(19) HABE (J P)
`
`(2) 2S BA Se BF BR)
`
`(11)STAS
`#882003 — 17754
`(P2003—17754A)
`-Sén&154F 1 A174 (2008.1.17)
`(43)4359 BH
`
`
`(6) Int.cl.’
`HO1L 33/00
`
`malas
`
`F I
`HO1L 33/00
`
`F-VI-}" (Bs)
`5F041
`
`N
`
`Soe RHR HSRAORM2 OL (4 6 BD
`
`
`
`
`(21) FARES
`
`#52001 — 203272( P2001 — 203272)
`
`(22) HERA
`
`EAR134F 7 A 4 A (2001.7. 4)
`
`4) (HHO)
`
`TISSREAE
`
`24)
`(57)【要約】
`(nt) Bi 1 2IcCBM ANSI RYT 1 VY Se
`【構成】 基板１２に形成されたダイボンディング電極
`18SkhUS 1 HERA2 207tNTHOBAL,
`１８および第１面実装用電極２２のそれぞれの面内に、
`B1AIL—-M—Jb1 4ORMGIOB 14 aSLUE
`第１スルーホール１４の表面側開口端部１４ａおよび裏
`MAR Omes 14 bARSSNTHI, SIRYTTY
`面側開口端部１４ｂが配置されており、ダイボンディン
`B18 HOLEDFY73 OMRYT4Y TENT
`グ電極１８上にＬＥＤチップ３０がボンディングされて
`VIS, THICK, Bh 2S RY F414 TS
`いる。これにより、基板１２上にダイボンディング電極
`18 &BMITSEKOODAK-AL, FARVFIVIE
`１８を形成するためのスペースと、ダイボンディング電
`18 ¢31 ERAS 2 2¢ceSRVICHRITSE
`極１８と第１面実装用電極２２とを電気的に接続するた
`DOAK-ACSHACESOC, FOHAREVER
`めのスペースとを共用できるので、その共用分だけ基板
`1 2OMMER<C TSTEMTES, ELT, F1HF
`１２の横幅を狭くすることができる。そして、第１面実
`ASH 2 2EOREM3 8 OMBNY—-Y 40 alc
`装用電極２２を回路基板３８の配線パターン４０ａに半
`H42alcko CHeCESOTC, GREK 3 8 LICK
`田４２ａによって接続できるので、回路基板３８上に発
`HEE 1 OSRRIT SLEOOAZAK-AWIMCEBAITO
`光装置１０を実装するためのスペース以外に半田付けの
`EKDDOAN—-ASRRT SWEMBI,
`ためのスペースを確保する必要がない。
`(2) BRSRONRRHRLREORREEE
`【効果】 回路基板への面実装型発光装置の実装密度を
`HRKVEEFSECENCES,
`従来よりも上げることができる。
`
`(7D HBA 000116024
`H—APRA
`RRATARESET21 ae
`(2QRHS OR cE
`FRERTSCARiieRPGeR21 Ts
`RASA
`(74) RELA 100090181
`PH WH BA 1%)
`FY—A(Bs)
`45FO4L AAA47 DAO2 DAOT DAIS DAZ0
`DASS DAd4
`
`(ab
`
`
`
`yy
`
`TSssessssf
`
`Re|
`
`
`
`WZ Vv,
`CeAZN
`14b VA
`
`LMAWANT)
`aay“
`
`
`
`26
`28 4b
`
`a2b
`
`24
`
`
`
`
`
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 1
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 1
`
`

`

`1
`
`(taROG)
`【特許請求の範囲】
`(FRI 1) Big,
`【請求項１】基板、
`HeLSRORMICHBMANESI RYT 14 YTSK
`前記基板の表面に形成されたダイボンディング電極およ
`VIA VRYT 4 Y Th,
`びワイヤボンディング電極、
`Mat RYT 4 YTBI RYT AVISNH
`前記ダイボンディング電極にダイボンディングされた半
`BART Fy 7,
`導体素子チップ、
`MaceSAAT Fy Tem VR 1 Tet
`前記半導体素子チップと前記ワイヤボンディング電極と
`ESRAWICHMT SITY.
`を電気的に接続するワイヤ、
`HaLaRORMICHM SNCS 1 SLUR 2 ARRAS
`前記基板の裏面に形成された第１および第２面実装用電
`th,
`極、
`HECSRERIL, MHOZNEHOMOMBAS
`前記基板を貫通し、両側のそれぞれの開口端部が前記ダ
`{KhYF 4 Y TRS LUNA 1 DRRASHOTH
`イボンディング電極および前記第１面実装用電極のそれ
`ENOAAICHE SHEE 1 AIL-MH—JL
`ぞれの面内に配置された第１スルーホール、
`HECSRERIL, MHMOSZNENOR OBAaT
`前記基板を貫通し、両側のそれぞれの開口端部が前記ワ
`A{VRYF 4 Y TSS LUMA 2 HERA SMOT
`イヤボンディング電極および前記第２面実装用電極のそ
`NENOMAIMESNER 2 ZA—MH—JL,
`れぞれの面内に配置された第２スルーホール、
`AaCe 1 AJL-M—-IANIHBReN, MEST RYT 4
`前記第１スルーホール内に形成され、前記ダイボンディ
`YTS CHILS 1 RRS CeSAV ICM S
`ング電極と前記第１面実装用電極とを電気的に接続する
`BB, BSUCAMS 2 AIV—-K—IVAICHH
`第１接続電極、ならびに前記第２スルーホール内に形成
`ah, MRI PRY TS 4 YTB CHS 2 ERA
`され、前記ワイヤボンディング電極と前記第２面実装用
`BMcCeBaHiceeas oF 2 BBWAA S. AR
`電極とを電気的に接続する第２接続電極を備える、面実
`+BARE,
`装型半導体装置。
`(HDRIB 2) MICEBARTF y Tit, LHRKHOR
`【請求項２】前記半導体素子チップは、上面発光型の発
`HAF FIYTCH IC, BHM S CSRBBICK
`光素子チップであって、透光性樹脂からなる被覆部によ
`DTCHIFENK, FRE 1 PHOMRRDLBARE,
`って封止された、請求項１記載の面実装型半導体装置。
`C $$OREAM SHEA
`【発明の詳細な説明】
`(0001)
`【０００１】
`(ES LOMA) COMM, ARRHEBARE
`【産業上の利用分野】この発明は、面実装型半導体装置
`ICBAL, FICK CAISBHSTL A- REPLY YAS
`に関し、特にたとえば発光ダイオードやトランジスタ等
`MAOCRRORMICHRMENETI RYT 1 VY TEMS
`が含む基板の表面に形成されたダイボンディング電極お
`LUIAVRYT 74 Y Tlic, RACH SNES 1
`よびワイヤボンディング電極と、裏面に形成された第１
`SLU 2HZRASHELM BUCHTSEOeS
`および第２面実装用電極とが、互いに対応するものどう
`LAZILV—-M—IVAICHRENCEE ko CBS
`しがスルーホール内に形成された接続電極によって電気
`Hickeeni, HRAHFEBAREICMTS.
`的に接続された、面実装型半導体装置に関する。
`(0002)
`【０００２】
`(HERR) EROMZAL+EAELREO—GHEN
`【従来技術】従来の面実装型半導体発光装置の一例を図
`36LUM4ICRS, COMRRDYBARKAE (UL
`３および図４に示す。この面実装型半導体発光装置（以
`. Bic #eRRE, CHS.
`) 1, BR2E8H,
`下、単に「発光装置」と言う。）１は、基板２を含み、
`BR2 O82 aBLU2 biclt, —WOBMISE
`基板２の各端部２ａおよび２ｂには、一対の電極３およ
`U4MHRENTIIS, BMZIbLVU4, neni
`び４が形成されている。電極３および４は、それぞれ端
`FB3abkV4aAESH ZiTB3 asBkLU4 aD
`子部３ａおよび４ａを含み、各端子部３ａおよび４ａの
`BAM PRB. DIVRYT 1 VY THth3 bELU
`幅方向中央部には、ワイヤボンディング電極３ｂおよび
`SIMU 4 bARMENTIIS, UT. SIHULB4 b
`引出し部４ｂが形成されている。そして、引出し部４ｂ
`OMICS1 RYT 4 YTB 4 OREN
`の先端にはダイボンディング電極４ｃが形成されてい
`Bo
`る。
`LO003) 4UT, FAIRY F 4 YTB cicld,
`【０００３】そして、ダイボンディング電極４ｃには、
`$BREARTF YT (UR "LEDFY71 te
`半導体発光素子チップ（以下、「ＬＥＤチップ」と言
`5, )6MFIRYFAYI7ENT, FORMEHNS
`う。）６がダイボンディングされて、その底面電極が電
`M4 CBRWICBRMANTIS, FELT LEDFYT
`極４と電気的に接続されている。そして、ＬＥＤチップ
`6OLMEM 4 Sth 3 OD 0VKYT1Y TEih3 bt
`６の上面電極と電極３のワイヤボンディング電極３ｂと
`
`(2)
`
`10
`10
`
`20
`20
`
`30
`30
`
`40
`40
`
`50
`50
`
`2003-17754
` 特開２００３−１７７５４
`2
`BITVSENTULCBRMCHRMENTIIS, FH5lc,
`がワイヤ５を介して電気的に接続されている。さらに、
`D4VRYF 4 YTBth3 b SIMLH4b , SKY
`ワイヤボンディング電極３ｂ，引出し部４ｂ，ダイボン
`F4v7Sih4c ,TIIVSBLULEDFY76E
`ディング電極４ｃ，ワイヤ５およびＬＥＤチップ６等
`DD, BHOAIED 5 BSR7 IC LIHIEAN
`が、透光性の合成樹脂からなる被覆部７により封止され
`TIS,
`ている。
`(0004) COLARHHAE 11K, HTB3 ass
`【０００４】このような発光装置１は、端子部３ａおよ
`U4 aDEnEnOAMB3 ebLU4e%, TREK
`び４ａのそれぞれの側面部３ｅおよび４ｅと、回路基板
`SOMBNI—-Y8 aBLUB DOEHEHEMEH 9
`８の配線パターン８ａおよび８ｂのそれぞれとが半田９
`aBkLUI bICkNBAWIceeeNS, BS. TNF
`ａおよび９ｂにより電気的に接続される。なお、それぞ
`NOMFB3 abLU4 ald, SR20RMICHRSEN
`れの端子部３ａおよび４ａは、基板２の表面に形成され
`CRHB3Id , 40d, SR20MMCBMANEAS
`た表面部３ｄ，４ｄ，基板２の側面に形成された側面部
`3e,4e, BLVUER2 ORD CHMENTRwS 3
`３ｅ，４ｅ，および基板２の裏面に形成された裏面部３
`f ,4fA5R PTS,
`ｆ，４ｆからなっている。
`(0005)
`【０００５】
`(HAMBRLKSCT SRB) LAL. B4icntk
`【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示すよ
`Dic, HROKKRE 1 Tt, BR205HB2 a, 2
`うに、従来の発光装置１では、基板２の各端部２ａ，２
`bw, RER7 OFAMAL SIMAMICRWL CHEN
`ｂが、被覆部７の各側面よりも外側に突出して形成され
`TWUSZOC, COBiMB2 a, 20ORHEBRL1,1L
`ているので、この各端部２ａ，２ｂの突出量分Ｌ１，Ｌ
`2PBLAE 1 OMB < UTS—-WMeeI Th
`２が発光装置１の横幅を広くしている一因となってい
`6. FULT, MFB3 a, 4aMEnEnOM 3
`る。そして、端子部３ａ，４ａのそれぞれの側面部３
`e,4ek, DRSR8SOMBNI-Y8a, 8 bOt
`ｅ，４ｅと、回路基板８の配線パターン８ａ，８ｂのそ
`NENEM#EHIa, VbickoCBAHIceRENS
`れぞれとが半田９ａ，９ｂによって電気的に接続される
`OC. TCO¥HIaA, IDOAK-AZAL3, L4HKOKB
`ので、この半田９ａ，９ｂのスペースＬ３，Ｌ４が回路
`Bis HicMbBecends, COLD, HROBARE
`基板８上に必要とされる。このように、従来の発光装置
`1Cld, HIBASL 1, L2#tR<B0 THY, LDS
`１では、横幅がＬ１，Ｌ２だけ広くなっており、しかも
`Diese8 Lic#HIa, IDDAXK-AL3,L44&
`回路基板８上に半田９ａ，９ｂのスペースＬ３，Ｌ４を
`WPBETSOC, OBR 8 CRESNSHKAE IS
`必要とするので、回路基板８に実装される発光装置１等
`ORREES LITSEOOUITE RTS,
`の実装密度を上げるための妨げとなっている。
`[0006] @nbAlc, CORMHOLESANIA, A
`【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、面
`RSEAREORMAR< Tocche, TRSK
`実装型半導体装置の横幅を狭くするとともに、回路基板
`FICFHOROOAZAK-AZASWMEC LA, MERA
`上に半田のためのスペースを必要としない、面実装型半
`BARESRKITSCeECHS.
`導体装置を提供することである。
`(0007)
`【０００７】
`(RECA SLOOFR) 41 OFS, Bh o
`【課題を解決するための手段】第１の発明は、基板、基
`MORMICHMENES1 RYT 1 VY TSMSBLUIT
`板の表面に形成されたダイボンディング電極およびワイ
`VRUT 4 YTB, FSIRYT 14 Y TSC TI RY
`ヤボンディング電極、ダイボンディング電極にダイボン
`Fa vIENcEBAATF v7, $BRRTF Te
`ディングされた半導体素子チップ、半導体素子チップと
`D4VKY FT 4 Y TSMC eEBANICERS SIT.
`ワイヤボンディング電極とを電気的に接続するワイヤ、
`BRORDCHMANCE 1 SLU 2 HRSA SM,
`基板の裏面に形成された第１および第２面実装用電極、
`BREBIL, GHOZNTNOMOMBNS1 RYT
`基板を貫通し、両側のそれぞれの開口端部がダイボンデ
`4) 76S LUS 1 BRR SHOTNTNOAAI
`ィング電極および第１面実装用電極のそれぞれの面内に
`MREStne#sIAI—-K—-), BREBAL, HhOt
`配置された第１スルーホール、基板を貫通し、両側のそ
`NHENOMO MBN PRU TS 4 YSTEMS LUG 2
`れぞれの開口端部がワイヤボンディング電極および第２
`AZRASMOTNENOAAIMESHER 2 AML—
`面実装用電極のそれぞれの面内に配置された第２スルー
`K-JL #1 AI-K-IAcHBhEN, SIRF 4
`ホール、第１スルーホール内に形成され、ダイボンディ
`Y7SUCR 1 ARRAS CESAR oF 1
`ング電極と第１面実装用電極とを電気的に接続する第１
`PRB, BSUCH2 A—MK—-IAHMAn, 7
`接続電極、ならびに第２スルーホール内に形成され、ワ
`1VRY F414 Y TSMC 2 SRA SM CSSA
`イヤボンディング電極と第２面実装用電極とを電気的に
`aS SH 2 BMBMAEAS. BRRH+tSARRET
`接続する第２接続電極を備える、面実装型半導体装置で
`HS.
`ある。
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 2
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 2
`
`

`

`3
`
`(0008)
`【０００８】
`(fF) CORA KSC, H1 AIL-H—-)ILOMAMO
`【作用】この発明によると、第１スルーホールの両側の
`ENENOH OBS4 RYT 4 VY TEMS KLUGE1
`それぞれの開口端部がダイボンディング電極および第１
`AZRASBOTNHENORAIMECNTH), #1
`面実装用電極のそれぞれの面内に配置されており、第１
`AZAM—-M-IVAICHRENES 1 BBB kIOTHT
`スルーホール内に形成された第１接続電極によってダイ
`RYT 4 Y7SMCE 1 ASRS CMSRVICR
`ボンディング電極と第１面実装用電極とが電気的に接続
`SNTWS, CHhlckot, SIRF 1 Y TSHR
`されている。これによって、ダイボンディング電極を基
`MLICHMSTSEDDAK-ZAL, SIRV TAVIS
`板上に形成するためのスペースと、ダイボンディング電
`oS 1 MERA SBC eSICeMS SEOOZRN
`極と第１面実装用電極とを電気的に接続するためのスペ
`-ZAEEKATScCEMCES, Lieto tT SIRY
`ースとを共用することができる。したがって、ダイボン
`F4 VIBWERMS STEDORZKR-ZAWM, FIR
`ディング電極を形成するためのスペース以外に、ダイボ
`YF¢V7RWCH 1 ARRAS EER SLOO
`ンディング電極と第１面実装用電極とを接続するための
`ANZ (M4lomTHB 2 DICMATSAK—-AL
`スペース（図４に示す端部２ｂに相当するスペースＬ
`2) SABICHRT SWEMR<. TORETERON
`２）を別個に確保する必要がなく、その分だけ基板の面
`AMOTKENS<C FTECENMCES,
`方向の寸法を小さくすることができる。
`LO009) ZL, B2AI—-K-IOMAMOZNE
`【０００９】そして、第２スルーホールの両側のそれぞ
`NOMDRBNOT PRU ST 4 Y TSS LU 2A
`れの開口端部がワイヤボンディング電極および第２面実
`RASMHOLNENOMAHESNTH, B22)
`装用電極のそれぞれの面内に配置されており、第２スル
`—-K-)AICHBM ANE 2 ESRI KIOTIIVRK
`ーホール内に形成された第２接続電極によってワイヤボ
`YF¢YT7RWCR 2 DRRASH CSS Ices
`ンディング電極と第２面実装用電極とが電気的に接続さ
`NTWS, THICKIT, IIAVRY FT 4Y TEER
`れている。これによって、ワイヤボンディング電極を基
`MLITHMST SEDDAK-ZAL, DIVRY FIT
`板上に形成するためのスペースと、ワイヤボンディング
`Bch 2 H2RASMCeBSAWIERTSEOOA
`電極と第２面実装用電極とを電気的に接続するためのス
`AR-AEGHATSCEMTES, LiewoT IV
`ペースとを共用することができる。したがって、ワイヤ
`RYT 4 VY TRENT SEHDOZAK—AWIMe,
`OF
`ボンディング電極を形成するためのスペース以外に、ワ
`{VRYF4Y TSMR 2ARRASMCLERTS
`イヤボンディング電極と第２面実装用電極とを接続する
`EDOAZN—Z (M4 lcmTiB 2 alcH#HTSAZWK—-
`ためのスペース（図４に示す端部２ａに相当するスペー
`AL 1) SalGICHRT SVEMR<, ZOREITER
`スＬ１）を別個に確保する必要がなく、その分だけ基板
`OMAAOTAENS << FScTEMNTES,
`の面方向の寸法を小さくすることができる。
`(0010) Kk, SRORMICHRENEBISBLU
`【００１０】また、基板の裏面に形成された第１および
`B 2A SHABSRMANCRRNY-Y
`第２面実装用電極が回路基板に形成された配線パターン
`CBAHICRMENSOT, COMRRD+RAREE
`に電気的に接続されるので、この面実装型半導体装置を
`BAT SEOODAK—-AWIMc, M4lenT+HIb,
`実装するためのスペース以外に、図４に示す半田９ｂ，
`9aDAXK-AL4, L3 EMBSRLICKRRT SHE
`９ａのスペースＬ４，Ｌ３を回路基板上に確保する必要
`D7 1,
`がない。
`(0011)
`【００１１】
`(HOWMR) CORRE, M4 lCRTEROK
`【発明の効果】この発明によれば、図４に示す従来の発
`HARE 1 OMB2 a, 2biHYTSARKR-AL1,L
`光装置１の端部２ａ，２ｂに相当するスペースＬ１，Ｌ
`2 EItBROMAMOTEEM< TSTCEMCESL,
`２だけ基板の面方向の寸法を短くすることができるし、
`DBRRLICSUITHHIA, IDMAX—-AL3,L
`回路基板上において半田９ａ，９ｂのスペースＬ３，Ｌ
`4QKRMREFSCEMCES, Lieto, MBRRIc
`４を不用とすることができる。したがって、回路基板に
`HAANS HRATERAREORRPECERLIG
`実装される面実装型半導体装置の実装密度を従来よりも
`EIFS TENCES,
`上げることができる。
`(0012) CORMOLZORN , ZOHORN ,
`【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
`MS kUVlmld, RAFSBLHTSUORMHAOF
`徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
`AA7RSHAR DS —BS DERS,
`細な説明から一層明らかとなろう。
`(0013)
`【００１３】
`(ZH) M1 SLU 2 icRICORMAMOMRAH
`【実施例】図１および図２に示すこの実施例の面実装型
`SIRE (UR. Bic SHREL CBD.
`) 1
`半導体発光装置（以下、単に「発光装置」と言う。）１
`Old, HBBRRYP HS SOLDGRRAESTREO
`０は、携帯電話機やＰＨＳ等のような携帯用電子機器の
`
`(3)
`
`10
`10
`
`20
`20
`
`30
`30
`
`40
`40
`
`50
`50
`
`2003-17754
` 特開２００３−１７７５４
`4
`FARSI LEBOTH, MBHORR 12480.
`照明等に適したものであり、絶縁性の基板１２を含む。
`Bi 1 2lt, HSAZATOAZREMAHO B THREES
`基板１２は、ガラスクロスなどに耐熱性のＢＴ樹脂を含
`MACEBTLYY ,AFAZALMRFYSMSERBY, tO
`浸させたＢＴレジン，ガラスエポキシ等からなり、その
`DIA( ATS Ble Bey) ld, REOLOSE
`サイズ（奥行き×横幅×厚み）は、近年の小型化の要請
`CUT. HEAIL1. 25mm 2.0mm 0.8
`に応じて、たとえば１．２５ｍｍ×２．０ｍｍ×０．８
`mm, K%IL0.8mm 1.6mm 0. &8mmeE
`ｍｍ、または０．８ｍｍ×１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度
`ENSCRESNTNS, CORHRE 1 Old, 10
`と小さく設定されている。この発光装置１０は、１０ｃ
`m ScmBBOAS COBRA I SHORKATFT
`ｍ×５ｃｍ程度の大きさの基板母材に多数の発光素子チ
`YF (UR, "LEDFY7, €B5,
`)$eRAeh
`ップ（以下、「ＬＥＤチップ」と言う。）等を奥行き方
`McmiRAM CNV FUDAR CRIT, COBREME
`向と横幅方向とにマトリクス状に設け、この基板母材を
`HT ScelKIGSENS,
`切断することにより得られる。
`(0014) ik1 2iclt, SUiicHRehetCCOR
`【００１４】基板１２には、互いに間隔を隔ててこの基
`Kh 1 2&BSS—WOF 1 ZAIL—-H—-J) 1 4B LVF
`板１２を貫通する一対の第１スルーホール１４および第
`2 AIL—M—-JL1 OMHMENTIIS, TCOB1ISLU
`２スルーホール１６が形成されている。この第１および
`B2AI—-K—-IL14,
`1 6DENFTNORR 1 2OR
`第２スルーホール１４，１６のそれぞれの基板１２の表
`ACHOS SRAM OMB14a, 16 ald, BK
`面で開口する表面側開口端部１４ａ，１６ａは、基板１
`2ORMICHRMENTINSSIRYT 1 YTS 1 8h
`２の表面に形成されているダイボンディング電極１８お
`LUDA PRY 4 YTB 2 OOTNENOAAIE
`よびワイヤボンディング電極２０のそれぞれの面内に配
`Bens), ZnETnOWss 5 Bih18 , 20ick
`置されており、それぞれの対応する電極１８，２０によ
`DCHEPNTNS, FLT FAMW—-M—-IV1 4,16
`って覆われている。そして、各スルーホール１４，１６
`OENENORAAHOMB14a, 16alt, SEH
`のそれぞれの表面側開口端部１４ａ，１６ａは、各電極
`18, 20MEHENOPRIGMBLTIS, KE. B
`１８，２０のそれぞれの中央に位置している。また、第
`1BKLUH2AI—-M—-IV1 4, 1 6MDENHENORR
`１および第２スルーホール１４，１６のそれぞれの基板
`12ORM CHOPS SRMAM OmeB14b,16b
`１２の裏面で開口する裏面側開口端部１４ｂ，１６ｂ
`ld, BR 1 2ORKICHMENTIISE 1 WRASSE
`は、基板１２の裏面に形成されている第１面実装用電極
`226£US 2 HERS 2 4OZNHTHORAIH
`２２および第２面実装用電極２４のそれぞれの面内に配
`Bens), ZnEnOWS SBih2 2,2 4ick
`置されており、それぞれの対応する電極２２，２４によ
`DCHEPNTNS, FLT FAMW—-M—-IV1 4,16
`って覆われている。そして、各スルーホール１４，１６
`OtNENORAAMOMB14b, 16b6, $18
`のそれぞれの裏面側開口端部１４ｂ，１６ｂも、第１お
`KOS 2 RSA SM2 2, 240ENENOPRICM
`よび第２面実装用電極２２，２４のそれぞれの中央に位
`BUTS.
`置している。
`(0015) Ke, #1 SLVB2AI—MH—-I14,
`【００１５】また、第１および第２スルーホール１４，
`16O2nNENOAAMIcld, 81 SMB 26SLU
`１６のそれぞれの内周面には、第１接続電極２６および
`B 2B 2 SMABRENTIS, COR 1 HeBt
`第２接続電極２８が形成されている。この第１接続電極
`26l4, SARVT1Y TE 84 1 RRS
`２６は、ダイボンディング電極１８と第１面実装用電極
`22¢@BRWICERLUNS, ELC, F2ERE
`２２とを電気的に接続している。そして、第２接続電極
`2 8l4. D(VRYT1Y TE OCR 20RRAS
`２８は、ワイヤボンディング電極２０と第２面実装用電
`M24c¢eBRHiceRLTNS.
`極２４とを電気的に接続している。
`(0016) ¥¢4RYF4Y 7S 1 Solicit, £
`【００１６】ダイボンディング電極１８の上面には、上
`HHAXHOLEDFy73 OMMESNCHIRYT 41
`面発光型のＬＥＤチップ３０が載置されてダイボンディ
`YISNTWNS, TOLEDFYTI3 Old, ZOKHZ
`ングされている。このＬＥＤチップ３０は、その底面電
`MEST RYT 1 YTS 1 8 CMBANICHRENT
`極とダイボンディング電極１８とが電気的に接続されて
`WIS, KE, LEDFy73 OORMBM30acT
`いる。また、ＬＥＤチップ３０の表面電極３０ａとワイ
`VRYT 4 YTS 2 OL MERSOIIV32T94
`ヤボンディング電極２０とが金線等のワイヤ３２でワイ
`PRYF4YIFENTWUWNS, FLT Bik1 20LHF
`ヤボンディングされている。そして、基板１２の上面全
`lcld, AKHOAAAR (Te CAISIMA SYBAR) O°
`体には、透光性の合成樹脂（たとえばエポキシ樹脂）か
`5BRSRER 3 MRS, COBBM3 4IcKOT
`らなる被覆部３４が装着され、この被覆部３４によって
`LEDF¥730 , 91032 ,FIRYT1Y TS
`ＬＥＤチップ３０，ワイヤ３２，ダイボンディング電極
`188kLUITVRYT 41 YTS 2 OMBHSN,
`To
`１８およびワイヤボンディング電極２０が密封され、こ
`OMB 3 4618 LT, FELTCEADS, XMS
`の被覆部３４を通して、主として上面から、光が発光さ
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 3
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 3
`
`

`

`5
`
`nd.
`れる。
`(0017) Re, M1(B)lemo kdl. LEDF
`【００１７】また、図１（Ｂ）に示すように、ＬＥＤチ
`9730, FAIRY TF 1Y TE BSLUITVRY
`ップ３０、ダイボンディング電極１８およびワイヤボン
`4 VTE 2 ODENTNOFARKI, WIEABTC
`ディング電極２０のそれぞれの平面形状は、略正方形で
`BS, CLC SIRYT 1 Y Tih 1 8 OFMAK
`ある。そして、ダイボンディング電極１８の平面形状
`I<, LEDFvT3 08 LVI VRYT 4 YTB 2
`は、ＬＥＤチップ３０およびワイヤボンディング電極２
`ODEMBKEIBY LAS <HMENTIIS, EL
`０の平面形状よりも少し大きく形成されている。そし
`CT. M2cmokSlc, 1 SLUG 2 HERABIG 2
`て、図２に示すように、第１および第２面実装用電極２
`2, 24MFMRI, WRIEARCHI, SIRYF 4
`２，２４の平面形状は、略正方形であり、ダイボンディ
`YTS 1 Sc UASECTHS, FLT, BH120
`ング電極１８と同じ大きさである。そして、基板１２の
`TAKSCHS, CORR 2 OMIA CT
`平面形状は矩形である。この基板１２の横幅方向と平行
`FSBR 1 20H O83 6 Lic 1SLVUE2AIV—M
`する基板１２の中心線３６上に第１および第２スルーホ
`—Wb14, 16D0@nHEnHORDMUMBLTIS, EF
`ール１４，１６のそれぞれの中心が位置している。ま
`f. FRAEDYS AC. BI AI—R—-)b1 408 dlc
`た、平面方向から見て、第１スルーホール１４の中心に
`FARYT 1 YTS 18, BIAS 2264
`ダイボンディング電極１８，第１面実装用電極２２およ
`ULEDFY73 0ODENENOHDAMMES SKSIC
`びＬＥＤチップ３０のそれぞれの中心が位置するように
`ENEnNMEBENTS, F5le, B2A2IV—-KH—Ib
`それぞれが配置されている。さらに、第２スルーホール
`16OPDCIIVRYT 4 YTB 2 OSLUF2H
`１６の中心にワイヤボンディング電極２０および第２面
`RAB 2 4OENTHOPOMUETSLIACtN
`実装用電極２４のそれぞれの中心が位置するようにそれ
`EnaeBenThis, FLT chHhb5BR12,LE
`ぞれが配置されている。そして、これら基板１２，ＬＥ
`DF¥F30 , FIRYT1Y 7S 18 , DIVKY
`Ｄチップ３０，ダイボンディング電極１８，ワイヤボン
`T4Y7SH20 , BS50C#H1SbLUS2 RRS
`ディング電極２０，ならびに第１および第２面実装用電
`22 ,24i4. tntnePRAeMSRTHUWON
`極２２，２４は、それぞれを平面方向から見て各辺の対
`WITSEOLSLMAVUICLAT SKE CRESNT
`応するものどうしが互いに平行する状態で配置されてい
`a.
`る。
`LOo018) CCR M1 CB) cme ESIO. STK
`【００１８】ここで、図１（Ｂ）に示すように、ダイボ
`YF4 YTS 1 8O-WOREM1ELEDFYTF3
`ンディング電極１８の一辺の長さＭ１をＬＥＤチップ３
`0OM-WOREM2KNBAS<KULTWSM, COLD
`０の一辺の長さＭ２よりも大きくしているが、このよう
`CAB <M UTS Ol, LEDFy7300RYF4y
`に大きくしているのは、ＬＥＤチップ３０のボンディン
`FUBREVINTHELEDFYT3 0SIRF 4
`グ位置が多少ずれてもＬＥＤチップ３０をダイボンディ
`YTS 1 8 HCBRICRYT 1 VICES EDICTS
`ング電極１８上に確実にボンディングできるようにする
`chic. MECHET SESESAME1 2 LICK
`ともに、両者を接着する導電性接着剤が基板１２上に流
`NESBWLDICTSEHORBATH, RMB
`れ落ちないようにするための余裕分であり、最低必要と
`SNSRBRETAR< UTS, ELT, BR120
`される余裕分だけ大きくしている。そして、基板１２の
`FEOSHM12a,12be¢, cHS8hlh12a,
`左右の各側面１２ａ，１２ｂと、これら各側面１２ａ，
`12b&RAsSI( RYT1 T7Elh 1 BSLUITV
`１２ｂと隣合うダイボンディング電極１８およびワイヤ
`RYT 4 YTSth 2 OOFMACOMPAN 1, N 21d,
`ボンディング電極２０の各側縁との間隔Ｎ１，Ｎ２は、
`BREMEN LCR 2ST SCR OUMUE
`基板母材を切断して基板１２を形成するときの切断位置
`MIL5 DERHBTSEOORBNCH), MiRMEL
`のばらつきを許容するための余裕分であり、最低必要と
`SnShbae UTS,
`される間隔としている。
`(0019) Micro1 OI KSL, HTK
`【００１９】図１に示す発光装置１０によると、ダイボ
`YF4Y7Sh1 SOLMICLEDFY73 OAKS
`ンディング電極１８の上面にＬＥＤチップ３０がボンデ
`4YISENTWT, FPIRYT 1 YTS BBLUG
`ィングされていて、ダイボンディング電極１８および第
`1WMRRAB2 20ENTHORAICH 1 ZA—-H—-
`１面実装用電極２２のそれぞれの面内に第１スルーホー
`Jb1 4NENENORAAMM OMB 1 4 aASLURAAl
`ル１４のそれぞれの表面側開口端部１４ａおよび裏面側
`Ome 1 4 bAHBUTIIS, Shi, SIRUT 1
`開口端部１４ｂが位置している。さらに、ダイボンディ
`Y 78h 1 8c 1 RRB 2c, B1AI—-
`ング電極１８と第１面実装用電極２２とが、第１スルー
`R—-Jb1 4WicHReENCS 1 BBM 6ckoCe
`ホール１４内に形成された第１接続電極２６によって電
`SWicwRENTIS, LeEMDT. SIRYVT IVT
`気的に接続されている。したがって、ダイボンディング
`Bi 1 8 Bi 1 2 LicwRITSEDOAK-ZL.
`電極１８を基板１２上に形成するためのスペースと、ダ
`
`(4)
`
`10
`10
`
`20
`20
`
`30
`30
`
`40
`40
`
`50
`50
`
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`6
`A(KhYF 4) 7S 1 8c 1 ARRAS 2 248
`イボンディング電極１８と第１面実装用電極２２とを電
`AMIR SEDOAZKN-AZALCEHATSCEMCE
`気的に接続するためのスペースとを共用することができ
`a.
`る。
`(0020) kat, SIRYF 1 Y TB 1 8 HM
`【００２０】よって、ダイボンディング電極１８を形成
`FSEDOAZKR-AWC. SIRT 1 YTB 1 8
`するためのスペース以外に、ダイボンディング電極１８
`oF 1 MERA SI2 2CeBAVHICRMTSEHOOA
`と第１面実装用電極２２とを電気的に接続するためのス
`A-Z% (M4 lcATHB 2 bIcMATSANR—-AL 2)
`ペース（図４に示す端部２ｂに相当するスペースＬ２）
`SAAICHRS SVE<, CORETEBR1 208
`を別個に確保する必要がなく、その分だけ基板１２の面
`Al) (MIRAE) OTAENAE<CTScCEMCES, =
`方向（横幅方向）の寸法を小さくすることができる。さ
`Ble, Bik 1 2ORMCHMeANCE 1 HAA Shh 2
`らに、基板１２の裏面に形成された第１面実装用電極２
`2 MOBS 3 8 ICANN -—Y 40 alc#
`２が回路基板３８に形成された配線パターン４０ａに半
`A42aePlCBaiceeensot, HXKRE 1
`田４２ａを介して電気的に接続されるので、発光装置１
`OFRRISEDOAZK—-AZAWIMC, M4 icmo+H 9
`０を実装するためのスペース以外に、図４に示す半田９
`bOZAN—-AL 4 EMBER 3 8 LICMRI SHENG
`ｂのスペースＬ４を回路基板３８上に確保する必要がな
`bi.
`い。
`(0021) 4UL, 9473 20—-mPBSH CER
`【００２１】そして、ワイヤ３２の一端が電気的に接続
`SHEDITVRYT 1 Y TEthi2 O6BLUS 2 ERA
`されたワイヤボンディング電極２０および第２面実装用
`Bi 2 4DENENOMNICH 2 AL—M—-Jb 1 6 OF
`電極２４のそれぞれの面内に第２スルーホール１６のそ
`NHENORAROMA 1 6 aASLURAGED tHe 1
`れぞれの表面側開口端部１６ａおよび裏面側開口端部１
`6 bAHHBULTIIS, F5leq. DIVRUT 1 YT
`６ｂが位置している。さらに、ワイヤボンディング電極
`20¢% 2 M23 Sm2 4en, F2z2IV—-MK—-Ib1
`２０と第２面実装用電極２４とが、第２スルーホール１
`6 AICHMANES 2 BBM 2 BiICko CERI
`６内に形成された第２接続電極２８によって電気的に接
`RENTS, CHlcko TC, DIVPRYT 4 Y TBhh
`続されている。これによって、ワイヤボンディング電極
`2 0 &HR 1 2 HICHSEDOAZKR—-ZAL. IV
`２０を基板１２上に形成するためのスペースと、ワイヤ
`RYT 4 YTS 2 OCR 2HRRASH2 4B
`ボンディング電極２０と第２面実装用電極２４とを電気
`HIKERS SEHODOAZN-ZEEHATSCEMTCE
`的に接続するためのスペースとを共用することができ
`a.
`る。
`(0022) k9T, DI VRYT 4 Y TB 2 08%
`【００２２】よって、ワイヤボンディング電極２０を形
`RI SEDOAKR-ZAWS Me, DIVPRUT 4 Y TBhh
`成するためのスペース以外に、ワイヤボンディング電極
`20¢82 M22ABih2 4 ce BSWicHAT SEH
`２０と第２面実装用電極２４とを電気的に接続するため
`OAKR—Z (M4 lemTiB 2 alcH#ATSAZNK—-AL
`のスペース（図４に示す端部２ａに相当するスペースＬ
`1) SAGICHRS SYEME<. CORETBR1 2
`１）を別個に確保する必要がなく、その分だけ基板１２
`OBA (MIA) OTKENS<C TSECEMTCE
`の面方向（横幅方向）の寸法を小さくすることができ
`& tL. COS 2 H2RA SHH 2 4 NORSK 3 8
`る。そして、この第２面実装用電極２４が回路基板３８
`CHS NCRRING —Y 40 bic#k#H4 2 bestLT
`に形成された配線パターン４０ｂに半田４２ｂを介して
`BAVIcCHMeNSOT, M4 icRT#HI ADZNK-
`電気的に接続されるので、図４に示す半田９ａのスペー
`AL3&AAICFTSCEMCES,
`スＬ３を不用にすることができる。
`(0023) ke, LEDFy730MRYT1 YTS
`【００２３】また、ＬＥＤチップ３０がボンディングさ
`NES RYT 14 Y TSih | BORRE. LEDFyT
`れたダイボンディング電極１８の形状を、ＬＥＤチップ
`3 ODRMOBKKIBAS< L. DORMORKON
`３０の底面の形状よりも大きくし、かつ底面の形状の相
`WHC FSTECKI, SIRV FS 4 YTB 8 bic
`似形にすることにより、ダイボンディング電極１８上に
`LEDFy73 0 RUT 1 VITSZCEOMNETHNE
`ＬＥＤチップ３０をボンディングするときの位置ずれを
`HAS SEOORBRES1 RYT 1 Y Tt 1 BOF
`許容するための余裕分をダイボンディング電極１８の全
`AlBoCT-EITSCEMCES, KDT. FIRY
`周に亘って一定にすることができる。よって、ダイボン
`F4¢Y7S 1 SERKUESCANSaRBDETKES <
`ディング電極１８を最低必要とされる余裕分だけ大きく
`FECEMCESOC, FIRYF 1 Y TH1 8 Ett
`することができるので、ダイボンディング電極１８を比
`RNhe< FocéeMtEs,
`較的小さくすることができる。
`(0024) COL, M4CRITEROBRAKRGE1
`【００２４】このように、図４に示す従来の発光装置１
`OimB2a, 2bicH#YSSANK-AL1,L 2#NH
`の端部２ａ，２ｂに相当するスペースＬ１，Ｌ２だけ基
`1 2O0HAM (IAG) OVKEE<CTSCeMNT
`板１２の面方向（横幅方向）の寸法を短くすることがで
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 4
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 4
`
`

`

`10
`10
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`(5)
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`8
`7
`YF3 0 EFI TS 4 Y TB BECKY TF 1 YT
`24, LAPABE3 8 EICSLITH 4 ICRTEH
`きるし、しかも回路基板３８上において図４に示す半田
`ップ３０をダイボンディング電極１８上にボンディング
`CESASSEHBKTHNITL|,
`9a,9bOAX-AL3, L4ERREFSCENT
`９ａ，９ｂのスペースＬ３，Ｌ４を不用とすることがで
`できる大きさと形状であればよい。
`(0030) Sic, FiceHGITI, LEDFy73
`24, Lito, DRS3 8 CRRANSKKRE
`きる。したがって、回路基板３８に実装される発光装置
`【００３０】さらに、上記実施例では、ＬＥＤチップ３
`1 OFORRBVESERKLIBLEFSCENCES,
`ORAS SHXEEICCORMABRLEM TH
`１０等の実装密度を従来よりも上げることができる。
`０を使用する発光装置にこの発明を適用したが、これ以
`NORCAISHBAL -VSEERT SHARE ICTO
`LO025) cHicLhI, DRS 8 LICSRORK
`【００２５】これにより、回路基板３８上に多数の発光
`外のたとえば半導体レーザ等を使用する発光装置にこの
`FHSBATSCEMCESL, KIVYRZVHOHoO
`RE 1OeRRLEBA, ORER3 8OLMOMRY
`装置１０を実装した場合、回路基板３８の上面の面積当
`発明を適用することができるし、トランジスタ等の他の
`EVORLEDF YT 3 OMBAET SHOMS ERK
`HSASAREICECORMABATScCeMCE
`たりの各ＬＥＤチップ３０が発生する光の強さを従来よ
`面実装型半導体装置にもこの発明を適用することができ
`NBAS<TScCEMTESL, Bik 1 20 LHOME
`bo
`りも大きくすることができるし、基板１２の上面の面積
`る。
`HEIOHKOMSREKKIBAS<K FScCENTE
`LOO31) GUT, ERRATA, M1eRITKS
`当たりの光の強さを従来よりも大きくすることができ
`【００３１】そして、上記実施例では、図１に示すよう
`lO, SIRF 4 YTB 8 | DAR F141 7e
`a.
`る。
`に、ダイボンディング電極１８，ワイヤボンディング電
`(o026)4UT, Milceme kdl, LEDFv7
`M20, G50C#H1 SLUG 2 WER SM2 2 , 2
`【００２６】そして、図１に示すように、ＬＥＤチップ
`極２０，ならびに第１および第２面実装用電極２２，２
`308LUSIRYT 1 Y TEth 1 SOR PHERUVNC
`4M, B1BLUB2 2IV—H—-JV1 4, 1 6OEHNE
`３０およびダイボンディング電極１８の各中心を互いに
`４が、第１および第２スルーホール１４，１６のそれぞ
`—HateccickY, LEDFy 730091 KUT
`Hens SRAM ORB1 4a, 16askURA
`一致させたことにより、ＬＥＤチップ３０のダイボンデ
`れと対応する表面側開口端部１４ａ，１６ａおよび裏面
`4Y7E 1 BICMT SRT 14 VY TOUMETHNOMS
`PIERO1 4b, 16 beBSKDICHMANTIIS
`ィング電極１８に対するボンディングの位置ずれの許容
`側開口端部１４ｂ，１６ｂを覆うように形成されている
`GAZAS<KTScCEMTES, ELT FIRVT 4
`M CHICKAT. SIRF 4 YTS 8 IT
`範囲を大きくすることができる。そして、ダイボンディ
`が、これに代えて、ダイボンディング電極１８，ワイヤ
`Y7Sih 18 , 21 HPRASH2 26LUG1 AM—-
`RYT 4 VTS 20 , BEVICH1I SLUG 2HRR
`ング電極１８，第１面実装用電極２２および第１スルー
`ボンディング電極２０，ならびに第１および第２面実装
`MR—-Ib1 4DENENOHHE-MeteET eK,
`FAB 2 2, 24DENeTHOPRICBBL SHAM L,
`ホール１４のそれぞれの中心を一致させたことにより、
`用電極２２，２４のそれぞれの中央に貫通孔を形成し、
`#1 AI—-M—Ib 1 41M UCPA RYT 4 VYTe
`ENENOBEUMENENEMMS SF 1 BLUE 2
`第１スルーホール１４に対してダイボンディング電極１
`それぞれの貫通孔がそれぞれと対応する第１および第２
`SHkUS 1 HRSA SM 2 ABMS SCSOMET
`Alb-M—-Jb14, 16ORMAROimB14a, 16
`８および第１面実装用電極２２を形成するときの位置ず
`スルーホール１４，１６の表面側開口端部１４ａ，１６
`Nic kSEENENOMBHREAS << TOCEMTE
`asBkURMAMOWB14b, 16 be3BRSkS
`れによるそれぞれの許容範囲を大きくすることができ
`ａおよび裏面側開口端部１４ｂ，１６ｂと連通するよう
`a, Bele, DIVRYT1YTS2 0 , R2HRR
`ICUTBALI, BE, EHENOBWBLOR, 41
`る。同様に、ワイヤボンディング電極２０，第２面実装
`にしてもよい。なお、それぞれの貫通孔の直径は、第１
`Fei 2 46LUB2 AN—-M—-Ib 1 6OSNTEHOFP
`BLUB2AIV—-M—-IL 14, 1 6DENTNAMICH
`用電極２４および第２スルーホール１６のそれぞれの中
`および第２スルーホール１４，１６のそれぞれ内面に形
`RENTIISH 1 SLU 2 SMB 6 , 2 8 OWE
`MWE-HACECECHKI, B2AI—-M—-Ib1 6 lex
`心を一致させたことにより、第２スルーホール１６に対
`成されている第１および第２接続電極２６，２８の内径
`LTDA VARY T 4 Y TEth2 OSLUS2HRRAS
`ta—eév3,
`してワイヤボンディング電極２０および第２面実装用電
`と同一とする。
`2 4 eBScCeOUETHICLSEtTNTENOHA
`(moms aed)
`極２４を形成するときの位置ずれによるそれぞれの許容
`【図面の簡単な説明】
`SAAS < TScemtesd,
`(21) (A) SC ORHO-RHHMICASBANREM
`範囲を大きくすることができる。
`【図１】（Ａ）はこの発明の一実施例に係る発光装置が
`(0027) RL. ERRHRITS. LEDFy73
`PCR LICRRSNCSREESHMA,
`【００２７】ただし、上記実施例では、ＬＥＤチップ３
`配線基板上に実装されている状態を示す縦断面図、
`0, S4RY F141 V 7S 1 8 , B1AS 2
`(B)ISR1 (A) SHOHOKAREERSFARCH
`０，ダイボンディング電極１８，第１面実装用電極２２
`（Ｂ）は図１（Ａ）実施例の発光装置を示す平面図であ
`BLUB 1 AIL—-H—-IJb 1 4DEHNFTNOHDE-HRS
`bo
`および第１スルーホール１４のそれぞれの中心を一致さ
`る。
`tem, EhHEnOHdbeE-HEtR< TBA, KE
`(22) 81 (A) SHGOKAXREERTRANCH
`せたが、それぞれの中心を一致させなくてもよい。ただ
`【図２】図１（Ａ）実施例の発光装置を示す底面図であ
`L. COBATE, F1ZI—-MK—-Ib1 4ORAAAO
`bo
`し、この場合でも、第１スルーホール１４の表面側開口
`る。
`im 14 aSLUAAAMOI1 4 bOtNtNEY
`(23) CRORAREMCRSwLICERENTINS
`端部１４ａおよび裏面側開口端部１４ｂのそれぞれをダ
`【図３】従来の発光装置が配線基板上に実装されている
`AKhY FT 4) 7S 1 SSLUG 1 MERA BI2 20
`KEESBHR CHS.
`イボンディング電極１８および第１面実装用電極２２の
`状態を示す斜視図である。
`ENEnOMAIMETS,. FLT DWIVRYT1Y
`(24) CRORAREMCRSwLCERENTINS
`それぞれの面内に配置する。そして、ワイヤボンディン
`【図４】従来の発光装置が配線基板上に実装されている
`TSh20 , $2 HPRASH2 46LUG22I—K
`KEESMH CHS.
`グ電極２０，第２面実装用電極２４および第２スルーホ
`状態を示す縦断面図である。
`—)b1 6DENFTHNOHDE-HSEtEM EnEno
`(S038)
`ール１６のそれぞれの中心を一致させたが、それぞれの
`【符号の説明】
`PhA-MAte< THK, COBSCEARIC, F
`10
`#HRE
`中心を一致させなくてもよい。この場合でも同様に、第
`１０ …発光装置
`2AIL—M—-JL1 6 ORAAF HB 1 6 asbLURA
`12
`Sh
`２スルーホール１６の表面側開口端部１６ａおよび裏面
`１２ …基板
`APOE 16 DOENENEDT PRU TS 4 YTB
`14
`#1 A—-m—)b
`側開口端部１６ｂのそれぞれをワイヤボンディング電極
`１４ …第１スルーホール
`208kUS 2 WERABM2 4OZNTHORAIH
`14a,16a RAR
`２０および第２面実装用電極２４のそれぞれの面内に配
`１４ａ，１６ａ …表面側開口端部
`14b,16b RMP OmeD
`ESS.
`置する。
`１４ｂ，１６ｂ …裏面側開口端部
`LOO28)@UC, ERRATA, LEDFy73
`16
`B2A—-mR—-IL
`【００２８】そして、上記実施例では、ＬＥＤチップ３
`１６ …第２スルーホール
`0 MEMOAKEIIEARELEOC SIRVT AY
`18
`YaRYF1Y 7S
`０の底面の形状を略正方形としたので、ダイボンディン
`１８ …ダイボンディング電極
`TRG 1 8 OKABE LEM, LEDFy 73
`20
`DAVY T1Y TE
`グ電極１８の形状を略正方形としたが、ＬＥＤチップ３
`２０ …ワイヤボンディング電極
`ODRMORRME CAHCHSCEld, SIKY
`22 1a Sie
`０の底面の形状がたとえば矩形であるときは、ダイボン
`２２ …第１面実装用電極
`F4 YTB 8B EENKISEY LASIIEORROW
`24
`#20RRw Sie
`ディング電極１８をそれよりも少し大きいその形状の相
`２４ …第２面実装用電極
`WHET SEK,
`260661 eee
`似形とするとよい。
`２６ …第１接続電極
`(0029) Ke, ERC. SIRYTFIYT
`28 2B
`【００２９】また、上記実施例では、ダイボンディング
`２８ …第２接続電極
`Bi 1 8ORKELEDFY73 OORMORKONI
`30
`LEDF¥w7
`電極１８の形状をＬＥＤチップ３０の底面の形状の相似
`３０ …ＬＥＤチップ
`weblrem, AUBELE< THE, Bld, LEDF
`32
`047
`形としたが、相似形としなくてもよい。要は、ＬＥＤチ
`３２ …ワイヤ
`
`30
`30
`
`40
`40
`
`50
`50
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 5
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 5
`
`

`

`34 eB
`３４ …被覆部
`38 kK
`３８ …回路基板
`
`9
`
`|
`【図１】
`
`eAR2003-17754
` 特開２００３−１７７５４
`10
`*40a,40b
`RMRNG—-Y
`＊
`４０ａ，４０ｂ …配線パターン
`
`(6)
`
`*
`＊
`
`[2]
`【図２】
`
`(a)
`
`0
`
`10
`
`30
`
`30
`
`a2
`
`fs.
`
`§
`
`N
`
`On
`
`
`20 (23)
`
`
`34
`1i. es SNL|42
`
`A
`NA
`AE
`4bNG RR 180
`
`
`
`q
`
`
`
`22
`
`46420040
`
`26
`
`28 40b
`
`42b
`
`24
`
`38
`
`(4)
`【図４】
`
`
`
`18
`14 26 30 0a 23
`16
`
`【図３】
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 6
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 6
`
`

`

`(19) Japan Patent Office (JP)
`
`(12) Japanese Unexamined Patent
`Application Publication (A)
`
`(51) Int. Cl.7
`
`Identification codes
`
`F1
`
`(11) Japanese Unexamined Patent
`Application Publication Number 2003-17754
`(P2003-17754A)
`(43) Publication Date: January 17, 2003
`(2003.1.17)
`
`Theme Codes (Reference)
`
`
`
`
`
`
`Request for Examination: Not yet requested Number of Claims: 2 OL (Total of 6 pages)
`(21) Application Number Japan Patent Application 2001-203272
`(71) Applicant 000116024
`(P2001-203272)
`
`
`Rohm Semiconductor
`
`
`
`21 Saiinmizosaki-cho, Ukyo-ku,
`(22) Date of Application July 4, 2001 (2001.7.4)
`
`
`Kyoto-shi, Kyoto-fu Japan
`(72) Inventor
`Hiroki Ishinaga
`
`
`c/o Rohm Semiconductor
`
`
`21 Saiinmizosaki-cho, Ukyo-ku,
`
`
`Kyoto-shi, Kyoto-fu Japan
`(74) Agent
`100090181
`
`
`Patent Attorney Yoshihito Yamada (and 1 other)
`F terms (reference)
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`
`(54) [Title of the Invention] Surface Mount type Semiconductor Device
`
`
`(57) [Abstract]
`[Constitution] The front side opening end part 14a and back side opening
`end part 14b of the first through hole 14 are each placed in-plane of the
`die bonding electrode 18 and electrode for the first surface mounting 22
`formed in substrate 12 and LED chip 30 is bonded on the die bonding
`electrode 18. As a result, a space to form the die bonding electrode 18 on
`the substrate 12 and a space to electrically connect the die bonding
`electrode 18 and electrode for the first surface mounting 22 can be shared
`so [that the] width for the shared area on substrate 12 can be narrowed.
`And, space for soldering doesn’t need to be secured, except for the space
`to mount the light emitting device 10 on the circuit board 38, because
`electrode for the first surface mounting 22 can be connected to the wiring
`pattern 40a of the circuit board 38 by solder 42a.
`[Effect] The packing density of the surface mount type light emitting
`devices on the circuit board can be increased more than that of a
`conventional device.
`
`
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`
`
`Cree Exhibit 1005
`Page 7
`
`

`

`2
`
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`[0004] With such a light emitting device 1, each of the side parts
`3e and 4e of terminal parts 3a and 4a are electrically connected
`with each of the wiring patterns 8a and 8b of circuit board 8 by
`solder 9a and 9b. Meantime, each of the terminal parts 3a and 4a
`consist of surface parts 3d and 4d formed on the surface of
`substrate 2, side parts 3e and 4e formed on the side of substrate 2
`and back parts 3f and 4f formed on the back of substrate 2.
`[0005] [Problems to be Resolved by the Invention] However, as
`shown in Fig. 4, with a convention light emitting device 1, each
`of the end parts 2a and 2b of substrate 2 are formed by projecting
`beyond each side of coating part 7. Therefore, the projecting
`[amount of] L1 and L2 of each of the end parts 2a and 2b is one
`of the reasons the width of light emitting device 1 is made wider.
`And each of the side parts 3e and 4e of terminal parts 3a and 4a
`are electrically connected to each of the wiring patterns 8a and 8b
`of the circuit board 8 by solder 9a and 9b. Therefore, the spaces
`L3 and L4 are needed for this solder 9a and 9b on circuit board 8.
`In this manner, with a conventional light emitting device 1, the
`width is wider due to L1 and L2 and the spaces L3 and L4 for
`solder 9a and 9b that are needed on the circuit board 8, so this
`prevents an increase in the packing density of the light emitting
`device 1, etc. mounted on the circuit board 8.
`[0006] As a result, the main purpose of this invention is to
`provide a surface mount type semiconductor device which makes
`the width of a surface mount type semiconductor device narrower
`and a space for soldering on the circuit board is not needed.
`[0007]
`[Means of Solving the Problems] The first invention is a surface
`mount type semiconductor device comprising a substrate, a die
`bonding electrode and a wire bonding electrode formed on the
`surface of substrate, a semiconductor element chip die bonded to
`the die bonding electrode, a wire electrically connecting the
`semiconductor element chip and wire bonding electrode,
`electrodes for first and second surface mounting formed on the
`back of substrate, a first through hole wherein both sides of each
`opening of the end parts are each placed in-plane of the die
`bonding electrode and electrode for the first surface mounting,
`penetrating the substrate, a second through hole wherein both
`sides of each opening end part are each placed in-plane of the
`wire bonding electrode and electrode for the second surface
`mounting, penetrating the substrate, a first connect electrode is
`formed inside the first through hole and it is electrically
`connecting the die bonding electrode and the electrode for first
`surface mounting and a second connect electrode is formed inside
`the second through hole and it is electrically connecting the wire
`bonding electrode and the electrode for second surface mounting.
`
`
`
`
`
`1
`
`[Scope of Patent Claims]
`[Claim 1]
`A surface mount type semiconductor device comprising; a
`substrate, a die bonding electrode and wire bonding electrode
`formed on the surface of the substrate, a semiconductor element
`chip die bonded to the die bonding electrode, a wire electrically
`connecting the semiconductor element chip and the wire bonding
`electrode, an electrode for first and second surface mounting
`formed on the back side of the substrate, a first through hole
`wherein each opening end part of both sides are each placed in-
`plane of the die bonding electrode and the electrode for first
`surface mounting, penetrating the substrate, a second through
`hole wherein each opening end part of both sides are each placed
`in-plane of the wire bonding electrode and the electrode for
`second surface mounting, penetrating the substrate, a first connect
`electrode electrically connecting the die bonding electrode and
`the electrode for first surface mounting, formed inside the first
`through hole, and a second connect electrode electrically
`connecting the wire bonding electrode and the electrode for
`second surface mounting, formed inside the second through hole.
`[Claim 2] A surface mount type semiconductor device according
`to Claim 1, wherein the semiconductor element chip is a light
`emitting element chip of an upper surface light emitting type and
`which is sealed by a coating part consisting of a translucent resin.
`[Detailed Description of the Invention]
`[0001]
`[Field of Industrial Application] This invention is related to a
`surface mount type semiconductor device, and especially relates
`to a surface mount type semiconductor device wherein a die
`bonding electrode and wire bonding electrode are formed on the
`surface of the substrate, including for example, a light emitting
`diode and transistor, etc., and electrodes for the first and second
`surface mounting formed on the back side are electrically
`connected by a connecting electrode formed inside the
`corresponding through holes.
`[0002]
`[Conventional Technology] An example of a conventional surface
`mount type semiconductor light emitting device is shown in Fig.
`3 and Fig. 4. This surface mount type semiconductor light
`emitting device (hereafter called simply “light emitting device”) 1
`includes a substrate 2 and a pair of electrodes 3 and 4 are formed
`on each of the end parts 2a and 2b of the substrate 2. Electrodes 3
`and 4 each include terminal parts 3a and 4a, and the wire bonding
`electrode 3b and drawer part 4b are formed in the center of the
`width direction of each of the terminal parts 3a and 4a. And the
`die bonding electrode 4c is formed in the tip of the drawer part 4b.
`[0003] And, a semiconductor light emitting element chip
`(hereafter called “LED chip”) 6 is die bonded to die bonding
`electrode 4c and the bottom electrode is electrically connected to
`electrode 4. And, the upper surface electrode of LED chip 6 and
`the wire bonding electrode 3b of electrode 3 are electrically
`connected via wire 5. Further, the wire bonding electrode 3b,
`drawer part 4b, die bonding electrode 4c, wire 5 and LED chip 6,
`etc. are sealed by coating part 7 consisting of a translucent
`synthetic resin.
`
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`
`Cree Exhibit 1005
`Page 8
`
`

`

`4
`multiple light emitting chips (hereafter called “LED chip”) in the
`depth direction and width direction with the size of the board base
`material being approximately 10cm x 5cm and this can be
`obtained by cutting this board base material.
` [0014] A pair of the first through hole 14 and the second through
`hole 16, penetrating this substrate 12 and having a certain spacing
`from each other are formed on the substrate 12. The front side
`opening end parts 14a and 16a which open on the surface of each
`substrate 12 of these first and second through holes 14 and 16 are
`each placed in-plane of the die bonding electrode 18 and the wire
`bonding electrode 20 formed on the surface of substrate 12 and
`are coated by electrodes 18 and 20 corresponding to each. And
`each of the front side opening end parts 14a and 16a of each of
`the though holes 14 and 16 are located in the center of each of the
`electrodes 18 and 20. Also, the back side opening end parts 14b
`and 16b that open on the back of substrate 16 of the first and
`second thorough holes 14 and 16 are each placed in-plane of the
`electrode for first surface mounting 22 and the electrode for the
`second surface mounting 24 formed on the back of the substrate
`12 and are coated by the electrodes 22 and 24 corresponding to
`each. And each of the back side opening end parts 14b and 16b of
`each of the through holes 14 and 16 are also located in the center
`of each of the electrodes for first and second surface mounting 22
`and 24.
`[0015] The first connect electrode 26 and