りでもない。同膜材はダミー膜としてではなく、他
`に例えば電極等として形成されるものであってもよい。
`【００４８】また、上記各実施の形態においては、本発
`明にかかる膜材がパターン形成された固体装置をポリシ
`リコン形ＴＦＴ方式アクティブマトリックス液晶表示装
`置に適用した例を示したが、これに限定されない。他に
`例えば、同固体装置をアモルファスシリコン形ＴＦＴア
`クティブマトリクス液晶表示装置に適用してもよいし、
`パッシブマトリクス液晶表示装置に適用してもよい。さ
`らに液晶表示装置に限定されず、例えば太陽電池セル
`等、薄膜電極が基板上にパターン形成されるものであれ
`ば同様にこの発明を適用することができる。そしてさら
`には、これら薄膜電極がパターン形成されるものに限ら
`ず、ＬＳＩ等の半導体装置にあっても、電極その他の膜
`材が基板表面にパターン形成され、その状態で前記ブラ
`シスクラバ等による洗浄が行われる固体装置でさえあれ
`ば、やはり同様に本発明を適用することはできる。
`【００４９】
`【発明の効果】請求項１の発明によれば、固体装置を例
`えばブラシスクラバ等を使用してブラシ洗浄する場合、
`ブラシスクラバのブラシは前記パターン形成された膜材
`と当接する前にまずダミー膜に当接する。そのため、回
`転するブラシスクラバのブラシの機械的な力によって同
`膜材が損傷すことは防止される。
`【００５０】請求項２の発明によれば、同様にブラシ洗
`浄する場合、ブラシスクラバのブラシは、まず膜材の膜
`厚よりも薄くパターン形成されたダミー膜に乗り上げ段
`差を小さくしてから同膜材に乗り上がるようになる。そ
`のため、回転するブラシスクラバのブラシの機械的な力
`によって同膜材が損傷すことは好適に防止される。請求
`項３の発明によれば、同様にブラシ洗浄する場合、ブラ
`シスクラバのブラシはダミー膜の勾配若しくは階段に沿
`って好適に膜材に乗り上がるようになる。そのため、回
`転するブラシスクラバのブラシの機械的な力によって同
`膜材が損傷することは好適に防止される。
`【００５１】請求項４の発明によれば、前記ダミー膜の
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`(6)
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`1010
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`2020
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`3030
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`4040
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` 特開２０００−９８９０９
`10
`製造工程が簡略化される。請求項５の発明によれば、前
`記ダミー膜の設計等の自由度が高まる。請求項６の発明
`によれば、液晶表示装置にあって、透明絶縁基板表面の
`ブラシ洗浄に伴う画素透明電極の損傷は好適に防止され
`る。
`【００５２】請求項７の発明によれば、膜材の段差が緩
`和されるため、ブラシ洗浄に伴う同膜材の損傷も好適に
`防止される。請求項８の発明によれば、膜材の段差が緩
`和されるため、ブラシ洗浄に伴う同膜材の損傷も好適に
`防止されるとともに、製造工数を増やすことなく勾配を
`有する膜材を得ることができる。
`【図面の簡単な説明】
`【図１】この発明にかかる固体装置の第１の実施の形態
`を示す部分平面図。
`【図２】図１のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿った部分断面
`図。
`【図３】第１の実施の形態の固体装置に対する洗浄の態
`様を示す部分断面図。
`【図４】第１の実施の形態の固体装置の製造手順を示す
`断面図。
`【図５】第１の実施の形態の他の実施の態様を示す部分
`平面図。
`【図６】この発明にかかる固体装置の第２の実施の形態
`を示す部分平面図。
`【図７】図６のＣ−Ｃ線及びＤ−Ｄ線に沿った部分断面
`図。
`【図８】第２の実施の形態の固体装置に対する洗浄の態
`様を示す部分断面図。
`【図９】第２の実施の形態の固体装置の製造手順を示す
`断面図。
`【図１０】従来の固体装置（液晶表示装置）の平面構造
`を示す部分平面図。
`【図１１】図１０のＸ−Ｘ線に沿った部分断面図。
`【図１２】ブラシスクラバによる基板洗浄態様を示す平
`面図。
`【図１３】従来の固体装置に対する洗浄の態様を示す部
`分断面図。
`【符号の説明】
`４ａ…ブラシスクラバのブラシ、５…ダミー膜、６，６
`ａ，６ｂ…レジスト膜、１１，２１…ＴＦＴアレイ側基
`板、１１ａ，２１ａ…透明絶縁基板、１２，２２…画素
`電極（ＩＴＯ薄膜電極）、２２ａ，２２ｂ…ダミー電
`極。
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`(7)
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`【図１】
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`【図２】
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`【図３】
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`【図７】
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`【図４】
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`【図８】
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` 特開２０００−９８９０９
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`【図５】
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`【図６】
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`【図９】
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`【図１０】
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`【図１１】
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`(9)
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` 特開２０００−９８９０９
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`【図１２】
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`【図１３】