throbber
(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:1)(cid:3)(cid:2)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:1)(cid:9)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:3)(cid:3)(cid:9)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:2)(cid:1)(cid:9)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:1)(cid:9)(cid:2)(cid:3)(cid:1)(cid:3)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:1)(cid:1)(cid:9)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:9)
`
`U5006132564A
`(cid:11)(cid:10)(cid:1)(cid:1)(cid:7)(cid:2)(cid:4)(cid:3)(cid:6)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:12)
`(cid:3)(cid:8)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:5)(cid:11)(cid:2)(cid:10)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:9)(cid:11)(cid:1)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:10)(cid:11) (cid:219)(cid:69)(cid:56)(cid:348)(cid:507)
`(cid:8)(cid:1)(cid:3)(cid:5)(cid:4)(cid:2)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)
`(cid:220)(cid:283)(cid:284)(cid:152) (cid:3)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:10)(cid:12) (cid:2)(cid:11)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:1)
`United States Patent
`[19]
`6,132,564
`[t 1] Patent Number:
`
` 7
`(cid:9)(cid:17)(cid:13)(cid:12)(cid:20)(cid:12)(cid:22)
`(cid:371)(cid:79)(cid:33)(cid:349)(cid:507) (cid:8)(cid:12)(cid:21)(cid:14)(cid:22)(cid:19)(cid:16)(cid:22)(cid:11)(cid:12)(cid:21)(cid:15)(cid:18)(cid:20)(cid:7)(cid:22)
`(cid:10)(cid:13)(cid:20)(cid:2)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:22)(cid:5)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:22)
`Licata
`[45] Date of Patent:
`Oct. 17 2000
`
`(cid:64)(cid:33)(cid:79)(cid:82)(cid:507)
`[54]
`
`(cid:57)(cid:62)(cid:6)(cid:66)(cid:54)(cid:68)(cid:71)(cid:120)(cid:64)(cid:65)(cid:47)(cid:7)(cid:61)(cid:47)(cid:68)(cid:43)(cid:58)(cid:58)(cid:54)(cid:76)(cid:43)(cid:68)(cid:54)(cid:63)(cid:62)(cid:120)(cid:45)(cid:60)(cid:47)(cid:43)(cid:62)(cid:120)(cid:43)(cid:62)(cid:46)(cid:120)
`[N-SITU PRE-METALLIZATION CLEAN AND
`(cid:61)(cid:49)(cid:69)(cid:43)(cid:59)(cid:59)(cid:55)(cid:75)(cid:43)(cid:69)(cid:55)(cid:63)(cid:62)(cid:120)(cid:63)(cid:51)(cid:120)(cid:66)(cid:48)(cid:61)(cid:56)(cid:45)(cid:63)(cid:62)(cid:46)(cid:71)(cid:45)(cid:69)(cid:63)(cid:65)(cid:120)
`nflgkyZMmN OF SEMICONDUCTOR
`(cid:74)(cid:43)(cid:52)(cid:49)(cid:65)(cid:66)(cid:120)
`'
`‘
`(cid:347)(cid:9)(cid:150)(cid:11)(cid:30)(cid:2)(cid:457)(cid:34)(cid:316)(cid:507) (cid:68)(cid:91)(cid:104)(cid:101)(cid:77)(cid:112)(cid:120)(cid:246)(cid:351)(cid:240)(cid:507)(cid:60)(cid:94)(cid:83)(cid:114)(cid:78)(cid:1)(cid:120)(cid:113)(cid:11)(cid:49)(cid:1)(cid:102)(cid:507)(cid:112)(cid:42)(cid:3)(cid:500)(cid:66)
`(cid:64)(cid:81)(cid:33)(cid:222)
`Inventor: Thomas J. Licata, Mesa, Ariz.
`[75]
`(cid:64)(cid:81)(cid:76)(cid:192)(cid:507) (cid:112)(cid:25)(cid:25)(cid:3)(cid:15)(cid:9)(cid:5)(cid:5)(cid:317)(cid:507) (cid:68)(cid:105)(cid:95)(cid:119)(cid:105)(cid:120)(cid:50)(cid:96)(cid:86)(cid:81)(cid:115)(cid:110)(cid:107)(cid:103)(cid:120)(cid:58)(cid:92)(cid:101)(cid:92)(cid:114)(cid:85)(cid:84)(cid:2)(cid:120)(cid:135)(cid:12)(cid:436)(cid:63)(cid:12)(cid:74)(cid:507)(cid:350)(cid:1)(cid:17)(cid:1)(cid:30)(cid:507)
`[73] Assignee: Tokyo Electron Limited, Tokyo, Japan
`
`(cid:64)(cid:33)(cid:129)(cid:82)(cid:507)
`[58]
`
`[56]
`(cid:64)(cid:33)(cid:303)(cid:82)(cid:507)
`
`(cid:64)(cid:40)(cid:107)(cid:192)(cid:507) (cid:112)(cid:17)(cid:38)(cid:14)(cid:52)(cid:507)(cid:114)(cid:12)(cid:52)(cid:318)(cid:507)(cid:25)(cid:38)(cid:22)(cid:39)(cid:36)(cid:28)(cid:3)(cid:67)(cid:72)(cid:120)
`[21] Appl. No.: 08/971,512
`(cid:62)(cid:105)(cid:117)(cid:8)(cid:120)(cid:26)(cid:35)(cid:4)(cid:120)(cid:26)(cid:40)(cid:40)(cid:35)(cid:120)
`(cid:342)(cid:3)(cid:205)(cid:11)(cid:19)(cid:319)(cid:507)
`(cid:372)(cid:40)(cid:40)(cid:152)(cid:507)
`[22
`Filed:
`Nov. 17, 1997
`(cid:57)(cid:102)(cid:114)(cid:13)(cid:120)(cid:45)(cid:97)(cid:13)(cid:37)(cid:120) (cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:10)(cid:9)(cid:16)(cid:16)(cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:10)(cid:16)(cid:18)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:18)(cid:10)(cid:18)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:19)(cid:11)(cid:17)(cid:10)(cid:11)(cid:16)(cid:20)(cid:10)(cid:10)(cid:11) (cid:20)(cid:18)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:21)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:16)(cid:10)(cid:16)(cid:10)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:16)(cid:10)(cid:120)(cid:45)(cid:29)(cid:32)(cid:45)(cid:120)(cid:26)(cid:33)(cid:23)(cid:32)(cid:33)(cid:120)
`(cid:64)(cid:33)(cid:107)(cid:82)(cid:507)
`[51]
`Int. Cl.7 ..................................................... C23C 14/34
`(cid:73)(cid:12)(cid:66)(cid:12)(cid:120)(cid:45)(cid:100)(cid:12)(cid:120) (cid:91)(cid:162)(cid:67)(cid:32)(cid:21)(cid:67)(cid:32)(cid:67)(cid:32)(cid:21)(cid:32)(cid:32)(cid:65)(cid:67)(cid:35)(cid:35)(cid:35)(cid:65)(cid:35)(cid:35)(cid:65)(cid:35)(cid:21)(cid:32)(cid:162)(cid:32)(cid:32)(cid:66)(cid:32)(cid:65)(cid:65)(cid:35)(cid:507) (cid:30)(cid:25)(cid:33)(cid:24)(cid:26)(cid:41)(cid:30)(cid:12)(cid:27)(cid:34)(cid:42)(cid:120)(cid:36)(cid:106)(cid:296)(cid:247)(cid:124)(cid:98)(cid:36)(cid:52)(cid:124)(cid:81)(cid:320)(cid:507)
`(cid:64)(cid:33)(cid:36)(cid:82)(cid:507)
`[52] US. Cl.
`..
`.204/192.15,204/192. 17,
`204/19225;204/192.3; 20429835; 216/‘37
`(cid:40)(cid:106)(cid:79)(cid:248)(cid:274)(cid:98)(cid:40)(cid:66)(cid:40)(cid:33)(cid:183)(cid:507) (cid:40)(cid:106)(cid:297)(cid:249)(cid:107)(cid:98)(cid:40)(cid:241)(cid:76)(cid:321)(cid:507) (cid:40)(cid:271)(cid:265)(cid:289)(cid:98)(cid:311)(cid:66)(cid:76)(cid:33)(cid:183)(cid:507)(cid:40)(cid:107)(cid:176)(cid:250)(cid:76)(cid:81)(cid:507)
`(cid:53)(cid:92)(cid:85)(cid:98)(cid:84)(cid:120)(cid:106)(cid:88)(cid:120)(cid:66)(cid:85)(cid:79)(cid:108)(cid:82)(cid:90)(cid:120) (cid:21)(cid:21)(cid:52)(cid:35)(cid:21)(cid:35)(cid:21)(cid:21)(cid:66)(cid:123)(cid:32)(cid:66)(cid:66)(cid:32)(cid:32)(cid:35)(cid:21)(cid:21)(cid:52)(cid:35)(cid:65)(cid:35)(cid:35)(cid:21)(cid:52)(cid:507) (cid:36)(cid:167)(cid:79)(cid:251)(cid:69)(cid:56)(cid:36)(cid:52)(cid:69)(cid:33)(cid:47)(cid:507) (cid:124)(cid:56)(cid:36)(cid:21)(cid:275)(cid:81)(cid:103)(cid:507)
`Field of Search ......................... 204/19215, 192.17,
`204/19225, 192.3, 298.25, 192.32, 192.13,
`(cid:36)(cid:167)(cid:79)(cid:252)(cid:276)(cid:56)(cid:36)(cid:68)(cid:36)(cid:33)(cid:47)(cid:507)(cid:69)(cid:56)(cid:36)(cid:32)(cid:125)(cid:103)(cid:507)(cid:36)(cid:98)(cid:129)(cid:65)(cid:36)(cid:33)(cid:47)(cid:507)(cid:69)(cid:56)(cid:36)(cid:68)(cid:125)(cid:36)(cid:47)(cid:507)(cid:69)(cid:56)(cid:36)(cid:32)(cid:285)(cid:125)(cid:223)(cid:507)
`298.35, 298.05; 438/582; 216/37
`(cid:40)(cid:56)(cid:109)(cid:67)(cid:76)(cid:33)(cid:102)(cid:507)(cid:40)(cid:56)(cid:109)(cid:21)(cid:106)(cid:33)(cid:322)(cid:507) (cid:79)(cid:290)(cid:109)(cid:253)(cid:33)(cid:109)(cid:40)(cid:323)(cid:507) (cid:40)(cid:69)(cid:176)(cid:254)(cid:76)(cid:81)(cid:507)
`(cid:65)(cid:85)(cid:88)(cid:85)(cid:109)(cid:87)(cid:102)(cid:80)(cid:85)(cid:113)(cid:120)(cid:45)(cid:93)(cid:116)(cid:85)(cid:84)(cid:120)
`References Cited
`U.S. PA'I‘ENT DOCUMENTS
`(cid:368)(cid:21)(cid:362)(cid:65)(cid:507)(cid:134)(cid:327)(cid:367)(cid:337)(cid:352)(cid:365)(cid:507)(cid:184)(cid:133)(cid:331)(cid:369)(cid:113)(cid:338)(cid:114)(cid:136)(cid:189)(cid:507)
`10/1992 Ohmi .
`Re, 34,106
`(cid:360)(cid:72)(cid:121)(cid:507)(cid:77)(cid:26)(cid:153)(cid:10)(cid:272)(cid:507) (cid:10)(cid:75)(cid:92)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:94)(cid:507) (cid:353)(cid:385)(cid:443)(cid:85) (cid:52)(cid:507)
`3,594,295
`7/1971 Meckel et al. .
`(cid:77)(cid:90)(cid:28)(cid:111)(cid:26)(cid:90)(cid:94)(cid:111)(cid:28)(cid:507)
`(cid:97)(cid:255)(cid:10)(cid:13)(cid:180)(cid:108)(cid:507)
`(cid:132)(cid:72)(cid:391)(cid:143)(cid:72)(cid:116)(cid:507)(cid:72)(cid:148)(cid:507)(cid:1)(cid:41)(cid:245)(cid:507)
`4,250,009
`2/1981 Cuomo e1a1,.
`(cid:171)(cid:92)(cid:10)(cid:13)(cid:29)(cid:277)(cid:507)
`(cid:334)(cid:487)(cid:458)(cid:144)(cid:459)(cid:507)(cid:396)(cid:480)(cid:507)(cid:373)(cid:116)(cid:121)(cid:122)(cid:507)
`(cid:26)(cid:224)(cid:171)(cid:175)(cid:267)(cid:225)(cid:268)(cid:269)(cid:13)(cid:507)
`4,464,223
`8/1984 (lorin.
`(cid:186)(cid:145)(cid:209)(cid:203)(cid:206)(cid:52)(cid:507)
`(cid:29)(cid:256)(cid:10)(cid:13)(cid:110)(cid:127)(cid:507)
`(cid:26)(cid:154)(cid:26)(cid:71)(cid:26)(cid:120)(cid:172)(cid:172)(cid:291)(cid:507)
`(cid:363)(cid:61)(cid:199)(cid:144)(cid:17)(cid:41)(cid:397)(cid:507) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:2)(cid:5)(cid:2)(cid:1)(cid:14)(cid:3)(cid:1)(cid:6)(cid:1)(cid:3)(cid:3)(cid:1)(cid:16)(cid:91)(cid:21)(cid:163)(cid:21)(cid:21)(cid:123)(cid:507)(cid:10)(cid:174)(cid:80)(cid:257)(cid:128)(cid:299)(cid:292)(cid:507)
`4,585,517
`4/1986 Stemplc
`156/643
`(cid:26)(cid:45)(cid:28)(cid:29)(cid:28)(cid:45)(cid:174)(cid:108)(cid:55)(cid:507)
`(cid:298)(cid:105)(cid:10)(cid:13)(cid:29)(cid:179)(cid:507)
`4,844,775
`7/1989 chblt: .
`(cid:26)(cid:90)(cid:110)(cid:95)(cid:26)(cid:90)(cid:55)(cid:55)(cid:28)(cid:507)
`(cid:187)(cid:398)(cid:399)(cid:386)(cid:116)(cid:400)(cid:21)(cid:507)
`(cid:97)(cid:164)(cid:10)(cid:13)(cid:29)(cid:13)(cid:507)
`4,863,549
`9/1989 (Prunwald .
`(cid:186)(cid:473)(cid:212)(cid:446)(cid:491)(cid:99)(cid:41)(cid:394)(cid:122)(cid:507)
`(cid:13)(cid:165)(cid:10)(cid:13)(cid:110)(cid:57)(cid:507)
`(cid:26)(cid:45)(cid:110)(cid:71)(cid:293)(cid:120)(cid:301)(cid:26)(cid:57)(cid:507)
`4,925,542
`5/1990 Kidd.
`(cid:28)(cid:92)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:93)(cid:507)
`(cid:187)(cid:85)(cid:197)(cid:197) (cid:91)(cid:507)
`(cid:26)(cid:155)(cid:181)(cid:173)(cid:28)(cid:155)(cid:175)(cid:26)(cid:288)(cid:507)
`4,999,096
`3/1991 Nihei el al.
`.
`(cid:77)(cid:258)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:108)(cid:507)
`(cid:26)(cid:104)(cid:181)(cid:313)(cid:13)(cid:104)(cid:273)(cid:177)(cid:507)
`(cid:1)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:7)(cid:13)(cid:401)(cid:481)(cid:507)(cid:137)(cid:41)(cid:67) (cid:35)(cid:507)
`5,178,739
`1.’1993 Barnes et al.
`.
`(cid:70)(cid:45)(cid:10)(cid:304)(cid:29)(cid:45)(cid:305)(cid:78)(cid:314)(cid:507)
`(cid:329)(cid:381)(cid:474)(cid:72)(cid:475)(cid:507)(cid:72)(cid:437)(cid:507)(cid:193)(cid:438)(cid:507)(cid:159)(cid:67)(cid:507)
`(cid:278)(cid:166)(cid:10)(cid:57)(cid:13)(cid:78)(cid:507)
`5,401,350
`3/1995 Patrick el al .
`(cid:96)(cid:156)(cid:95)(cid:270)(cid:10)(cid:153)(cid:77)(cid:96)(cid:75)(cid:507)
`(cid:355)(cid:193)(cid:61)(cid:146)(cid:85)(cid:392)(cid:143)(cid:507)(cid:72)(cid:118)(cid:507)(cid:194)(cid:41)(cid:161)(cid:507)(cid:52)(cid:507)
`(cid:77)(cid:92)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:96)(cid:507)
`5,431,799
`7/ 1995 Mosely et al.
`.
`(cid:97)(cid:105)(cid:10)(cid:57)(cid:13)(cid:28)(cid:507)
`(cid:28)(cid:45)(cid:26)(cid:294)(cid:10)(cid:226)(cid:55)(cid:182)(cid:13)(cid:507)
`(cid:132)(cid:460)(cid:476)(cid:140)(cid:41)(cid:497)(cid:507)(cid:140)(cid:148)(cid:507)(cid:195)(cid:41)(cid:91)(cid:507)
`5,449,432
`9/1995 lianawa
`(cid:345)(cid:137)(cid:447)(cid:137)(cid:492)(cid:99) (cid:68)(cid:507)
`(cid:130)(cid:165)(cid:10)(cid:57)(cid:130)(cid:70)(cid:507)
`(cid:70)(cid:157)(cid:26)(cid:95)(cid:57)(cid:157)(cid:26)(cid:126)(cid:94)(cid:507)
`5,468,296
`11/1995 Patrick cl al.
`.
`(cid:28)(cid:45)(cid:26)(cid:71)(cid:29)(cid:45)(cid:173)(cid:182)(cid:71)(cid:507) (cid:10)(cid:170)(cid:262)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:28)(cid:507)
`(cid:356)(cid:374)(cid:61)(cid:146)(cid:85)(cid:388)(cid:143)(cid:507)(cid:402)(cid:118)(cid:507)(cid:194)(cid:41)(cid:21)(cid:507)
`5.540.800
`7/1996 Oian .
`(cid:96)(cid:227)(cid:28)(cid:300)(cid:75)(cid:228)(cid:29)(cid:169)(cid:507)
`(cid:97)(cid:92)(cid:10)(cid:13)(cid:111)(cid:80)(cid:507)
`(cid:359)(cid:85)(cid:1)(cid:206)(cid:21)(cid:507)
`5,540,824
`7/1996 Yin et al. .
`(cid:96)(cid:90)(cid:28)(cid:95)(cid:75)(cid:120)(cid:29)(cid:94)(cid:127)(cid:507)
`(cid:3)(cid:8)(cid:10)(cid:13)(cid:403)(cid:148)(cid:507)(cid:1)(cid:41)(cid:122)(cid:91)(cid:507)
`(cid:97)(cid:164)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:177)(cid:507)
`5,560,776
`[0/1996 Sttgai ct nl. .
`(cid:70)(cid:154)(cid:28)(cid:71)(cid:93)(cid:45)(cid:55)(cid:55)(cid:71)(cid:507) (cid:10)(cid:93)(cid:166)(cid:10)(cid:57)(cid:217)(cid:507)
`(cid:364)(cid:485)(cid:430)(cid:375)(cid:203)(cid:507)(cid:404)(cid:484)(cid:507)(cid:376)(cid:41)(cid:35) (cid:21)(cid:507)
`5,569,363 [0/1996 Bayer et al. .
`(cid:330)(cid:1)(cid:63)(cid:405)(cid:146)(cid:507)(cid:406)(cid:439)(cid:507)(cid:1)(cid:41)(cid:507)(cid:160)(cid:68)(cid:507)
`(cid:28)(cid:45)(cid:28)(cid:178)(cid:13)(cid:45)(cid:78)(cid:128)(cid:78)(cid:507) (cid:10)(cid:93)(cid:259)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:178)(cid:507)
`5,747,384
`5/1998 Miyamolo .
`(cid:28)(cid:105)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:29)(cid:507)
`(cid:132)(cid:85)(cid:498)(cid:377)(cid:444)(cid:145)(cid:118)(cid:145)(cid:160)(cid:507)
`(cid:28)(cid:45)(cid:306)(cid:95)(cid:55)(cid:104)(cid:78)(cid:29)(cid:127)(cid:507)
`5,755,888
`5/1998 Toriictal.
`(cid:28)(cid:260)(cid:10)(cid:57)(cid:57)(cid:29)(cid:507)
`(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:9)(cid:9)(cid:13)(cid:389)(cid:61)(cid:507)(cid:99)(cid:116)(cid:32)(cid:507) (cid:32)(cid:123)(cid:507)
`(cid:70)(cid:158)(cid:180)(cid:302)(cid:70)(cid:158)(cid:312)(cid:507)
`5,834,371
`11/1998 Ameen ct al. .
`(cid:28)(cid:156)(cid:29)(cid:295)(cid:26)(cid:229)(cid:78)(cid:55)(cid:10)(cid:507) (cid:10)(cid:108)(cid:105)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:29)(cid:507)
`(cid:328)(cid:144)(cid:140)(cid:199)(cid:448)(cid:507)(cid:407)(cid:61)(cid:507)(cid:195)(cid:41)(cid:507)(cid:21) (cid:21)
`
`118/719
`(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:6)(cid:6)(cid:15)(cid:11)(cid:12)(cid:12)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:6)(cid:7)(cid:16) (cid:170)(cid:10)(cid:129)(cid:266)(cid:55)(cid:10)(cid:315)(cid:507)
`
`(cid:343)(cid:133)(cid:361)(cid:339)(cid:131)(cid:344)(cid:114)(cid:507)(cid:357)(cid:324)(cid:366)(cid:185)(cid:188)(cid:135)(cid:507)(cid:335)(cid:133)(cid:332)(cid:370)(cid:113)(cid:185)(cid:188)(cid:190)(cid:189)(cid:507)
`FOREIGN PATENT DOCUMENTS
`0536664
`4/1993
`l’uropean pm. on,
`(cid:93)(cid:70)(cid:126)(cid:71)(cid:128)(cid:179)(cid:26)(cid:507)
`(cid:341)(cid:488)(cid:209)(cid:465)(cid:469)(cid:99)(cid:449)(cid:507)(cid:358)(cid:99)(cid:483)(cid:68)(cid:507)(cid:354)(cid:416)(cid:417)(cid:507)(cid:68)(cid:242)(cid:507)
`(cid:26)(cid:263)(cid:10)(cid:13)(cid:130)(cid:126)(cid:507)
`61-190070
`8/1986
`Japan.
`(cid:80)(cid:279)(cid:237)(cid:10)(cid:13)(cid:169)(cid:307)(cid:75)
`(cid:29)(cid:264)(cid:10)(cid:13)(cid:29)(cid:80)(cid:507) (cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:2)(cid:8)
`0817682
`7/1996
`Japan.
`(cid:309)(cid:261)(cid:10)(cid:111)(cid:13)(cid:80)(cid:507) (cid:3)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:1)(cid:8)
`(cid:75)(cid:29)(cid:10)(cid:308)(cid:80)(cid:29)(cid:94)(cid:77)
`(cid:3)(cid:16)(cid:9)(cid:11)(cid:4)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:7)(cid:15)(cid:1)(cid:6)(cid:17)(cid:10)(cid:6)(cid:20)(cid:114)(cid:62)(cid:501)(cid:502)(cid:44)(cid:14)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:44)(cid:507)
`Primary Examiner—Maria Nuzzolillo
`Assistant Examiner—Julian A. Mercado
`(cid:6)(cid:33)(cid:33)(cid:18)(cid:33)(cid:34)(cid:10)(cid:24)(cid:35)(cid:41)(cid:7)(cid:11)(cid:22)(cid:18)(cid:24)(cid:14)(cid:30)(cid:5)(cid:39)(cid:21)(cid:20)(cid:12)(cid:25)(cid:41)(cid:325)(cid:507)(cid:113)(cid:11)(cid:4)(cid:18)(cid:1)(cid:59)(cid:12)(cid:507)
`(cid:6)(cid:37)(cid:38)(cid:27)(cid:32)(cid:26)(cid:16)(cid:40)(cid:1)(cid:41)(cid:6)(cid:17)(cid:15)(cid:24)(cid:36)(cid:2)(cid:41) (cid:27)(cid:31)(cid:41)(cid:8)(cid:19)(cid:31)(cid:23)(cid:4)(cid:9)(cid:28)(cid:29)(cid:13)(cid:3)(cid:41)(cid:346)(cid:6)(cid:4)(cid:4)(cid:31)(cid:9)(cid:507)(cid:218)(cid:507) (cid:340)(cid:150)(cid:1)(cid:9)(cid:49)(cid:47)(cid:507)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:1)(cid:6)
`Alter/18y, Age/II, or Firm—Wood, Elerron & L'vans, L.L.l’.
`(cid:43)(cid:44)(cid:66)(cid:69)(cid:65)(cid:43)(cid:45)(cid:70)(cid:120)
`(cid:221)(cid:33)(cid:310)(cid:82)(cid:507)
`[57]
`ABSTRACT
`(cid:326)(cid:507)(cid:7)(cid:48)(cid:2)(cid:16)(cid:37)(cid:19)(cid:507)(cid:3)(cid:39)(cid:507) (cid:467)(cid:4)(cid:37)(cid:89)(cid:20)(cid:19)(cid:48)(cid:59)(cid:507) (cid:37)(cid:83)(cid:507) (cid:53)(cid:442)(cid:48)(cid:22)(cid:9)(cid:20)(cid:30)(cid:15)(cid:507) (cid:19)(cid:48)(cid:89)(cid:20)(cid:53)(cid:48)(cid:507) (cid:39)(cid:54)(cid:4)(cid:200)(cid:384)(cid:53)(cid:48)(cid:39)(cid:507) (cid:419)(cid:208)(cid:4)(cid:507) (cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507)
`A method is provided of cleaning device surfaces for the
`(cid:7)(cid:6)(cid:2)(cid:1)(cid:14)(cid:14)(cid:20)(cid:505)(cid:1)(cid:2)(cid:20)(cid:37)(cid:450)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:6)(cid:4)(cid:48)(cid:37)(cid:84)(cid:507)(cid:138)(cid:63)(cid:507)(cid:2)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:408)(cid:507)(cid:147)(cid:54)(cid:4)(cid:83)(cid:1)(cid:53)(cid:6)(cid:39)(cid:507)(cid:3)(cid:87)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:53)(cid:8)(cid:1)(cid:7)(cid:138)(cid:6)(cid:42)(cid:507)
`metallization thereof by treating the surfaces in a chamber
`(cid:6)(cid:472)(cid:62)(cid:3)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:19)(cid:507) (cid:201)(cid:37)(cid:42)(cid:507) (cid:3)(cid:12)(cid:9)(cid:3)(cid:503)(cid:6)(cid:19)(cid:507) (cid:17)(cid:16)(cid:73)(cid:39)(cid:3)(cid:18)(cid:22)(cid:14)(cid:507) (cid:213)(cid:1)(cid:17)(cid:12)(cid:4)(cid:507) (cid:19)(cid:6)(cid:468)(cid:37)(cid:39)(cid:3)(cid:2)(cid:3)(cid:46)(cid:451)(cid:507) (cid:12)(cid:42)(cid:507) (cid:37)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:42)(cid:507)
`equipped for ionized physical vapor deposition or other
`(cid:38)(cid:14)(cid:22)(cid:43)(cid:7)(cid:22)(cid:238)(cid:23)(cid:1)(cid:43)(cid:6)(cid:19)(cid:507) (cid:7)(cid:6)(cid:27)(cid:1)(cid:86)(cid:507) (cid:19)(cid:6)(cid:38)(cid:37)(cid:43)(cid:3)(cid:2)(cid:3)(cid:31)(cid:87)(cid:507) (cid:17)(cid:4)(cid:12)(cid:393)(cid:49)(cid:25)(cid:159)(cid:507)(cid:190)(cid:8)(cid:6)(cid:507) (cid:39)(cid:62)(cid:4)(cid:422)(cid:18)(cid:6)(cid:43)(cid:507) (cid:22)(cid:4)(cid:6)(cid:507)
`plasma-based metal deposition process. The surfaces are
`plasma etched, preferably in a chamber in which the next
`(cid:38)(cid:14)(cid:1)(cid:50)(cid:7)(cid:1)(cid:507)(cid:6)(cid:2)(cid:139)(cid:16)(cid:6)(cid:59)(cid:47)(cid:507)(cid:17)(cid:42)(cid:6)(cid:424)(cid:42)(cid:1)(cid:387)(cid:86)(cid:73)(cid:507)(cid:3)(cid:452)(cid:507)(cid:1)(cid:507) (cid:139)(cid:16)(cid:1)(cid:7)(cid:23)(cid:6)(cid:4)(cid:507)(cid:3)(cid:9)(cid:507)(cid:51)(cid:8)(cid:3)(cid:139)(cid:16)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:6)(cid:507)(cid:453)(cid:6)(cid:214)(cid:2)(cid:507)
`(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:1)(cid:41)(cid:507)(cid:14)(cid:1)(cid:101)(cid:24)(cid:4)(cid:507)(cid:3)(cid:50)(cid:507)(cid:2)(cid:31)(cid:507)(cid:58)(cid:24)(cid:507)(cid:59)(cid:24)(cid:470)(cid:50)(cid:20)(cid:27)(cid:24)(cid:59)(cid:507)(cid:168)(cid:286)(cid:287)(cid:280)(cid:168)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:24)(cid:507)(cid:50)(cid:62)(cid:4)(cid:84)(cid:1)(cid:18)(cid:24)(cid:50)(cid:21)(cid:507)(cid:112)(cid:205)(cid:50)(cid:44)(cid:507)(cid:46)(cid:34)(cid:507)(cid:3)(cid:9)(cid:507)
`metal layer is to be deposited onto the surfaces. Also or in
`the alternative, the surfaces are plasma etched with a plasma
`(cid:27)(cid:8)(cid:5)(cid:507)(cid:1)(cid:14)(cid:2)(cid:5)(cid:4)(cid:9)(cid:1)(cid:118)(cid:3)(cid:89)(cid:5)(cid:47)(cid:507)(cid:440)(cid:16)(cid:5)(cid:507)(cid:43)(cid:54)(cid:34)(cid:142)(cid:1)(cid:18)(cid:5)(cid:239)(cid:25)(cid:507)(cid:1)(cid:4)(cid:5)(cid:507)(cid:17)(cid:14)(cid:1)(cid:43)(cid:7)(cid:1)(cid:507)(cid:5)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:5)(cid:59)(cid:507)(cid:51)(cid:3)(cid:2)(cid:8)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:17)(cid:14)(cid:1)(cid:25)(cid:7)(cid:1)(cid:507)
`(cid:18)(cid:12)(cid:9)(cid:61)(cid:1)(cid:3)(cid:9)(cid:20)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:20)(cid:12)(cid:30)(cid:25)(cid:507)(cid:207)(cid:84)(cid:507)(cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507)(cid:7)(cid:5)(cid:27)(cid:1)(cid:14)(cid:507)(cid:27)(cid:12)(cid:507)(cid:23)(cid:5)(cid:507)(cid:19)(cid:5)(cid:471)(cid:25)(cid:20)(cid:2)(cid:5)(cid:19)(cid:21)(cid:507)(cid:134)(cid:4)(cid:5)(cid:202)(cid:412)(cid:34)(cid:1)(cid:23)(cid:14)(cid:101)(cid:507)(cid:1)(cid:14)(cid:25)(cid:12)(cid:230)(cid:507)
`containing ions of the metal to be deposited. Preferably also,
`(cid:27)(cid:8)(cid:141)(cid:507) (cid:141)(cid:2)(cid:390)(cid:16)(cid:3)(cid:30)(cid:15)(cid:507)(cid:17)(cid:34)(cid:12)(cid:18)(cid:5)(cid:25)(cid:243)(cid:25)(cid:507)(cid:3)(cid:25)(cid:507)(cid:202)(cid:463)(cid:14)(cid:14)(cid:12)(cid:493)(cid:141)(cid:198)(cid:507)(cid:58)(cid:151)(cid:507)(cid:19)(cid:5)(cid:17)(cid:12)(cid:25)(cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:22)(cid:507)(cid:418)(cid:435)(cid:14)(cid:7)(cid:507)(cid:12)(cid:84)(cid:507) (cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507)
`the etching process is followed by depositing a film of the
`(cid:7)(cid:11)(cid:100)(cid:22)(cid:86)(cid:104)(cid:507) (cid:38)(cid:34)(cid:11)(cid:425)(cid:34)(cid:22)(cid:23)(cid:14)(cid:101)(cid:507) (cid:23)(cid:151)(cid:507)(cid:3)(cid:31)(cid:9)(cid:3)(cid:504)(cid:11)(cid:19)(cid:507)(cid:38)(cid:8)(cid:63)(cid:210)(cid:3)(cid:115)(cid:1)(cid:14)(cid:507) (cid:89)(cid:1)(cid:17)(cid:31)(cid:4)(cid:507)(cid:19)(cid:11)(cid:17)(cid:31)(cid:49)(cid:3)(cid:2)(cid:3)(cid:44)(cid:30)(cid:74)(cid:507)(cid:3)(cid:9)(cid:507)
`metal, preferably by ionized physical vapor deposition, in
`the chamber, The metal may, for example, be titanium that
`(cid:27)(cid:8)(cid:5)(cid:507)(cid:18)(cid:8)(cid:1)(cid:7)(cid:138)(cid:11)(cid:42)(cid:161)(cid:507)(cid:135)(cid:16)(cid:5)(cid:507)(cid:7)(cid:11)(cid:2)(cid:1)(cid:204)(cid:507)(cid:7)(cid:1)(cid:73)(cid:103)(cid:507)(cid:83)(cid:44)(cid:4)(cid:507)(cid:11)(cid:495)(cid:1)(cid:7)(cid:17)(cid:86)(cid:11)(cid:47)(cid:507)(cid:58)(cid:11)(cid:507)(cid:2)(cid:20)(cid:2)(cid:22)(cid:9)(cid:432)(cid:62)(cid:7)(cid:507)(cid:88)(cid:16)(cid:378)(cid:2)(cid:507)
`(cid:20)(cid:39)(cid:507)(cid:39)(cid:17)(cid:211)(cid:27)(cid:2)(cid:6)(cid:42)(cid:6)(cid:59)(cid:507)(cid:421)(cid:4)(cid:37)(cid:7)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:281)(cid:1)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:2)(cid:507)(cid:51)(cid:20)(cid:2)(cid:16)(cid:3)(cid:30)(cid:507)(cid:27)(cid:8)(cid:6)(cid:507)(cid:53)(cid:16)(cid:1)(cid:7)(cid:23)(cid:6)(cid:4)(cid:68)(cid:507)(cid:136)(cid:16)(cid:6)(cid:507)(cid:38)(cid:4)(cid:466)(cid:6)(cid:147)(cid:39)(cid:507)(cid:44)(cid:200)(cid:507)
`is sputtered from a target within the chamber. The process of
`(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:46)(cid:39)(cid:3)(cid:27)(cid:3)(cid:454)(cid:15)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:6)(cid:507)(cid:7)(cid:6)(cid:2)(cid:1)(cid:14)(cid:102)(cid:507)(cid:51)(cid:16)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:507)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:507)(cid:7)(cid:6)(cid:282)(cid:22)(cid:14)(cid:507)(cid:20)(cid:39)(cid:507) (cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:1)(cid:87)(cid:20)(cid:62)(cid:7)(cid:231)(cid:507)(cid:7)(cid:1)(cid:499)(cid:232)(cid:507)(cid:427)(cid:42)(cid:507)
`depositing the metal, where the metal is titanium, may, for
`(cid:6)(cid:215)(cid:1)(cid:7)(cid:38)(cid:14)(cid:6)(cid:233)(cid:507)(cid:23)(cid:6)(cid:507)(cid:83)(cid:464)(cid:14)(cid:14)(cid:12)(cid:494)(cid:411)(cid:395)(cid:507)(cid:58)(cid:216)(cid:507)(cid:100)(cid:16)(cid:6)(cid:507)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:46)(cid:43)(cid:3)(cid:2)(cid:3)(cid:46)(cid:9)(cid:507)(cid:46)(cid:84)(cid:507)(cid:22)(cid:507)(cid:88)(cid:3)(cid:100)(cid:1)(cid:9)(cid:3)(cid:119)(cid:7)(cid:507)(cid:30)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:3)(cid:19)(cid:6)(cid:507)
`example, be followed by the deposition of a titanium nitride
`layer, The process steps may be used to passivate the
`(cid:86)(cid:1)(cid:216)(cid:5)(cid:4)(cid:121)(cid:507)(cid:136)(cid:16)(cid:5)(cid:507) (cid:17)(cid:4)(cid:12)(cid:18)(cid:5)(cid:43)(cid:477)(cid:507) (cid:43)(cid:2)(cid:5)(cid:17)(cid:43)(cid:507) (cid:7)(cid:1)(cid:63)(cid:507) (cid:23)(cid:11)(cid:507) (cid:119)(cid:49)(cid:5)(cid:19)(cid:507) (cid:27)(cid:31)(cid:507) (cid:17)(cid:1)(cid:43)(cid:43)(cid:3)(cid:489)(cid:1)(cid:61)(cid:5)(cid:507) (cid:2)(cid:8)(cid:11)(cid:507)
`(cid:43)(cid:54)(cid:4)(cid:414)(cid:382)(cid:18)(cid:5)(cid:25)(cid:507) (cid:428)(cid:34)(cid:507) (cid:88)(cid:4)(cid:383)(cid:9)(cid:25)(cid:142)(cid:5)(cid:34)(cid:507)(cid:12)(cid:142)(cid:507) (cid:61)(cid:16)(cid:5)(cid:507) (cid:25)(cid:212)(cid:23)(cid:43)(cid:2)(cid:4)(cid:196)(cid:61)(cid:5)(cid:507)(cid:18)(cid:12)(cid:9)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:30)(cid:3)(cid:87)(cid:15)(cid:507) (cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507) (cid:59)(cid:5)(cid:490)(cid:3)(cid:18)(cid:5)(cid:507)
`surfaces [or transfer 01‘ the substrate containing the device
`(cid:25)(cid:54)(cid:4)(cid:423)(cid:18)(cid:409)(cid:25)(cid:507) (cid:27)(cid:8)(cid:4)(cid:207)(cid:119)(cid:15)(cid:16)(cid:507) (cid:1)(cid:9)(cid:507) (cid:12)(cid:496)(cid:151)(cid:15)(cid:5)(cid:60)(cid:507) (cid:46)(cid:4)(cid:507) (cid:51)(cid:1)(cid:27)(cid:24)(cid:34)(cid:507) (cid:89)(cid:1)(cid:17)(cid:12)(cid:4)(cid:507) (cid:18)(cid:46)(cid:60)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:60)(cid:3)(cid:60)(cid:15)(cid:507)
`surfaces through an oxygen or water vapor containing
`atmosphere or through another atmosphere containing
`(cid:22)(cid:2)(cid:7)(cid:31)(cid:50)(cid:17)(cid:16)(cid:48)(cid:4)(cid:11)(cid:507) (cid:31)(cid:4)(cid:507) (cid:2)(cid:8)(cid:4)(cid:31)(cid:54)(cid:15)(cid:8)(cid:507) (cid:1)(cid:9)(cid:31)(cid:2)(cid:16)(cid:11)(cid:34)(cid:507) (cid:22)(cid:27)(cid:7)(cid:31)(cid:478)(cid:38)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:11)(cid:507) (cid:115)(cid:44)(cid:60)(cid:2)(cid:22)(cid:3)(cid:9)(cid:3)(cid:9)(cid:15)(cid:507)
`(cid:38)(cid:12)(cid:2)(cid:410)(cid:30)(cid:2)(cid:20)(cid:1)(cid:14)(cid:507)(cid:18)(cid:12)(cid:30)(cid:2)(cid:1)(cid:7)(cid:20)(cid:30)(cid:1)(cid:117)(cid:2)(cid:25)(cid:507)(cid:25)(cid:54)(cid:18)(cid:16)(cid:507)(cid:1)(cid:25)(cid:507)(cid:88)(cid:8)(cid:34)(cid:12)(cid:54)(cid:15)(cid:8)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:11)(cid:507)(cid:2)(cid:4)(cid:1)(cid:30)(cid:25)(cid:415)(cid:413)(cid:4)(cid:507)(cid:18)(cid:8)(cid:1)(cid:7)(cid:23)(cid:5)(cid:34)(cid:507)
`potentialcontaminants such as through the transfer chamber
`of a cluster tool
`to which are connected CVD or other
`(cid:37)(cid:83)(cid:507) (cid:22)(cid:507) (cid:18)(cid:86)(cid:54)(cid:147)(cid:149)(cid:48)(cid:4)(cid:507) (cid:2)(cid:37)(cid:37)(cid:14)(cid:507) (cid:149)(cid:44)(cid:507) (cid:51)(cid:8)(cid:3)(cid:53)(cid:8)(cid:507) (cid:1)(cid:4)(cid:48)(cid:507) (cid:53)(cid:37)(cid:461)(cid:9)(cid:5)(cid:18)(cid:10)(cid:48)(cid:19)(cid:507) (cid:333)(cid:191)(cid:336)(cid:507) (cid:37)(cid:42)(cid:507) (cid:44)(cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:42)(cid:507)
`chemical processing modules, In the preferred embodiment,
`(cid:115)(cid:8)(cid:11)(cid:7)(cid:3)(cid:115)(cid:379)(cid:14)(cid:507)(cid:17)(cid:4)(cid:44)(cid:18)(cid:11)(cid:479)(cid:3)(cid:455)(cid:15)(cid:507)(cid:7)(cid:44)(cid:19)(cid:486)(cid:204)(cid:11)(cid:39)(cid:244)(cid:507)(cid:131)(cid:462)(cid:507)(cid:88)(cid:16)(cid:11)(cid:507)(cid:17)(cid:4)(cid:11)(cid:426)(cid:4)(cid:4)(cid:11)(cid:19)(cid:507)(cid:11)(cid:7)(cid:58)(cid:44)(cid:19)(cid:3)(cid:7)(cid:11)(cid:9)(cid:100)(cid:74)(cid:507)
`(cid:6)(cid:2)(cid:18)(cid:8)(cid:3)(cid:60)(cid:15)(cid:507)(cid:20)(cid:39)(cid:507)(cid:380)(cid:18)(cid:8)(cid:3)(cid:6)(cid:213)(cid:6)(cid:19)(cid:507)(cid:23)(cid:101)(cid:507) (cid:7)(cid:1)(cid:433)(cid:30)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:30)(cid:20)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:16)(cid:3)(cid:15)(cid:8)(cid:507)(cid:3)(cid:12)(cid:9)(cid:507) (cid:201)(cid:4)(cid:1)(cid:18)(cid:88)(cid:3)(cid:12)(cid:9)(cid:507)(cid:1)(cid:60)(cid:19)(cid:507)
`etching is achieved by maintaining a high ion fraction and
`high bombardment energy, for example, by applying a high
`(cid:16)(cid:3)(cid:15)(cid:8)(cid:507)(cid:58)(cid:46)(cid:7)(cid:23)(cid:22)(cid:4)(cid:19)(cid:7)(cid:5)(cid:87)(cid:2)(cid:507) (cid:11)(cid:9)(cid:5)(cid:4)(cid:15)(cid:101)(cid:74)(cid:507)(cid:83)(cid:12)(cid:4)(cid:507)(cid:11)(cid:214)(cid:1)(cid:445)(cid:17)(cid:41)(cid:11)(cid:103)(cid:507)(cid:23)(cid:73)(cid:507) (cid:1)(cid:17)(cid:17)(cid:14)(cid:73)(cid:3)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:16)(cid:3)(cid:15)(cid:8)(cid:507)
`(cid:456)(cid:24)(cid:15)(cid:22)(cid:2)(cid:20)(cid:89)(cid:24)(cid:507)(cid:23)(cid:20)(cid:1)(cid:50)(cid:507)(cid:27)(cid:46)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:24)(cid:507)(cid:50)(cid:211)(cid:58)(cid:49)(cid:2)(cid:4)(cid:22)(cid:2)(cid:24)(cid:47)(cid:507)(cid:46)(cid:38)(cid:24)(cid:4)(cid:1)(cid:27)(cid:434)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:27)(cid:431)(cid:24)(cid:507)(cid:38)(cid:14)(cid:22)(cid:49)(cid:7)(cid:1)(cid:507)(cid:20)(cid:9)(cid:507)(cid:1)(cid:507)(cid:9)(cid:24)(cid:2)(cid:507)
`negative bias to the substrate, operating the plasma in a net
`(cid:24)(cid:2)(cid:18)(cid:8)(cid:3)(cid:60)(cid:15)(cid:507)(cid:7)(cid:46)(cid:19)(cid:24)(cid:102)(cid:507)(cid:2)(cid:8)(cid:24)(cid:9)(cid:234)(cid:507)(cid:23)(cid:73)(cid:507)(cid:14)(cid:12)(cid:51)(cid:24)(cid:4)(cid:20)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:27)(cid:8)(cid:24)(cid:507)(cid:58)(cid:12)(cid:7)(cid:58)(cid:1)(cid:4)(cid:198)(cid:7)(cid:6)(cid:9)(cid:100)(cid:507)(cid:24)(cid:9)(cid:24)(cid:4)(cid:15)(cid:63)(cid:74)(cid:507)
`etching mode, then, by lowering the bombardment energy,
`(cid:420)(cid:208)(cid:4)(cid:507)(cid:5)(cid:215)(cid:196)(cid:7)(cid:38)(cid:14)(cid:11)(cid:507)(cid:23)(cid:63)(cid:507)(cid:14)(cid:12)(cid:51)(cid:5)(cid:4)(cid:3)(cid:87)(cid:15)(cid:507)(cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507)(cid:23)(cid:3)(cid:1)(cid:39)(cid:507)(cid:150)(cid:12)(cid:14)(cid:2)(cid:1)(cid:15)(cid:5)(cid:47)(cid:507)(cid:12)(cid:42)(cid:507)(cid:23)(cid:63)(cid:507)(cid:441)(cid:12)(cid:51)(cid:5)(cid:42)(cid:20)(cid:9)(cid:15)(cid:507)(cid:2)(cid:8)(cid:5)(cid:507)
`for example by lowering the bias voltage, or by lowering the
`(cid:20)(cid:12)(cid:30)(cid:507) (cid:429)(cid:1)(cid:18)(cid:482)(cid:20)(cid:12)(cid:117)(cid:74)(cid:507) (cid:25)(cid:54)(cid:18)(cid:8)(cid:507) (cid:1)(cid:25)(cid:507) (cid:23)(cid:63)(cid:507) (cid:20)(cid:117)(cid:53)(cid:34)(cid:5)(cid:1)(cid:25)(cid:3)(cid:117)(cid:15)(cid:507) (cid:49)(cid:38)(cid:119)(cid:2)(cid:149)(cid:5)(cid:4)(cid:3)(cid:30)(cid:15)(cid:507) (cid:17)(cid:12)(cid:51)(cid:5)(cid:4)(cid:235)(cid:507) (cid:12)(cid:34)(cid:507)
`ion fraction, such as by increasing sputtering power, or
`decreasing plasma power, chamber pressure, a net deposi-
`(cid:19)(cid:11)(cid:18)(cid:34)(cid:24)(cid:22)(cid:50)(cid:3)(cid:30)(cid:15)(cid:507) (cid:17)(cid:14)(cid:22)(cid:49)(cid:7)(cid:22)(cid:507)(cid:17)(cid:31)(cid:51)(cid:11)(cid:4)(cid:236)(cid:507)(cid:53)(cid:8)(cid:1)(cid:7)(cid:23)(cid:24)(cid:4)(cid:507)(cid:38)(cid:4)(cid:11)(cid:50)(cid:49)(cid:62)(cid:4)(cid:11)(cid:47)(cid:507)(cid:22)(cid:507) (cid:60)(cid:11)(cid:27)(cid:507)(cid:59)(cid:11)(cid:17)(cid:31)(cid:49)(cid:3)(cid:506)
`(cid:27)(cid:3)(cid:31)(cid:9)(cid:507)(cid:44)(cid:84)(cid:507)(cid:2)(cid:16)(cid:11)(cid:507)(cid:7)(cid:11)(cid:2)(cid:22)(cid:14)(cid:507)(cid:23)(cid:73)(cid:507)(cid:131)(cid:134)(cid:191)(cid:184)(cid:507)(cid:3)(cid:210)(cid:507)(cid:23)(cid:4)(cid:31)(cid:62)(cid:15)(cid:8)(cid:2)(cid:507)(cid:22)(cid:23)(cid:31)(cid:62)(cid:2)(cid:163)(cid:507)
`tion of the metal by lPVD is brought about.
`(cid:29)(cid:31)(cid:120)(cid:45)(cid:99)(cid:77)(cid:93)(cid:101)(cid:112)(cid:5)(cid:120)(cid:29)(cid:120)(cid:46)(cid:111)(cid:118)(cid:92)(cid:103)(cid:89)(cid:120)(cid:66)(cid:91)(cid:85)(cid:85)(cid:114)(cid:112)(cid:120)
`22 Claims, 2 meing Sheets
`
`Pais'i
`
`.52?
`
`
`m\\\\\\
`
`
`
`IllllllIIIIII/Il\ll\/IIII\IIIII\I\/II\\I\I\\II\J\\
`(/2
`IV/
`a;
`
`
`
`
`“'2‘”-1;ILIIIE
`
`vrunny"%
`,,,.,,-,,P2.
`
`
`err/-
`
`
` W
`\\\\\
`
`
`
`
`\\\\\\\\\x\\\\\“‘\“\\\\
`
`(cid:7)(cid:1)(cid:2)(cid:6)(cid:6)(cid:3)(cid:8)
`(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:5)(cid:8)
`
`(cid:12)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:22)(cid:2)(cid:22)(cid:21)(cid:19)(cid:22)(cid:2)(cid:2)(cid:22)
`Page 1 of 11
`
`(cid:8)(cid:46)(cid:15)(cid:6)(cid:10)(cid:22)(cid:6)(cid:16)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:15)(cid:22)(cid:2)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:22)
`
`INTEL EXHIBIT 1010
`
`

`

`US. Patent
`
`Oct. 17, 2000
`
`Sheet 1 0f 2
`
`6,132,564
`
`L \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\
`//
`“\
`Z
`..;.'.;,;,;.‘
`."I--"I."l"'l--.
`
`"v7 .
`
`II
`
`/.""m7;
`
`=1;‘1
`
`.|\I\\i\l\|l\l\\I\\\\\|I\Itllli\l
`7/ng
`
`03:92:
`
`£103.52
`
`M.\
`
`.
`
`\\\\\\\
`
`§-W/////
`
`Page 2 ofll
`
`
`.\\\\\\\4\/\\\\\/\\\\\\/\/\.
`/\\\\\\\\\\\/
`
`\\\
`
`u—.0."—
`
`////////////////////////////////////
`
`raoolclalllttylaopa'o.
`
`'IIII-lllllll‘\§z
`
`7/4
`Vida
`. ..--.]/. ;\\\\\\\\\\\\\\
`\\\\\\\\\\\\\\\\\
`
`N.0.“—
`
`NV
`
`\N
`
`02:555.
`
`5.03.52
`
`30.:—m<o
`
`405.200
`
`‘\:\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\§\\\\\\\\\\\\\\§\§\\\\\\\E
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`

`

`US. Patent
`
`Oct. 17, 2000
`
`Sheet 2 on
`
`6,132,564
`
`
`
`Page 3 of 11
`
`

`

`6,132,564
`
`2
`the contacts by sputtering redistribute through the process
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`chamber or onto the walls of high aspect ratio features,
`where they do not interfere with the subsequent electrical
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`contact. Such a soft sputter etch is additionally beneficial in
`
`
`
`
`
`
`
`
`that it produces a uniform repeatable surface that facilitates
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`the manufacturable deposition of PVD and CVD films.
`The argon soft etch

This document is available on Docket Alarm but you must sign up to view it.


Or .

Accessing this document will incur an additional charge of $.

After purchase, you can access this document again without charge.

Accept $ Charge
throbber

Still Working On It

This document is taking longer than usual to download. This can happen if we need to contact the court directly to obtain the document and their servers are running slowly.

Give it another minute or two to complete, and then try the refresh button.

throbber

A few More Minutes ... Still Working

It can take up to 5 minutes for us to download a document if the court servers are running slowly.

Thank you for your continued patience.

This document could not be displayed.

We could not find this document within its docket. Please go back to the docket page and check the link. If that does not work, go back to the docket and refresh it to pull the newest information.

Your account does not support viewing this document.

You need a Paid Account to view this document. Click here to change your account type.

Your account does not support viewing this document.

Set your membership status to view this document.

With a Docket Alarm membership, you'll get a whole lot more, including:

  • Up-to-date information for this case.
  • Email alerts whenever there is an update.
  • Full text search for other cases.
  • Get email alerts whenever a new case matches your search.

Become a Member

One Moment Please

The filing “” is large (MB) and is being downloaded.

Please refresh this page in a few minutes to see if the filing has been downloaded. The filing will also be emailed to you when the download completes.

Your document is on its way!

If you do not receive the document in five minutes, contact support at support@docketalarm.com.

Sealed Document

We are unable to display this document, it may be under a court ordered seal.

If you have proper credentials to access the file, you may proceed directly to the court's system using your government issued username and password.


Access Government Site

We are redirecting you
to a mobile optimized page.





Document Unreadable or Corrupt

Refresh this Document
Go to the Docket

We are unable to display this document.

Refresh this Document
Go to the Docket