`
`U5006132564A
`(cid:11)(cid:10)(cid:1)(cid:1)(cid:7)(cid:2)(cid:4)(cid:3)(cid:6)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:12)
`(cid:3)(cid:8)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:5)(cid:11)(cid:2)(cid:10)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:9)(cid:11)(cid:1)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:10)(cid:11) (cid:219)(cid:69)(cid:56)(cid:348)(cid:507)
`(cid:8)(cid:1)(cid:3)(cid:5)(cid:4)(cid:2)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)
`(cid:220)(cid:283)(cid:284)(cid:152) (cid:3)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:10)(cid:12) (cid:2)(cid:11)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:1)
`United States Patent
`[19]
`6,132,564
`[t 1] Patent Number:
`
` 7
`(cid:9)(cid:17)(cid:13)(cid:12)(cid:20)(cid:12)(cid:22)
`(cid:371)(cid:79)(cid:33)(cid:349)(cid:507) (cid:8)(cid:12)(cid:21)(cid:14)(cid:22)(cid:19)(cid:16)(cid:22)(cid:11)(cid:12)(cid:21)(cid:15)(cid:18)(cid:20)(cid:7)(cid:22)
`(cid:10)(cid:13)(cid:20)(cid:2)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:22)(cid:5)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)
`Licata
`[45] Date of Patent:
`Oct. 17 2000
`
`(cid:64)(cid:33)(cid:79)(cid:82)(cid:507)
`[54]
`
`(cid:57)(cid:62)(cid:6)(cid:66)(cid:54)(cid:68)(cid:71)(cid:120)(cid:64)(cid:65)(cid:47)(cid:7)(cid:61)(cid:47)(cid:68)(cid:43)(cid:58)(cid:58)(cid:54)(cid:76)(cid:43)(cid:68)(cid:54)(cid:63)(cid:62)(cid:120)(cid:45)(cid:60)(cid:47)(cid:43)(cid:62)(cid:120)(cid:43)(cid:62)(cid:46)(cid:120)
`[N-SITU PRE-METALLIZATION CLEAN AND
`(cid:61)(cid:49)(cid:69)(cid:43)(cid:59)(cid:59)(cid:55)(cid:75)(cid:43)(cid:69)(cid:55)(cid:63)(cid:62)(cid:120)(cid:63)(cid:51)(cid:120)(cid:66)(cid:48)(cid:61)(cid:56)(cid:45)(cid:63)(cid:62)(cid:46)(cid:71)(cid:45)(cid:69)(cid:63)(cid:65)(cid:120)
`nflgkyZMmN OF SEMICONDUCTOR
`(cid:74)(cid:43)(cid:52)(cid:49)(cid:65)(cid:66)(cid:120)
`'
`‘
`(cid:347)(cid:9)(cid:150)(cid:11)(cid:30)(cid:2)(cid:457)(cid:34)(cid:316)(cid:507) (cid:68)(cid:91)(cid:104)(cid:101)(cid:77)(cid:112)(cid:120)(cid:246)(cid:351)(cid:240)(cid:507)(cid:60)(cid:94)(cid:83)(cid:114)(cid:78)(cid:1)(cid:120)(cid:113)(cid:11)(cid:49)(cid:1)(cid:102)(cid:507)(cid:112)(cid:42)(cid:3)(cid:500)(cid:66)
`(cid:64)(cid:81)(cid:33)(cid:222)
`Inventor: Thomas J. Licata, Mesa, Ariz.
`[75]
`(cid:64)(cid:81)(cid:76)(cid:192)(cid:507) (cid:112)(cid:25)(cid:25)(cid:3)(cid:15)(cid:9)(cid:5)(cid:5)(cid:317)(cid:507) (cid:68)(cid:105)(cid:95)(cid:119)(cid:105)(cid:120)(cid:50)(cid:96)(cid:86)(cid:81)(cid:115)(cid:110)(cid:107)(cid:103)(cid:120)(cid:58)(cid:92)(cid:101)(cid:92)(cid:114)(cid:85)(cid:84)(cid:2)(cid:120)(cid:135)(cid:12)(cid:436)(cid:63)(cid:12)(cid:74)(cid:507)(cid:350)(cid:1)(cid:17)(cid:1)(cid:30)(cid:507)
`[73] Assignee: Tokyo Electron Limited, Tokyo, Japan
`
`(cid:64)(cid:33)(cid:129)(cid:82)(cid:507)
`[58]
`
`[56]
`(cid:64)(cid:33)(cid:303)(cid:82)(cid:507)
`
`(cid:64)(cid:40)(cid:107)(cid:192)(cid:507) (cid:112)(cid:17)(cid:38)(cid:14)(cid:52)(cid:507)(cid:114)(cid:12)(cid:52)(cid:318)(cid:507)(cid:25)(cid:38)(cid:22)(cid:39)(cid:36)(cid:28)(cid:3)(cid:67)(cid:72)(cid:120)
`[21] Appl. No.: 08/971,512
`(cid:62)(cid:105)(cid:117)(cid:8)(cid:120)(cid:26)(cid:35)(cid:4)(cid:120)(cid:26)(cid:40)(cid:40)(cid:35)(cid:120)
`(cid:342)(cid:3)(cid:205)(cid:11)(cid:19)(cid:319)(cid:507)
`(cid:372)(cid:40)(cid:40)(cid:152)(cid:507)
`[22
`Filed:
`Nov. 17, 1997
`(cid:57)(cid:102)(cid:114)(cid:13)(cid:120)(cid:45)(cid:97)(cid:13)(cid:37)(cid:120) (cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:10)(cid:9)(cid:16)(cid:16)(cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:10)(cid:16)(cid:18)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:18)(cid:10)(cid:18)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:19)(cid:11)(cid:17)(cid:10)(cid:11)(cid:16)(cid:20)(cid:10)(cid:10)(cid:11) (cid:20)(cid:18)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:21)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:16)(cid:10)(cid:16)(cid:10)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:16)(cid:10)(cid:120)(cid:45)(cid:29)(cid:32)(cid:45)(cid:120)(cid:26)(cid:33)(cid:23)(cid:32)(cid:33)(cid:120)
`(cid:64)(cid:33)(cid:107)(cid:82)(cid:507)
`[51]
`Int. Cl.7 ..................................................... C23C 14/34
`(cid:73)(cid:12)(cid:66)(cid:12)(cid:120)(cid:45)(cid:100)(cid:12)(cid:120) (cid:91)(cid:162)(cid:67)(cid:32)(cid:21)(cid:67)(cid:32)(cid:67)(cid:32)(cid:21)(cid:32)(cid:32)(cid:65)(cid:67)(cid:35)(cid:35)(cid:35)(cid:65)(cid:35)(cid:35)(cid:65)(cid:35)(cid:21)(cid:32)(cid:162)(cid:32)(cid:32)(cid:66)(cid:32)(cid:65)(cid:65)(cid:35)(cid:507) (cid:30)(cid:25)(cid:33)(cid:24)(cid:26)(cid:41)(cid:30)(cid:12)(cid:27)(cid:34)(cid:42)(cid:120)(cid:36)(cid:106)(cid:296)(cid:247)(cid:124)(cid:98)(cid:36)(cid:52)(cid:124)(cid:81)(cid:320)(cid:507)
`(cid:64)(cid:33)(cid:36)(cid:82)(cid:507)
`[52] US. Cl.
`..
`.204/192.15,204/192. 17,
`204/19225;204/192.3; 20429835; 216/‘37
`(cid:40)(cid:106)(cid:79)(cid:248)(cid:274)(cid:98)(cid:40)(cid:66)(cid:40)(cid:33)(cid:183)(cid:507) (cid:40)(cid:106)(cid:297)(cid:249)(cid:107)(cid:98)(cid:40)(cid:241)(cid:76)(cid:321)(cid:507) (cid:40)(cid:271)(cid:265)(cid:289)(cid:98)(cid:311)(cid:66)(cid:76)(cid:33)(cid:183)(cid:507)(cid:40)(cid:107)(cid:176)(cid:250)(cid:76)(cid:81)(cid:507)
`(cid:53)(cid:92)(cid:85)(cid:98)(cid:84)(cid:120)(cid:106)(cid:88)(cid:120)(cid:66)(cid:85)(cid:79)(cid:108)(cid:82)(cid:90)(cid:120) (cid:21)(cid:21)(cid:52)(cid:35)(cid:21)(cid:35)(cid:21)(cid:21)(cid:66)(cid:123)(cid:32)(cid:66)(cid:66)(cid:32)(cid:32)(cid:35)(cid:21)(cid:21)(cid:52)(cid:35)(cid:65)(cid:35)(cid:35)(cid:21)(cid:52)(cid:507) (cid:36)(cid:167)(cid:79)(cid:251)(cid:69)(cid:56)(cid:36)(cid:52)(cid:69)(cid:33)(cid:47)(cid:507) (cid:124)(cid:56)(cid:36)(cid:21)(cid:275)(cid:81)(cid:103)(cid:507)
`Field of Search ......................... 204/19215, 192.17,
`204/19225, 192.3, 298.25, 192.32, 192.13,
`(cid:36)(cid:167)(cid:79)(cid:252)(cid:276)(cid:56)(cid:36)(cid:68)(cid:36)(cid:33)(cid:47)(cid:507)(cid:69)(cid:56)(cid:36)(cid:32)(cid:125)(cid:103)(cid:507)(cid:36)(cid:98)(cid:129)(cid:65)(cid:36)(cid:33)(cid:47)(cid:507)(cid:69)(cid:56)(cid:36)(cid:68)(cid:125)(cid:36)(cid:47)(cid:507)(cid:69)(cid:56)(cid:36)(cid:32)(cid:285)(cid:125)(cid:223)(cid:507)
`298.35, 298.05; 438/582; 216/37
`(cid:40)(cid:56)(cid:109)(cid:67)(cid:76)(cid:33)(cid:102)(cid:507)(cid:40)(cid:56)(cid:109)(cid:21)(cid:106)(cid:33)(cid:322)(cid:507) (cid:79)(cid:290)(cid:109)(cid:253)(cid:33)(cid:109)(cid:40)(cid:323)(cid:507) (cid:40)(cid:69)(cid:176)(cid:254)(cid:76)(cid:81)(cid:507)
`(cid:65)(cid:85)(cid:88)(cid:85)(cid:109)(cid:87)(cid:102)(cid:80)(cid:85)(cid:113)(cid:120)(cid:45)(cid:93)(cid:116)(cid:85)(cid:84)(cid:120)
`References Cited
`U.S. PA'I‘ENT DOCUMENTS
`(cid:368)(cid:21)(cid:362)(cid:65)(cid:507)(cid:134)(cid:327)(cid:367)(cid:337)(cid:352)(cid:365)(cid:507)(cid:184)(cid:133)(cid:331)(cid:369)(cid:113)(cid:338)(cid:114)(cid:136)(cid:189)(cid:507)
`10/1992 Ohmi .
`Re, 34,106
`(cid:360)(cid:72)(cid:121)(cid:507)(cid:77)(cid:26)(cid:153)(cid:10)(cid:272)(cid:507) (cid:10)(cid:75)(cid:92)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:94)(cid:507) (cid:353)(cid:385)(cid:443)(cid:85) (cid:52)(cid:507)
`3,594,295
`7/1971 Meckel et al. .
`(cid:77)(cid:90)(cid:28)(cid:111)(cid:26)(cid:90)(cid:94)(cid:111)(cid:28)(cid:507)
`(cid:97)(cid:255)(cid:10)(cid:13)(cid:180)(cid:108)(cid:507)
`(cid:132)(cid:72)(cid:391)(cid:143)(cid:72)(cid:116)(cid:507)(cid:72)(cid:148)(cid:507)(cid:1)(cid:41)(cid:245)(cid:507)
`4,250,009
`2/1981 Cuomo e1a1,.
`(cid:171)(cid:92)(cid:10)(cid:13)(cid:29)(cid:277)(cid:507)
`(cid:334)(cid:487)(cid:458)(cid:144)(cid:459)(cid:507)(cid:396)(cid:480)(cid:507)(cid:373)(cid:116)(cid:121)(cid:122)(cid:507)
`(cid:26)(cid:224)(cid:171)(cid:175)(cid:267)(cid:225)(cid:268)(cid:269)(cid:13)(cid:507)
`4,464,223
`8/1984 (lorin.
`(cid:186)(cid:145)(cid:209)(cid:203)(cid:206)(cid:52)(cid:507)
`(cid:29)(cid:256)(cid:10)(cid:13)(cid:110)(cid:127)(cid:507)
`(cid:26)(cid:154)(cid:26)(cid:71)(cid:26)(cid:120)(cid:172)(cid:172)(cid:291)(cid:507)
`(cid:363)(cid:61)(cid:199)(cid:144)(cid:17)(cid:41)(cid:397)(cid:507) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:2)(cid:5)(cid:2)(cid:1)(cid:14)(cid:3)(cid:1)(cid:6)(cid:1)(cid:3)(cid:3)(cid:1)(cid:16)(cid:91)(cid:21)(cid:163)(cid:21)(cid:21)(cid:123)(cid:507)(cid:10)(cid:174)(cid:80)(cid:257)(cid:128)(cid:299)(cid:292)(cid:507)
`4,585,517
`4/1986 Stemplc
`156/643
`(cid:26)(cid:45)(cid:28)(cid:29)(cid:28)(cid:45)(cid:174)(cid:108)(cid:55)(cid:507)
`(cid:298)(cid:105)(cid:10)(cid:13)(cid:29)(cid:179)(cid:507)
`4,844,775
`7/1989 chblt: .
`(cid:26)(cid:90)(cid:110)(cid:95)(cid:26)(cid:90)(cid:55)(cid:55)(cid:28)(cid:507)
`(cid:187)(cid:398)(cid:399)(cid:386)(cid:116)(cid:400)(cid:21)(cid:507)
`(cid:97)(cid:164)(cid:10)(cid:13)(cid:29)(cid:13)(cid:507)
`4,863,549
`9/1989 (Prunwald .
`(cid:186)(cid:473)(cid:212)(cid:446)(cid:491)(cid:99)(cid:41)(cid:394)(cid:122)(cid:507)
`(cid:13)(cid:165)(cid:10)(cid:13)(cid:110)(cid:57)(cid:507)
`(cid:26)(cid:45)(cid:110)(cid:71)(cid:293)(cid:120)(cid:301)(cid:26)(cid:57)(cid:507)
`4,925,542
`5/1990 Kidd.
`(cid:28)(cid:92)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:93)(cid:507)
`(cid:187)(cid:85)(cid:197)(cid:197) (cid:91)(cid:507)
`(cid:26)(cid:155)(cid:181)(cid:173)(cid:28)(cid:155)(cid:175)(cid:26)(cid:288)(cid:507)
`4,999,096
`3/1991 Nihei el al.
`.
`(cid:77)(cid:258)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:108)(cid:507)
`(cid:26)(cid:104)(cid:181)(cid:313)(cid:13)(cid:104)(cid:273)(cid:177)(cid:507)
`(cid:1)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:7)(cid:13)(cid:401)(cid:481)(cid:507)(cid:137)(cid:41)(cid:67) (cid:35)(cid:507)
`5,178,739
`1.’1993 Barnes et al.
`.
`(cid:70)(cid:45)(cid:10)(cid:304)(cid:29)(cid:45)(cid:305)(cid:78)(cid:314)(cid:507)
`(cid:329)(cid:381)(cid:474)(cid:72)(cid:475)(cid:507)(cid:72)(cid:437)(cid:507)(cid:193)(cid:438)(cid:507)(cid:159)(cid:67)(cid:507)
`(cid:278)(cid:166)(cid:10)(cid:57)(cid:13)(cid:78)(cid:507)
`5,401,350
`3/1995 Patrick el al .
`(cid:96)(cid:156)(cid:95)(cid:270)(cid:10)(cid:153)(cid:77)(cid:96)(cid:75)(cid:507)
`(cid:355)(cid:193)(cid:61)(cid:146)(cid:85)(cid:392)(cid:143)(cid:507)(cid:72)(cid:118)(cid:507)(cid:194)(cid:41)(cid:161)(cid:507)(cid:52)(cid:507)
`(cid:77)(cid:92)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:96)(cid:507)
`5,431,799
`7/ 1995 Mosely et al.
`.
`(cid:97)(cid:105)(cid:10)(cid:57)(cid:13)(cid:28)(cid:507)
`(cid:28)(cid:45)(cid:26)(cid:294)(cid:10)(cid:226)(cid:55)(cid:182)(cid:13)(cid:507)
`(cid:132)(cid:460)(cid:476)(cid:140)(cid:41)(cid:497)(cid:507)(cid:140)(cid:148)(cid:507)(cid:195)(cid:41)(cid:91)(cid:507)
`5,449,432
`9/1995 lianawa
`(cid:345)(cid:137)(cid:447)(cid:137)(cid:492)(cid:99) (cid:68)(cid:507)
`(cid:130)(cid:165)(cid:10)(cid:57)(cid:130)(cid:70)(cid:507)
`(cid:70)(cid:157)(cid:26)(cid:95)(cid:57)(cid:157)(cid:26)(cid:126)(cid:94)(cid:507)
`5,468,296
`11/1995 Patrick cl al.
`.
`(cid:28)(cid:45)(cid:26)(cid:71)(cid:29)(cid:45)(cid:173)(cid:182)(cid:71)(cid:507) (cid:10)(cid:170)(cid:262)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:28)(cid:507)
`(cid:356)(cid:374)(cid:61)(cid:146)(cid:85)(cid:388)(cid:143)(cid:507)(cid:402)(cid:118)(cid:507)(cid:194)(cid:41)(cid:21)(cid:507)
`5.540.800
`7/1996 Oian .
`(cid:96)(cid:227)(cid:28)(cid:300)(cid:75)(cid:228)(cid:29)(cid:169)(cid:507)
`(cid:97)(cid:92)(cid:10)(cid:13)(cid:111)(cid:80)(cid:507)
`(cid:359)(cid:85)(cid:1)(cid:206)(cid:21)(cid:507)
`5,540,824
`7/1996 Yin et al. .
`(cid:96)(cid:90)(cid:28)(cid:95)(cid:75)(cid:120)(cid:29)(cid:94)(cid:127)(cid:507)
`(cid:3)(cid:8)(cid:10)(cid:13)(cid:403)(cid:148)(cid:507)(cid:1)(cid:41)(cid:122)(cid:91)(cid:507)
`(cid:97)(cid:164)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:177)(cid:507)
`5,560,776
`[0/1996 Sttgai ct nl. .
`(cid:70)(cid:154)(cid:28)(cid:71)(cid:93)(cid:45)(cid:55)(cid:55)(cid:71)(cid:507) (cid:10)(cid:93)(cid:166)(cid:10)(cid:57)(cid:217)(cid:507)
`(cid:364)(cid:485)(cid:430)(cid:375)(cid:203)(cid:507)(cid:404)(cid:484)(cid:507)(cid:376)(cid:41)(cid:35) (cid:21)(cid:507)
`5,569,363 [0/1996 Bayer et al. .
`(cid:330)(cid:1)(cid:63)(cid:405)(cid:146)(cid:507)(cid:406)(cid:439)(cid:507)(cid:1)(cid:41)(cid:507)(cid:160)(cid:68)(cid:507)
`(cid:28)(cid:45)(cid:28)(cid:178)(cid:13)(cid:45)(cid:78)(cid:128)(cid:78)(cid:507) (cid:10)(cid:93)(cid:259)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:178)(cid:507)
`5,747,384
`5/1998 Miyamolo .
`(cid:28)(cid:105)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:29)(cid:507)
`(cid:132)(cid:85)(cid:498)(cid:377)(cid:444)(cid:145)(cid:118)(cid:145)(cid:160)(cid:507)
`(cid:28)(cid:45)(cid:306)(cid:95)(cid:55)(cid:104)(cid:78)(cid:29)(cid:127)(cid:507)
`5,755,888
`5/1998 Toriictal.
`(cid:28)(cid:260)(cid:10)(cid:57)(cid:57)(cid:29)(cid:507)
`(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:9)(cid:9)(cid:13)(cid:389)(cid:61)(cid:507)(cid:99)(cid:116)(cid:32)(cid:507) (cid:32)(cid:123)(cid:507)
`(cid:70)(cid:158)(cid:180)(cid:302)(cid:70)(cid:158)(cid:312)(cid:507)
`5,834,371
`11/1998 Ameen ct al. .
`(cid:28)(cid:156)(cid:29)(cid:295)(cid:26)(cid:229)(cid:78)(cid:55)(cid:10)(cid:507) (cid:10)(cid:108)(cid:105)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:29)(cid:507)
`(cid:328)(cid:144)(cid:140)(cid:199)(cid:448)(cid:507)(cid:407)(cid:61)(cid:507)(cid:195)(cid:41)(cid:507)(cid:21) (cid:21)
`
`118/719
`(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:6)(cid:6)(cid:15)(cid:11)(cid:12)(cid:12)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:6)(cid:7)(cid:16) (cid:170)(cid:10)(cid:129)(cid:266)(cid:55)(cid:10)(cid:315)(cid:507)
`
`(cid:343)(cid:133)(cid:361)(cid:339)(cid:131)(cid:344)(cid:114)(cid:507)(cid:357)(cid:324)(cid:366)(cid:185)(cid:188)(cid:135)(cid:507)(cid:335)(cid:133)(cid:332)(cid:370)(cid:113)(cid:185)(cid:188)(cid:190)(cid:189)(cid:507)
`FOREIGN PATENT DOCUMENTS
`0536664
`4/1993
`l’uropean pm. on,
`(cid:93)(cid:70)(cid:126)(cid:71)(cid:128)(cid:179)(cid:26)(cid:507)
`(cid:341)(cid:488)(cid:209)(cid:465)(cid:469)(cid:99)(cid:449)(cid:507)(cid:358)(cid:99)(cid:483)(cid:68)(cid:507)(cid:354)(cid:416)(cid:417)(cid:507)(cid:68)(cid:242)(cid:507)
`(cid:26)(cid:263)(cid:10)(cid:13)(cid:130)(cid:126)(cid:507)
`61-190070
`8/1986
`Japan.
`(cid:80)(cid:279)(cid:237)(cid:10)(cid:13)(cid:169)(cid:307)(cid:75)
`(cid:29)(cid:264)(cid:10)(cid:13)(cid:29)(cid:80)(cid:507) (cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:2)(cid:8)
`0817682
`7/1996
`Japan.
`(cid:309)(cid:261)(cid:10)(cid:111)(cid:13)(cid:80)(cid:507) (cid:3)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:1)(cid:8)
`(cid:75)(cid:29)(cid:10)(cid:308)(cid:80)(cid:29)(cid:94)(cid:77)
`(cid:3)(cid:16)(cid:9)(cid:11)(cid:4)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:7)(cid:15)(cid:1)(cid:6)(cid:17)(cid:10)(cid:6)(cid:20)(cid:114)(cid:62)(cid:501)(cid:502)(cid:44)(cid:14)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:44)(cid:507)
`Primary Examiner—Maria Nuzzolillo
`Assistant Examiner—Julian A. Mercado
`(cid:6)(cid:33)(cid:33)(cid:18)(cid:33)(cid:34)(cid:10)(cid:24)(cid:35)(cid:41)(cid:7)(cid:11)(cid:22)(cid:18)(cid:24)(cid:14)(cid:30)(cid:5)(cid:39)(cid:21)(cid:20)(cid:12)(cid:25)(cid:41)(cid:325)(cid:507)(cid:113)(cid:11)(cid:4)(cid:18)(cid:1)(cid:59)(cid:12)(cid:507)
`(cid:6)(cid:37)(cid:38)(cid:27)(cid:32)(cid:26)(cid:16)(cid:40)(cid:1)(cid:41)(cid:6)(cid:17)(cid:15)(cid:24)(cid:36)(cid:2)(cid:41) (cid:27)(cid:31)(cid:41)(cid:8)(cid:19)(cid:31)(cid:23)(cid:4)(cid:9)(cid:28)(cid:29)(cid:13)(cid:3)(cid:41)(cid:346)(cid:6)(cid:4)(cid:4)(cid:31)(cid:9)(cid:507)(cid:218)(cid:507) (cid:340)(cid:150)(cid:1)(cid:9)(cid:49)(cid:47)(cid:507)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:1)(cid:6)
`Alter/18y, Age/II, or Firm—Wood, Elerron & L'vans, L.L.l’.
`(cid:43)(cid:44)(cid:66)(cid:69)(cid:65)(cid:43)(cid:45)(cid:70)(cid:120)
`(cid:221)(cid:33)(cid:310)(cid:82)(cid:507)
`[57]
`ABSTRACT
`(cid:326)(cid:507)(cid:7)(cid:48)(cid:2)(cid:16)(cid:37)(cid:19)(cid:507)(cid:3)(cid:39)(cid:507) (cid:467)(cid:4)(cid:37)(cid:89)(cid:20)(cid:19)(cid:48)(cid:59)(cid:507) (cid:37)(cid:83)(cid:507) (cid:53)(cid:442)(cid:48)(cid:22)(cid:9)(cid:20)(cid:30)(cid:15)(cid:507) (cid:19)(cid:48)(cid:89)(cid:20)(cid:53)(cid:48)(cid:507) (cid:39)(cid:54)(cid:4)(cid:200)(cid:384)(cid:53)(cid:48)(cid:39)(cid:507) (cid:419)(cid:208)(cid:4)(cid:507) (cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507)
`A method is provided of cleaning device surfaces for the
`(cid:7)(cid:6)(cid:2)(cid:1)(cid:14)(cid:14)(cid:20)(cid:505)(cid:1)(cid:2)(cid:20)(cid:37)(cid:450)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:6)(cid:4)(cid:48)(cid:37)(cid:84)(cid:507)(cid:138)(cid:63)(cid:507)(cid:2)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:408)(cid:507)(cid:147)(cid:54)(cid:4)(cid:83)(cid:1)(cid:53)(cid:6)(cid:39)(cid:507)(cid:3)(cid:87)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:53)(cid:8)(cid:1)(cid:7)(cid:138)(cid:6)(cid:42)(cid:507)
`metallization thereof by treating the surfaces in a chamber
`(cid:6)(cid:472)(cid:62)(cid:3)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:19)(cid:507) (cid:201)(cid:37)(cid:42)(cid:507) (cid:3)(cid:12)(cid:9)(cid:3)(cid:503)(cid:6)(cid:19)(cid:507) (cid:17)(cid:16)(cid:73)(cid:39)(cid:3)(cid:18)(cid:22)(cid:14)(cid:507) (cid:213)(cid:1)(cid:17)(cid:12)(cid:4)(cid:507) (cid:19)(cid:6)(cid:468)(cid:37)(cid:39)(cid:3)(cid:2)(cid:3)(cid:46)(cid:451)(cid:507) (cid:12)(cid:42)(cid:507) (cid:37)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:42)(cid:507)
`equipped for ionized physical vapor deposition or other
`(cid:38)(cid:14)(cid:22)(cid:43)(cid:7)(cid:22)(cid:238)(cid:23)(cid:1)(cid:43)(cid:6)(cid:19)(cid:507) (cid:7)(cid:6)(cid:27)(cid:1)(cid:86)(cid:507) (cid:19)(cid:6)(cid:38)(cid:37)(cid:43)(cid:3)(cid:2)(cid:3)(cid:31)(cid:87)(cid:507) (cid:17)(cid:4)(cid:12)(cid:393)(cid:49)(cid:25)(cid:159)(cid:507)(cid:190)(cid:8)(cid:6)(cid:507) (cid:39)(cid:62)(cid:4)(cid:422)(cid:18)(cid:6)(cid:43)(cid:507) (cid:22)(cid:4)(cid:6)(cid:507)
`plasma-based metal deposition process. The surfaces are
`plasma etched, preferably in a chamber in which the next
`(cid:38)(cid:14)(cid:1)(cid:50)(cid:7)(cid:1)(cid:507)(cid:6)(cid:2)(cid:139)(cid:16)(cid:6)(cid:59)(cid:47)(cid:507)(cid:17)(cid:42)(cid:6)(cid:424)(cid:42)(cid:1)(cid:387)(cid:86)(cid:73)(cid:507)(cid:3)(cid:452)(cid:507)(cid:1)(cid:507) (cid:139)(cid:16)(cid:1)(cid:7)(cid:23)(cid:6)(cid:4)(cid:507)(cid:3)(cid:9)(cid:507)(cid:51)(cid:8)(cid:3)(cid:139)(cid:16)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:6)(cid:507)(cid:453)(cid:6)(cid:214)(cid:2)(cid:507)
`(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:1)(cid:41)(cid:507)(cid:14)(cid:1)(cid:101)(cid:24)(cid:4)(cid:507)(cid:3)(cid:50)(cid:507)(cid:2)(cid:31)(cid:507)(cid:58)(cid:24)(cid:507)(cid:59)(cid:24)(cid:470)(cid:50)(cid:20)(cid:27)(cid:24)(cid:59)(cid:507)(cid:168)(cid:286)(cid:287)(cid:280)(cid:168)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:24)(cid:507)(cid:50)(cid:62)(cid:4)(cid:84)(cid:1)(cid:18)(cid:24)(cid:50)(cid:21)(cid:507)(cid:112)(cid:205)(cid:50)(cid:44)(cid:507)(cid:46)(cid:34)(cid:507)(cid:3)(cid:9)(cid:507)
`metal layer is to be deposited onto the surfaces. Also or in
`the alternative, the surfaces are plasma etched with a plasma
`(cid:27)(cid:8)(cid:5)(cid:507)(cid:1)(cid:14)(cid:2)(cid:5)(cid:4)(cid:9)(cid:1)(cid:118)(cid:3)(cid:89)(cid:5)(cid:47)(cid:507)(cid:440)(cid:16)(cid:5)(cid:507)(cid:43)(cid:54)(cid:34)(cid:142)(cid:1)(cid:18)(cid:5)(cid:239)(cid:25)(cid:507)(cid:1)(cid:4)(cid:5)(cid:507)(cid:17)(cid:14)(cid:1)(cid:43)(cid:7)(cid:1)(cid:507)(cid:5)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:5)(cid:59)(cid:507)(cid:51)(cid:3)(cid:2)(cid:8)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:17)(cid:14)(cid:1)(cid:25)(cid:7)(cid:1)(cid:507)
`(cid:18)(cid:12)(cid:9)(cid:61)(cid:1)(cid:3)(cid:9)(cid:20)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:20)(cid:12)(cid:30)(cid:25)(cid:507)(cid:207)(cid:84)(cid:507)(cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507)(cid:7)(cid:5)(cid:27)(cid:1)(cid:14)(cid:507)(cid:27)(cid:12)(cid:507)(cid:23)(cid:5)(cid:507)(cid:19)(cid:5)(cid:471)(cid:25)(cid:20)(cid:2)(cid:5)(cid:19)(cid:21)(cid:507)(cid:134)(cid:4)(cid:5)(cid:202)(cid:412)(cid:34)(cid:1)(cid:23)(cid:14)(cid:101)(cid:507)(cid:1)(cid:14)(cid:25)(cid:12)(cid:230)(cid:507)
`containing ions of the metal to be deposited. Preferably also,
`(cid:27)(cid:8)(cid:141)(cid:507) (cid:141)(cid:2)(cid:390)(cid:16)(cid:3)(cid:30)(cid:15)(cid:507)(cid:17)(cid:34)(cid:12)(cid:18)(cid:5)(cid:25)(cid:243)(cid:25)(cid:507)(cid:3)(cid:25)(cid:507)(cid:202)(cid:463)(cid:14)(cid:14)(cid:12)(cid:493)(cid:141)(cid:198)(cid:507)(cid:58)(cid:151)(cid:507)(cid:19)(cid:5)(cid:17)(cid:12)(cid:25)(cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:22)(cid:507)(cid:418)(cid:435)(cid:14)(cid:7)(cid:507)(cid:12)(cid:84)(cid:507) (cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507)
`the etching process is followed by depositing a film of the
`(cid:7)(cid:11)(cid:100)(cid:22)(cid:86)(cid:104)(cid:507) (cid:38)(cid:34)(cid:11)(cid:425)(cid:34)(cid:22)(cid:23)(cid:14)(cid:101)(cid:507) (cid:23)(cid:151)(cid:507)(cid:3)(cid:31)(cid:9)(cid:3)(cid:504)(cid:11)(cid:19)(cid:507)(cid:38)(cid:8)(cid:63)(cid:210)(cid:3)(cid:115)(cid:1)(cid:14)(cid:507) (cid:89)(cid:1)(cid:17)(cid:31)(cid:4)(cid:507)(cid:19)(cid:11)(cid:17)(cid:31)(cid:49)(cid:3)(cid:2)(cid:3)(cid:44)(cid:30)(cid:74)(cid:507)(cid:3)(cid:9)(cid:507)
`metal, preferably by ionized physical vapor deposition, in
`the chamber, The metal may, for example, be titanium that
`(cid:27)(cid:8)(cid:5)(cid:507)(cid:18)(cid:8)(cid:1)(cid:7)(cid:138)(cid:11)(cid:42)(cid:161)(cid:507)(cid:135)(cid:16)(cid:5)(cid:507)(cid:7)(cid:11)(cid:2)(cid:1)(cid:204)(cid:507)(cid:7)(cid:1)(cid:73)(cid:103)(cid:507)(cid:83)(cid:44)(cid:4)(cid:507)(cid:11)(cid:495)(cid:1)(cid:7)(cid:17)(cid:86)(cid:11)(cid:47)(cid:507)(cid:58)(cid:11)(cid:507)(cid:2)(cid:20)(cid:2)(cid:22)(cid:9)(cid:432)(cid:62)(cid:7)(cid:507)(cid:88)(cid:16)(cid:378)(cid:2)(cid:507)
`(cid:20)(cid:39)(cid:507)(cid:39)(cid:17)(cid:211)(cid:27)(cid:2)(cid:6)(cid:42)(cid:6)(cid:59)(cid:507)(cid:421)(cid:4)(cid:37)(cid:7)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:281)(cid:1)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:2)(cid:507)(cid:51)(cid:20)(cid:2)(cid:16)(cid:3)(cid:30)(cid:507)(cid:27)(cid:8)(cid:6)(cid:507)(cid:53)(cid:16)(cid:1)(cid:7)(cid:23)(cid:6)(cid:4)(cid:68)(cid:507)(cid:136)(cid:16)(cid:6)(cid:507)(cid:38)(cid:4)(cid:466)(cid:6)(cid:147)(cid:39)(cid:507)(cid:44)(cid:200)(cid:507)
`is sputtered from a target within the chamber. The process of
`(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:46)(cid:39)(cid:3)(cid:27)(cid:3)(cid:454)(cid:15)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:6)(cid:507)(cid:7)(cid:6)(cid:2)(cid:1)(cid:14)(cid:102)(cid:507)(cid:51)(cid:16)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:507)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:507)(cid:7)(cid:6)(cid:282)(cid:22)(cid:14)(cid:507)(cid:20)(cid:39)(cid:507) (cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:1)(cid:87)(cid:20)(cid:62)(cid:7)(cid:231)(cid:507)(cid:7)(cid:1)(cid:499)(cid:232)(cid:507)(cid:427)(cid:42)(cid:507)
`depositing the metal, where the metal is titanium, may, for
`(cid:6)(cid:215)(cid:1)(cid:7)(cid:38)(cid:14)(cid:6)(cid:233)(cid:507)(cid:23)(cid:6)(cid:507)(cid:83)(cid:464)(cid:14)(cid:14)(cid:12)(cid:494)(cid:411)(cid:395)(cid:507)(cid:58)(cid:216)(cid:507)(cid:100)(cid:16)(cid:6)(cid:507)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:46)(cid:43)(cid:3)(cid:2)(cid:3)(cid:46)(cid:9)(cid:507)(cid:46)(cid:84)(cid:507)(cid:22)(cid:507)(cid:88)(cid:3)(cid:100)(cid:1)(cid:9)(cid:3)(cid:119)(cid:7)(cid:507)(cid:30)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:3)(cid:19)(cid:6)(cid:507)
`example, be followed by the deposition of a titanium nitride
`layer, The process steps may be used to passivate the
`(cid:86)(cid:1)(cid:216)(cid:5)(cid:4)(cid:121)(cid:507)(cid:136)(cid:16)(cid:5)(cid:507) (cid:17)(cid:4)(cid:12)(cid:18)(cid:5)(cid:43)(cid:477)(cid:507) (cid:43)(cid:2)(cid:5)(cid:17)(cid:43)(cid:507) (cid:7)(cid:1)(cid:63)(cid:507) (cid:23)(cid:11)(cid:507) (cid:119)(cid:49)(cid:5)(cid:19)(cid:507) (cid:27)(cid:31)(cid:507) (cid:17)(cid:1)(cid:43)(cid:43)(cid:3)(cid:489)(cid:1)(cid:61)(cid:5)(cid:507) (cid:2)(cid:8)(cid:11)(cid:507)
`(cid:43)(cid:54)(cid:4)(cid:414)(cid:382)(cid:18)(cid:5)(cid:25)(cid:507) (cid:428)(cid:34)(cid:507) (cid:88)(cid:4)(cid:383)(cid:9)(cid:25)(cid:142)(cid:5)(cid:34)(cid:507)(cid:12)(cid:142)(cid:507) (cid:61)(cid:16)(cid:5)(cid:507) (cid:25)(cid:212)(cid:23)(cid:43)(cid:2)(cid:4)(cid:196)(cid:61)(cid:5)(cid:507)(cid:18)(cid:12)(cid:9)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:30)(cid:3)(cid:87)(cid:15)(cid:507) (cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507) (cid:59)(cid:5)(cid:490)(cid:3)(cid:18)(cid:5)(cid:507)
`surfaces [or transfer 01‘ the substrate containing the device
`(cid:25)(cid:54)(cid:4)(cid:423)(cid:18)(cid:409)(cid:25)(cid:507) (cid:27)(cid:8)(cid:4)(cid:207)(cid:119)(cid:15)(cid:16)(cid:507) (cid:1)(cid:9)(cid:507) (cid:12)(cid:496)(cid:151)(cid:15)(cid:5)(cid:60)(cid:507) (cid:46)(cid:4)(cid:507) (cid:51)(cid:1)(cid:27)(cid:24)(cid:34)(cid:507) (cid:89)(cid:1)(cid:17)(cid:12)(cid:4)(cid:507) (cid:18)(cid:46)(cid:60)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:60)(cid:3)(cid:60)(cid:15)(cid:507)
`surfaces through an oxygen or water vapor containing
`atmosphere or through another atmosphere containing
`(cid:22)(cid:2)(cid:7)(cid:31)(cid:50)(cid:17)(cid:16)(cid:48)(cid:4)(cid:11)(cid:507) (cid:31)(cid:4)(cid:507) (cid:2)(cid:8)(cid:4)(cid:31)(cid:54)(cid:15)(cid:8)(cid:507) (cid:1)(cid:9)(cid:31)(cid:2)(cid:16)(cid:11)(cid:34)(cid:507) (cid:22)(cid:27)(cid:7)(cid:31)(cid:478)(cid:38)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:11)(cid:507) (cid:115)(cid:44)(cid:60)(cid:2)(cid:22)(cid:3)(cid:9)(cid:3)(cid:9)(cid:15)(cid:507)
`(cid:38)(cid:12)(cid:2)(cid:410)(cid:30)(cid:2)(cid:20)(cid:1)(cid:14)(cid:507)(cid:18)(cid:12)(cid:30)(cid:2)(cid:1)(cid:7)(cid:20)(cid:30)(cid:1)(cid:117)(cid:2)(cid:25)(cid:507)(cid:25)(cid:54)(cid:18)(cid:16)(cid:507)(cid:1)(cid:25)(cid:507)(cid:88)(cid:8)(cid:34)(cid:12)(cid:54)(cid:15)(cid:8)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:11)(cid:507)(cid:2)(cid:4)(cid:1)(cid:30)(cid:25)(cid:415)(cid:413)(cid:4)(cid:507)(cid:18)(cid:8)(cid:1)(cid:7)(cid:23)(cid:5)(cid:34)(cid:507)
`potentialcontaminants such as through the transfer chamber
`of a cluster tool
`to which are connected CVD or other
`(cid:37)(cid:83)(cid:507) (cid:22)(cid:507) (cid:18)(cid:86)(cid:54)(cid:147)(cid:149)(cid:48)(cid:4)(cid:507) (cid:2)(cid:37)(cid:37)(cid:14)(cid:507) (cid:149)(cid:44)(cid:507) (cid:51)(cid:8)(cid:3)(cid:53)(cid:8)(cid:507) (cid:1)(cid:4)(cid:48)(cid:507) (cid:53)(cid:37)(cid:461)(cid:9)(cid:5)(cid:18)(cid:10)(cid:48)(cid:19)(cid:507) (cid:333)(cid:191)(cid:336)(cid:507) (cid:37)(cid:42)(cid:507) (cid:44)(cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:42)(cid:507)
`chemical processing modules, In the preferred embodiment,
`(cid:115)(cid:8)(cid:11)(cid:7)(cid:3)(cid:115)(cid:379)(cid:14)(cid:507)(cid:17)(cid:4)(cid:44)(cid:18)(cid:11)(cid:479)(cid:3)(cid:455)(cid:15)(cid:507)(cid:7)(cid:44)(cid:19)(cid:486)(cid:204)(cid:11)(cid:39)(cid:244)(cid:507)(cid:131)(cid:462)(cid:507)(cid:88)(cid:16)(cid:11)(cid:507)(cid:17)(cid:4)(cid:11)(cid:426)(cid:4)(cid:4)(cid:11)(cid:19)(cid:507)(cid:11)(cid:7)(cid:58)(cid:44)(cid:19)(cid:3)(cid:7)(cid:11)(cid:9)(cid:100)(cid:74)(cid:507)
`(cid:6)(cid:2)(cid:18)(cid:8)(cid:3)(cid:60)(cid:15)(cid:507)(cid:20)(cid:39)(cid:507)(cid:380)(cid:18)(cid:8)(cid:3)(cid:6)(cid:213)(cid:6)(cid:19)(cid:507)(cid:23)(cid:101)(cid:507) (cid:7)(cid:1)(cid:433)(cid:30)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:30)(cid:20)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:16)(cid:3)(cid:15)(cid:8)(cid:507)(cid:3)(cid:12)(cid:9)(cid:507) (cid:201)(cid:4)(cid:1)(cid:18)(cid:88)(cid:3)(cid:12)(cid:9)(cid:507)(cid:1)(cid:60)(cid:19)(cid:507)
`etching is achieved by maintaining a high ion fraction and
`high bombardment energy, for example, by applying a high
`(cid:16)(cid:3)(cid:15)(cid:8)(cid:507)(cid:58)(cid:46)(cid:7)(cid:23)(cid:22)(cid:4)(cid:19)(cid:7)(cid:5)(cid:87)(cid:2)(cid:507) (cid:11)(cid:9)(cid:5)(cid:4)(cid:15)(cid:101)(cid:74)(cid:507)(cid:83)(cid:12)(cid:4)(cid:507)(cid:11)(cid:214)(cid:1)(cid:445)(cid:17)(cid:41)(cid:11)(cid:103)(cid:507)(cid:23)(cid:73)(cid:507) (cid:1)(cid:17)(cid:17)(cid:14)(cid:73)(cid:3)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:16)(cid:3)(cid:15)(cid:8)(cid:507)
`(cid:456)(cid:24)(cid:15)(cid:22)(cid:2)(cid:20)(cid:89)(cid:24)(cid:507)(cid:23)(cid:20)(cid:1)(cid:50)(cid:507)(cid:27)(cid:46)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:24)(cid:507)(cid:50)(cid:211)(cid:58)(cid:49)(cid:2)(cid:4)(cid:22)(cid:2)(cid:24)(cid:47)(cid:507)(cid:46)(cid:38)(cid:24)(cid:4)(cid:1)(cid:27)(cid:434)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:27)(cid:431)(cid:24)(cid:507)(cid:38)(cid:14)(cid:22)(cid:49)(cid:7)(cid:1)(cid:507)(cid:20)(cid:9)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:9)(cid:24)(cid:2)(cid:507)
`negative bias to the substrate, operating the plasma in a net
`(cid:24)(cid:2)(cid:18)(cid:8)(cid:3)(cid:60)(cid:15)(cid:507)(cid:7)(cid:46)(cid:19)(cid:24)(cid:102)(cid:507)(cid:2)(cid:8)(cid:24)(cid:9)(cid:234)(cid:507)(cid:23)(cid:73)(cid:507)(cid:14)(cid:12)(cid:51)(cid:24)(cid:4)(cid:20)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:27)(cid:8)(cid:24)(cid:507)(cid:58)(cid:12)(cid:7)(cid:58)(cid:1)(cid:4)(cid:198)(cid:7)(cid:6)(cid:9)(cid:100)(cid:507)(cid:24)(cid:9)(cid:24)(cid:4)(cid:15)(cid:63)(cid:74)(cid:507)
`etching mode, then, by lowering the bombardment energy,
`(cid:420)(cid:208)(cid:4)(cid:507)(cid:5)(cid:215)(cid:196)(cid:7)(cid:38)(cid:14)(cid:11)(cid:507)(cid:23)(cid:63)(cid:507)(cid:14)(cid:12)(cid:51)(cid:5)(cid:4)(cid:3)(cid:87)(cid:15)(cid:507)(cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507)(cid:23)(cid:3)(cid:1)(cid:39)(cid:507)(cid:150)(cid:12)(cid:14)(cid:2)(cid:1)(cid:15)(cid:5)(cid:47)(cid:507)(cid:12)(cid:42)(cid:507)(cid:23)(cid:63)(cid:507)(cid:441)(cid:12)(cid:51)(cid:5)(cid:42)(cid:20)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507)
`for example by lowering the bias voltage, or by lowering the
`(cid:20)(cid:12)(cid:30)(cid:507) (cid:429)(cid:1)(cid:18)(cid:482)(cid:20)(cid:12)(cid:117)(cid:74)(cid:507) (cid:25)(cid:54)(cid:18)(cid:8)(cid:507) (cid:1)(cid:25)(cid:507) (cid:23)(cid:63)(cid:507) (cid:20)(cid:117)(cid:53)(cid:34)(cid:5)(cid:1)(cid:25)(cid:3)(cid:117)(cid:15)(cid:507) (cid:49)(cid:38)(cid:119)(cid:2)(cid:149)(cid:5)(cid:4)(cid:3)(cid:30)(cid:15)(cid:507) (cid:17)(cid:12)(cid:51)(cid:5)(cid:4)(cid:235)(cid:507) (cid:12)(cid:34)(cid:507)
`ion fraction, such as by increasing sputtering power, or
`decreasing plasma power, chamber pressure, a net deposi-
`(cid:19)(cid:11)(cid:18)(cid:34)(cid:24)(cid:22)(cid:50)(cid:3)(cid:30)(cid:15)(cid:507) (cid:17)(cid:14)(cid:22)(cid:49)(cid:7)(cid:22)(cid:507)(cid:17)(cid:31)(cid:51)(cid:11)(cid:4)(cid:236)(cid:507)(cid:53)(cid:8)(cid:1)(cid:7)(cid:23)(cid:24)(cid:4)(cid:507)(cid:38)(cid:4)(cid:11)(cid:50)(cid:49)(cid:62)(cid:4)(cid:11)(cid:47)(cid:507)(cid:22)(cid:507) (cid:60)(cid:11)(cid:27)(cid:507)(cid:59)(cid:11)(cid:17)(cid:31)(cid:49)(cid:3)(cid:506)
`(cid:27)(cid:3)(cid:31)(cid:9)(cid:507)(cid:44)(cid:84)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:11)(cid:507)(cid:7)(cid:11)(cid:2)(cid:22)(cid:14)(cid:507)(cid:23)(cid:73)(cid:507)(cid:131)(cid:134)(cid:191)(cid:184)(cid:507)(cid:3)(cid:210)(cid:507)(cid:23)(cid:4)(cid:31)(cid:62)(cid:15)(cid:8)(cid:2)(cid:507)(cid:22)(cid:23)(cid:31)(cid:62)(cid:2)(cid:163)(cid:507)
`tion of the metal by lPVD is brought about.
`(cid:29)(cid:31)(cid:120)(cid:45)(cid:99)(cid:77)(cid:93)(cid:101)(cid:112)(cid:5)(cid:120)(cid:29)(cid:120)(cid:46)(cid:111)(cid:118)(cid:92)(cid:103)(cid:89)(cid:120)(cid:66)(cid:91)(cid:85)(cid:85)(cid:114)(cid:112)(cid:120)
`22 Claims, 2 meing Sheets
`
`Pais'i
`
`.52?
`
`
`m\\\\\\
`
`
`
`IllllllIIIIII/Il\ll\/IIII\IIIII\I\/II\\I\I\\II\J\\
`(/2
`IV/
`a;
`
`
`
`
`“'2‘”-1;ILIIIE
`
`vrunny"%
`,,,.,,-,,P2.
`
`
`err/-
`
`
` W
`\\\\\
`
`
`
`
`\\\\\\\\\x\\\\\“‘\“\\\\
`
`(cid:7)(cid:1)(cid:2)(cid:6)(cid:6)(cid:3)(cid:8)
`(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:5)(cid:8)
`
`(cid:12)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:22)(cid:2)(cid:22)(cid:21)(cid:19)(cid:22)(cid:2)(cid:2)(cid:22)
`Page 1 of 11
`
`(cid:8)(cid:46)(cid:15)(cid:6)(cid:10)(cid:22)(cid:6)(cid:16)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:15)(cid:22)(cid:2)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:22)
`
`INTEL EXHIBIT 1010
`
`
`
`US. Patent
`
`Oct. 17, 2000
`
`Sheet 1 0f 2
`
`6,132,564
`
`L \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\
`//
`“\
`Z
`..;.'.;,;,;.‘
`."I--"I."l"'l--.
`
`"v7 .
`
`II
`
`/.""m7;
`
`=1;‘1
`
`.|\I\\i\l\|l\l\\I\\\\\|I\Itllli\l
`7/ng
`
`03:92:
`
`£103.52
`
`M.\
`
`.
`
`\\\\\\\
`
`§-W/////
`
`Page 2 ofll
`
`
`.\\\\\\\4\/\\\\\/\\\\\\/\/\.
`/\\\\\\\\\\\/
`
`\\\
`
`u—.0."—
`
`////////////////////////////////////
`
`raoolclalllttylaopa'o.
`
`'IIII-lllllll‘\§z
`
`7/4
`Vida
`. ..--.]/. ;\\\\\\\\\\\\\\
`\\\\\\\\\\\\\\\\\
`
`N.0.“—
`
`NV
`
`\N
`
`02:555.
`
`5.03.52
`
`30.:—m<o
`
`405.200
`
`‘\:\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\§\\\\\\\\\\\\\\§\§\\\\\\\E
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`US. Patent
`
`Oct. 17, 2000
`
`Sheet 2 on
`
`6,132,564
`
`
`
`Page 3 of 11
`
`
`
`6,132,564
`
`2
`the contacts by sputtering redistribute through the process
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`chamber or onto the walls of high aspect ratio features,
`where they do not interfere with the subsequent electrical
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`contact. Such a soft sputter etch is additionally beneficial in
`
`
`
`
`
`
`
`
`that it produces a uniform repeatable surface that facilitates
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`the manufacturable deposition of PVD and CVD films.
`The argon soft etch