(19) HART CJ P)
`
`(2 2s Bey Be AF ZS HRCA
`
`(11) RPMSSS
`445842003 — 17754
`(P2003 —17754A)
`(43)43B7 A 44RRID4E 1 A174 (2008. 1.17)
`
`Gl Int.cl.’
`HO1L 33/00
`
`Balas
`
`FI
`HO1L 33/00
`
`Fyn pb" (Be)
`5F041
`
`N
`
`Soak Ak HRORM2 OL (# 6 BH)
`
`
`(71) RRA 000116024
`O—JBRE
`HURSTSCHRTEAPS GeeT21
`
`TCADASCABTH4aERVe Breve21 TI
`RASA
`(74) RELA 100090181
`FHL WA RA 1H)
`F4—(@%)
`5FO41 AA? DAO2 DAO? DAIS DAO
`DA39 DA44
`
` C(O)Fh EE
`
`(21) HS
`
`2001 — 203272 P2001 — 203272)
`
`(22) (HRA
`
`WERRISZE 7 A 4 A (2001.7. 4)
`
`(54) CRHOGi) MSRRAR
`
`(249)
`(57)【要約】
`(ink) Bik 1 2ICHMENKSRYT 4 Ye
`【構成】 基板１２に形成されたダイボンディング電極
`188kUF 1 RERASMH2 20EHEHNOMAI,
`１８および第１面実装用電極２２のそれぞれの面内に、
`B1AIL-KR—)b1 4ORMAA OB 1 4 asdkUE
`第１スルーホール１４の表面側開口端部１４ａおよび裏
`HAO 14 bMRBANTHY, SoRUT TY
`面側開口端部１４ｂが配置されており、ダイボンディン
`BiMh18 HOLEDFy730eRYT 4 YTSNnT
`グ電極１８上にＬＥＤチップ３０がボンディングされて
`VIS, CHICK, Bi 1 2ECSTRY S14 VY TE
`いる。これにより、基板１２上にダイボンディング電極
`18&BMTSKOOAZK-AZAL, SPIRVTFIVIE
`１８を形成するためのスペースと、ダイボンディング電
`18 ¢3 1 BSSAS2 2 CSRSE
`極１８と第１面実装用電極２２とを電気的に接続するた
`DOAXN-ALEHACE SOC, COHAREIER
`めのスペースとを共用できるので、その共用分だけ基板
`1 2 OMAK TSCEMCTHS, FELT. B1HF
`１２の横幅を狭くすることができる。そして、第１面実
`Sih 2 2 FERRI 3 8 OMANI -Y 40 alc
`装用電極２２を回路基板３８の配線パターン４０ａに半
`H42alcko CHM CESOC, GRRR3 8 LICK
`田４２ａによって接続できるので、回路基板３８上に発
`HRA 1 OSERISEOOAZKR—-AWNCERAIO
`光装置１０を実装するためのスペース以外に半田付けの
`KOOAK-ZAERRT SVEN,
`ためのスペースを確保する必要がない。
`(MR) BRERA ONFRZRALRRORREES
`【効果】 回路基板への面実装型発光装置の実装密度を
`HRKVEEFSECEMCES,
`従来よりも上げることができる。
`
`30
`
`(308
`
`32
`
`
`
`
`14 AZ, NSA
`a Bi Mi A i
`
`
`N
`SScorteg
`
`<e
`N
`SSS
`
`
`
`
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 1
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 1
`
`

`

`1
`
`C HeatiaKOSH )
`【特許請求の範囲】
`(33R18 1) Bik,
`【請求項１】基板、
`CaM ORAICHMSNES4 RYT 4 VY TERSL
`前記基板の表面に形成されたダイボンディング電極およ
`UII VRYUT 4 YTEth,
`びワイヤボンディング電極、
`Mae4 RYT 4 VSS IR Tt VTeh
`前記ダイボンディング電極にダイボンディングされた半
`BAATF v7,
`導体素子チップ、
`MatBAATFT vy J cw IT PRUs Yet
`前記半導体素子チップと前記ワイヤボンディング電極と
`SERWIcCeeS SITY.
`を電気的に接続するワイヤ、
`HALaRORACHMAENCA 1 SLUA2 HERAZ
`前記基板の裏面に形成された第１および第２面実装用電
`a,
`極、
`HACERBL, HBHOCNCHOMO MBARELY
`前記基板を貫通し、両側のそれぞれの開口端部が前記ダ
`{KhYT 4 YTSHS KUALA 1 HRRASHOtHN
`イボンディング電極および前記第１面実装用電極のそれ
`ENOHANICHRESHEA 1 ZAL—M—-I),
`ぞれの面内に配置された第１スルーホール、
`HACaReBL, HHOTNCHOMOD MBAR
`前記基板を貫通し、両側のそれぞれの開口端部が前記ワ
`AVRYT 14 Y TEMS KUALA 2 HERASHOTX
`イヤボンディング電極および前記第２面実装用電極のそ
`NENOBANICHKES NEA 2 AI—-M—JL,
`れぞれの面内に配置された第２スルーホール、
`BIECS 1 AIL—M—IJLVAICHaN, BS R47
`前記第１スルーホール内に形成され、前記ダイボンディ
`YTS CHCA 1 DERASMCeEAH ICT S
`ング電極と前記第１面実装用電極とを電気的に接続する
`B11 eB, BSUcAHAA 2 ZAL—M—IAICH
`第１接続電極、ならびに前記第２スルーホール内に形成
`an, MI VRS 4 YTS CHS 2 HSA
`され、前記ワイヤボンディング電極と前記第２面実装用
`BMcCeEAV ices Sot 2eeEMsAS. HX
`電極とを電気的に接続する第２接続電極を備える、面実
`A+ARE.
`装型半導体装置。
`(RIB 2) WHSAATF y Zid, LHRKHOR
`【請求項２】前記半導体素子チップは、上面発光型の発
`HKHAFFIYICH OC, BKB S OSREBICK
`光素子チップであって、透光性樹脂からなる被覆部によ
`DTCHILAHK, RIE 1 HOMEEBARE,
`って封止された、請求項１記載の面実装型半導体装置。
`{ AAOetAna)
`【発明の詳細な説明】
`(0001)
`【０００１】
`(EX LOMAS) COMMAS, BERLHYEARS
`【産業上の利用分野】この発明は、面実装型半導体装置
`CEL. HICK ERISA A-EPFIYVYAGS
`に関し、特にたとえば発光ダイオードやトランジスタ等
`PAOCRRORAICBMENKS1 RYT 4 Y TEMS
`が含む基板の表面に形成されたダイボンディング電極お
`LUDA VRYT 1 YTS LC, RABANNE1
`よびワイヤボンディング電極と、裏面に形成された第１
`BLUE 2ARRASMHCM BvicMsTSbEO0ES
`および第２面実装用電極とが、互いに対応するものどう
`LAAZAIL—M—IDAICHMANE ko CER
`しがスルーホール内に形成された接続電極によって電気
`Wickethic, HERESARSICHS.
`的に接続された、面実装型半導体装置に関する。
`(0002)
`【０００２】
`(TERRA) CKOMRRU+ERKELREO—-FER
`【従来技術】従来の面実装型半導体発光装置の一例を図
`36kUM ACR, COMRRU+BARLARE (YU
`３および図４に示す。この面実装型半導体発光装置（以
`FR. Hic "#HRE, CBD.
`) 11k, BR2EBH,
`下、単に「発光装置」と言う。）１は、基板２を含み、
`BR 2 O82 aBLU2 biclt, —MOBMI6E
`基板２の各端部２ａおよび２ｂには、一対の電極３およ
`U4 PHRENTIIS, BMISLV4ACHENG
`び４が形成されている。電極３および４は、それぞれ端
`FBZ abkU4 aAeAH, SiHFB3 aBLU4A AO
`子部３ａおよび４ａを含み、各端子部３ａおよび４ａの
`GBAAPABiclt, If VRYT14YTEM3 bELU
`幅方向中央部には、ワイヤボンディング電極３ｂおよび
`S| HU 4 bAAReANRTIIS, CUT. SHUM 4 b
`引出し部４ｂが形成されている。そして、引出し部４ｂ
`OMICS RUS 4 YTS 4 COHBMENT
`の先端にはダイボンディング電極４ｃが形成されてい
`3d.
`る。
`(0003) tL, SIRUF 4 YTB c icld,
`【０００３】そして、ダイボンディング電極４ｃには、
`$BRRARTF YT (WR 'LEDFy7, ¢&
`半導体発光素子チップ（以下、「ＬＥＤチップ」と言
`5.
`)ORMSIRYT IVTSENT, FORMERS
`う。）６がダイボンディングされて、その底面電極が電
`m4 CBAMICHRMENTINS,. FLT LEDFT
`極４と電気的に接続されている。そして、ＬＥＤチップ
`6OLHERCEG3 OUI VRYT 1 YTEH3 be
`６の上面電極と電極３のワイヤボンディング電極３ｂと
`
`(2)
`
`10
`10
`
`20
`20
`
`30
`30
`
`40
`40
`
`50
`50
`
`eAR2003-17754
` 特開２００３−１７７５４
`2
`RMITVSENLCEANICHRENTIIS, SSC,
`がワイヤ５を介して電気的に接続されている。さらに、
`D4 VKY F474 YTEH3 b SIL 4b , Sry
`ワイヤボンディング電極３ｂ，引出し部４ｂ，ダイボン
`Tev7Eth4c ,DIVSBLULEDFYI6S
`ディング電極４ｃ，ワイヤ５およびＬＥＤチップ６等
`OD, BXHOAAMBHEDS 2S BB 7 CkIHIeN
`が、透光性の合成樹脂からなる被覆部７により封止され
`TUS,
`ている。
`(0004) COLSBGHLRE 11k, FBZ aGL
`【０００４】このような発光装置１は、端子部３ａおよ
`U4 aDEnENORMMB3 eHLU4e¢, TREK
`び４ａのそれぞれの側面部３ｅおよび４ｅと、回路基板
`8 ORRNI—-Y8 aABLUB DOTNENEMER I
`８の配線パターン８ａおよび８ｂのそれぞれとが半田９
`aBkVUYI bic kVETHIcHRSNS, BH, THE
`ａおよび９ｂにより電気的に接続される。なお、それぞ
`HOMFB3 abkU4 ald, SR2O0RMICHMSH
`れの端子部３ａおよび４ａは、基板２の表面に形成され
`tcRHB3d , 4d, Sk20MMCKRReNCAS
`た表面部３ｄ，４ｄ，基板２の側面に形成された側面部
`3e,4e ,bkUEK2 ORMICHNANERA3
`３ｅ，４ｅ，および基板２の裏面に形成された裏面部３
`f ,4fD5@ 0T4,
`ｆ，４ｆからなっている。
`(0005)
`【０００５】
`(HEPABRLKSET SRE) LAL. M4icmgek
`【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示すよ
`Sic, TROKLRE 1 Tt, BK 2082 a, 2
`うに、従来の発光装置１では、基板２の各端部２ａ，２
`bY, REB7 OSAMA SIMICLCM
`ｂが、被覆部７の各側面よりも外側に突出して形成され
`THSOC, COBMmB2a, 2bORWBHL1,L
`ているので、この各端部２ａ，２ｂの突出量分Ｌ１，Ｌ
`2 PRL1 OMEB< UTIS-AM¢Wr Th
`２が発光装置１の横幅を広くしている一因となってい
`& tLHFB3 a, 4aNDtnEnoOslAs 3
`る。そして、端子部３ａ，４ａのそれぞれの側面部３
`e,4e&, DBRERSOMBNG-—YBa, B8HLOt
`ｅ，４ｅと、回路基板８の配線パターン８ａ，８ｂのそ
`NHENEMEHAI a, ODHICko CHAMICHMENS
`れぞれとが半田９ａ，９ｂによって電気的に接続される
`OC. CO#HIa, IOMAK-AL3, L4NGK
`ので、この半田９ａ，９ｂのスペースＬ３，Ｌ４が回路
`BR8 HicMmMEBeCHNS, COLD, CHRORKRA
`基板８上に必要とされる。このように、従来の発光装置
`1Cid, IATL 1, L2ZEVR<B 0TH, LAS
`１では、横幅がＬ１，Ｌ２だけ広くなっており、しかも
`Bese 8 Hc#hIa, IDOANKR-AL3,L4E
`回路基板８上に半田９ａ，９ｂのスペースＬ３，Ｌ４を
`PECETSOC, THER 8 ICREANSRKEA IS
`必要とするので、回路基板８に実装される発光装置１等
`ORRBESLITSEOOMTCH THES.
`の実装密度を上げるための妨げとなっている。
`(0006) hbalc, CORMOLES AMIS, A
`【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、面
`ERSTERREOMMAK TSccbic, RRR
`実装型半導体装置の横幅を狭くするとともに、回路基板
`Fe*#HOKOOZK-AEPMEBELBA, HERB
`上に半田のためのスペースを必要としない、面実装型半
`BRRECEKTScCeCHS.,
`導体装置を提供することである。
`(0007)
`【０００７】
`(REEHAT SLOOFR) 41 OFAld, Bh, SB
`【課題を解決するための手段】第１の発明は、基板、基
`MORMICHMENKES1 RYT 4 VY TSEMSBLUIT
`板の表面に形成されたダイボンディング電極およびワイ
`VRYT 4 VTEFAIRY 74 VY TBITRY
`ヤボンディング電極、ダイボンディング電極にダイボン
`Te VIENKEBRATF v7, BRAT FIVT7L
`ディングされた半導体素子チップ、半導体素子チップと
`D4 VR FT 4YV SEM CEEAVICERT SITY,
`ワイヤボンディング電極とを電気的に接続するワイヤ、
`BRORMICHBMANKE 1 SLUG 2 HERE,
`基板の裏面に形成された第１および第２面実装用電極、
`BREIL, BHOtHTHOMOMBMNS1 RYT
`基板を貫通し、両側のそれぞれの開口端部がダイボンデ
`4Y7SEWS LUE 1 HERASHOTNENOBAIC
`ィング電極および第１面実装用電極のそれぞれの面内に
`KESCnNKA1AI—-h—-)) BREBBL, HHOT
`配置された第１スルーホール、基板を貫通し、両側のそ
`HENOMOMBYN IT PRY TS 4 Y TEMS LUG 2
`れぞれの開口端部がワイヤボンディング電極および第２
`HERASMHOTNCHNOMNICMESNEH 2 AIL—
`面実装用電極のそれぞれの面内に配置された第２スルー
`K—-Jb BI AIV-M—IANlcHaash, SRT +4
`ホール、第１スルーホール内に形成され、ダイボンディ
`Y7SMCA 1 HERASH CEERI oF 1
`ング電極と第１面実装用電極とを電気的に接続する第１
`ee, BSUICH2 ZAL—-K-ILAlCHMen, F
`接続電極、ならびに第２スルーホール内に形成され、ワ
`4VRYF4YTEMCR 2 DSRS CeSAV
`イヤボンディング電極と第２面実装用電極とを電気的に
`Hed SA 2EMESMERAS, HRRV+SARET
`接続する第２接続電極を備える、面実装型半導体装置で
`5S.
`ある。
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 2
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 2
`
`

`

`3
`
`(0008)
`【０００８】
`(fF) COPAICKS eC. 41 AI-H—-)JLOMAO
`【作用】この発明によると、第１スルーホールの両側の
`ENETNOMOMBNS1 RYT 4 VY TEMELUG 1
`それぞれの開口端部がダイボンディング電極および第１
`HRRASHOCNTNOAANCHEENTH, F1
`面実装用電極のそれぞれの面内に配置されており、第１
`AJV—-M—-JVAICHRESNEA 1 HRBMIChOTIS
`スルーホール内に形成された第１接続電極によってダイ
`KY 4 VY TSMCA 1 HRRASHCOSAV ICE
`ボンディング電極と第１面実装用電極とが電気的に接続
`SNS, chic kot, SIRYTF 1 YTSHES
`されている。これによって、ダイボンディング電極を基
`MEICHMIT SEDOAR-AL, SIRVF AVIS
`板上に形成するためのスペースと、ダイボンディング電
`mcs 1 ARRAS CeSAWICERT SEOOZAXN
`極と第１面実装用電極とを電気的に接続するためのスペ
`-ACBHATSCEMTES, LMISIRY
`ースとを共用することができる。したがって、ダイボン
`T4VTEBERMT SEOOZK-AWIC, STH
`ディング電極を形成するためのスペース以外に、ダイボ
`YF4YT7EMCA 1 HERASMHCeERTSLOO
`ンディング電極と第１面実装用電極とを接続するための
`ANZ (M4 CRTwa 2 DICAAYTSANK—-AL
`スペース（図４に示す端部２ｂに相当するスペースＬ
`2) SRICHRDT SWEMR<. CORETERON
`２）を別個に確保する必要がなく、その分だけ基板の面
`AMOTKENS C TScCEMTCES,
`方向の寸法を小さくすることができる。
`[O009) FUT, B2AI—-K-)OMEBOTHE
`【０００９】そして、第２スルーホールの両側のそれぞ
`HOMO GBM IT VRUS +4 Y TEMS LUE 2A
`れの開口端部がワイヤボンディング電極および第２面実
`SASMOTHENOMANICMESNTH, B22),
`装用電極のそれぞれの面内に配置されており、第２スル
`—K-JLDAICBRSNCS 2 BREMIThOTII VR
`ーホール内に形成された第２接続電極によってワイヤボ
`YF4Y7SHCR 2 ERAS CKESV ICS
`ンディング電極と第２面実装用電極とが電気的に接続さ
`NTWNS, cHhlckot, If VRY F141 Y TEMES
`れている。これによって、ワイヤボンディング電極を基
`MEICHMIT SEODODAR-AE, DAVRYFAYTZ
`板上に形成するためのスペースと、ワイヤボンディング
`Bmch 2 HRRASMCeSANICHMI SEOOA
`電極と第２面実装用電極とを電気的に接続するためのス
`A-ACeKATScCEMCES, LEMOT. DIV
`ペースとを共用することができる。したがって、ワイヤ
`RYT 4 VATEBERMT SEODAZAK—-AWIME,
`FD
`ボンディング電極を形成するためのスペース以外に、ワ
`4VKYF1YTEMCHR 2 HRSA EMLCERETS
`イヤボンディング電極と第２面実装用電極とを接続する
`KOOAZAN—Z (M4 CMTHB 2 alcH#ATSAXK-
`ためのスペース（図４に示す端部２ａに相当するスペー
`AL 1) SRICHRT SVEN <, COREE
`スＬ１）を別個に確保する必要がなく、その分だけ基板
`OHAMOTKENSCTSCEMTES,
`の面方向の寸法を小さくすることができる。
`(0010) k&, BRORMICHMAENEAISLU
`【００１０】また、基板の裏面に形成された第１および
`A 2HFRASOSEO RSRICBMeNEEANY—Y
`第２面実装用電極が回路基板に形成された配線パターン
`CBAVICHMENSOC, COMRRH+tBAREE
`に電気的に接続されるので、この面実装型半導体装置を
`ERI SEHOAZANK-AWhle, M4 lcmT+AID ,
`実装するためのスペース以外に、図４に示す半田９ｂ，
`9aAMDAZAK-AL4 , L3 EHBSRILICHRI SHE
`９ａのスペースＬ４，Ｌ３を回路基板上に確保する必要
`Aa,
`がない。
`(0011)
`【００１１】
`CFEPROMR] CORA KH, B4 CRTCROR
`【発明の効果】この発明によれば、図４に示す従来の発
`HRA 1 OWB2 a, 2b1ICHSTSANKR-AL1,L
`光装置１の端部２ａ，２ｂに相当するスペースＬ１，Ｌ
`2EVRROMAROTKER<S TSECEMCESL,
`２だけ基板の面方向の寸法を短くすることができるし、
`BREREICSICHHIAa, IBOAK-AL3,L
`回路基板上において半田９ａ，９ｂのスペースＬ３，Ｌ
`4QRAETSCEMTES, LEM TT, HRBKic
`４を不用とすることができる。したがって、回路基板に
`RRSNSHRRUTEAREORRPECERLIG
`実装される面実装型半導体装置の実装密度を従来よりも
`EIFS TENTHS,
`上げることができる。
`(0012) COHRROLROBN , COHORN ,
`【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
`MS kVA, BHFSRLHTSYFORMAHOF
`徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
`AAZREHAAD S —BEARS DEGAS,
`細な説明から一層明らかとなろう。
`(0013)
`【００１３】
`(ZH) BI SLUA2CHICORMMOHZRD
`【実施例】図１および図２に示すこの実施例の面実装型
`SARE (UR, Bic BHRB CBS.
`) 1
`半導体発光装置（以下、単に「発光装置」と言う。）１
`Old, HBRHDPHSSOLSDCHRAESRAO
`０は、携帯電話機やＰＨＳ等のような携帯用電子機器の
`
`(3)
`
`10
`10
`
`20
`20
`
`30
`30
`
`40
`40
`
`50
`50
`
`eAR2003-17754
` 特開２００３−１７７５４
`4
`BRAS ICBLEBOCH), MRHORR 12480.
`照明等に適したものであり、絶縁性の基板１２を含む。
`Bik 1 214, HSAZVZOABEICMAHEO BTS
`基板１２は、ガラスクロスなどに耐熱性のＢＴ樹脂を含
`BetVEBTLYY ,HSAZALMNFEYEDSBY, tO
`浸させたＢＴレジン，ガラスエポキシ等からなり、その
`bIA( RAS Bi BH) ld, HFONMELOBE
`サイズ（奥行き×横幅×厚み）は、近年の小型化の要請
`CUT. KEAIE1. 25mm 2.0mm 0.8
`に応じて、たとえば１．２５ｍｍ×２．０ｍｍ×０．８
`mm #@Ilt0.8mm 1.6mm 0. 8mmeE
`ｍｍ、または０．８ｍｍ×１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度
`CINSCMESENTWNS, CORK101d, 10c
`と小さく設定されている。この発光装置１０は、１０ｃ
`m 5CMHEEOXS cORRAMICSRORAALFT
`ｍ×５ｃｍ程度の大きさの基板母材に多数の発光素子チ
`YF (UR "LEDFY7, €85.
`) FeRTRA
`ップ（以下、「ＬＥＤチップ」と言う。）等を奥行き方
`mcRIBARCICONbFUDARICHRIT, COBRRAME
`向と横幅方向とにマトリクス状に設け、この基板母材を
`ens Sceéickussnsd,
`切断することにより得られる。
`(0014) Bi1 2iclt, Svilchbeehat CTCOR
`【００１４】基板１２には、互いに間隔を隔ててこの基
`M1 28S S—WMOR 1 AIL—-M—-JL 1 4B LUE
`板１２を貫通する一対の第１スルーホール１４および第
`2AIV—-M—Ib1 OMBMENTIIS, COHISBLV
`２スルーホール１６が形成されている。この第１および
`B2AIV-H—-)V14,
`1 6OENTHORMR 1 2O#
`第２スルーホール１４，１６のそれぞれの基板１２の表
`HCHOTSRHAMOmB14a, 16 ald, Bik
`面で開口する表面側開口端部１４ａ，１６ａは、基板１
`2ORMICHBMENTNSSI RYT 4 VY TE 18S
`２の表面に形成されているダイボンディング電極１８お
`LUI VARY T 4 YTS 2 OOTNHTENOAAICH
`よびワイヤボンディング電極２０のそれぞれの面内に配
`Bents), CHENOWHTSEH18 , 201K
`置されており、それぞれの対応する電極１８，２０によ
`DTAONTIWNS,. FLT BAIL—-M—-JV14,16
`って覆われている。そして、各スルーホール１４，１６
`OENTHORAGMOMB14a, 16ald, SBM
`のそれぞれの表面側開口端部１４ａ，１６ａは、各電極
`18, 20DEHETHNOPRIGMBLTWS, KE, F
`１８，２０のそれぞれの中央に位置している。また、第
`1BKUB2 AI—-M—-JV 14, 1 6DOENTHORR
`１および第２スルーホール１４，１６のそれぞれの基板
`1202M CHOT SRMAR OmB14b,16b
`１２の裏面で開口する裏面側開口端部１４ｂ，１６ｂ
`lt, Bi 1 2ORAICHMANTIISS 1 HERS
`は、基板１２の裏面に形成されている第１面実装用電極
`226kLUS 2 HRRASH2 4OTNTHOMAICEH
`２２および第２面実装用電極２４のそれぞれの面内に配
`Benth), CnHENOWHSTSBM22,24ick
`置されており、それぞれの対応する電極２２，２４によ
`DTAONTIWNS,. FLT BAIL—-M—-JV14,16
`って覆われている。そして、各スルーホール１４，１６
`OtNENORAAMOMB14b, 16b%, 816
`のそれぞれの裏面側開口端部１４ｂ，１６ｂも、第１お
`tUS 2 ERAS 2, 240EnTHOPRIcH
`よび第２面実装用電極２２，２４のそれぞれの中央に位
`BUTS.
`置している。
`(0015) ke, B1BLUSB22IV-—M—-IV14,
`【００１５】また、第１および第２スルーホール１４，
`16OtHENOAAAIcld, A1BeEM266LU
`１６のそれぞれの内周面には、第１接続電極２６および
`B22 SMBMEANTNS, COR1 BSE
`第２接続電極２８が形成されている。この第１接続電極
`26l4, S{IRYT 1 YTS 1 8¢4 1 RRA
`２６は、ダイボンディング電極１８と第１面実装用電極
`22¢@SRWICRELONS, CLC. #2ERSh
`２２とを電気的に接続している。そして、第２接続電極
`2 8ld, D4 VRYT1Y TEh2 OCB 2HRRAZ
`２８は、ワイヤボンディング電極２０と第２面実装用電
`24 ¢eERHIcCHRLTNS,
`極２４とを電気的に接続している。
`(0016) S¢RYF 4 > 7S 1 8OLMicit, £
`【００１６】ダイボンディング電極１８の上面には、上
`HRXBOLEDFY730MRBenHTHI RYT 41
`面発光型のＬＥＤチップ３０が載置されてダイボンディ
`YIENTINIS, COLEDFY73 Old, CORHE
`ングされている。このＬＥＤチップ３０は、その底面電
`BESI RYT 1 VTE 1 8 EMERHICBRANT
`極とダイボンディング電極１８とが電気的に接続されて
`iS. Ke, LEDFY73 OORMEM3 0 atus
`いる。また、ＬＥＤチップ３０の表面電極３０ａとワイ
`VRYT 4 VTE 2 OLMERSOIIV3 2797
`ヤボンディング電極２０とが金線等のワイヤ３２でワイ
`VRYUTTYTENTWINS, FLT. Bh1 20OLHF
`ヤボンディングされている。そして、基板１２の上面全
`icld, BKHOAAMMAR (CA ISI ARAYBHE )
`体には、透光性の合成樹脂（たとえばエポキシ樹脂）か
`5RSRER34IMRSSHN, CORBB3 4IckOT
`らなる被覆部３４が装着され、この被覆部３４によって
`LEDFY730 , D732 ,SIRYT 1 VY TE
`ＬＥＤチップ３０，ワイヤ３２，ダイボンディング電極
`188kLVO(VRUT4 YT OMBHSHN,
`１８およびワイヤボンディング電極２０が密封され、こ
`OMB 3 4e3GLT, ECUTLAMS, HMBKX
`の被覆部３４を通して、主として上面から、光が発光さ
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 3
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 3
`
`

`

`5
`
`na,
`れる。
`(0017) #&, M1 (CB) lcemo ksi, LEDF
`【００１７】また、図１（Ｂ）に示すように、ＬＥＤチ
`9F30. SARV TF 1Y TEM BSLUITVRY
`ップ３０、ダイボンディング電極１８およびワイヤボン
`74 YPTEt2 ODENEHOLABKIL, KIEAKRT
`ディング電極２０のそれぞれの平面形状は、略正方形で
`HS, CLC FAIRY T1Y TE 1 8 OFMAK
`ある。そして、ダイボンディング電極１８の平面形状
`I<, LEDFY7F3 06 LUI VR TS 1 YTB 2
`は、ＬＥＤチップ３０およびワイヤボンディング電極２
`ODFMBKEKIEBY LAS CBMENTIIS, FL
`０の平面形状よりも少し大きく形成されている。そし
`TT. M2cRIKSIC. F1 S6LVUE 2 HRRASH 2
`て、図２に示すように、第１および第２面実装用電極２
`2, 2407MAKI, WIEABCH, SRY T41
`２，２４の平面形状は、略正方形であり、ダイボンディ
`YTS18S cCeLARSCHS, CLT, Bh120
`ング電極１８と同じ大きさである。そして、基板１２の
`SMASHCHS. CORR 1 2 OMAR CHT
`平面形状は矩形である。この基板１２の横幅方向と平行
`FSBR1 20 HDR 6 LICK 1 SKLUE2 ANV—-M
`する基板１２の中心線３６上に第１および第２スルーホ
`—1b14, 16DEHENOHDMUBLTIS, F
`ール１４，１６のそれぞれの中心が位置している。ま
`ik. FHARDSAT. 41 AIb—-M—-Ib1 40 dIc
`た、平面方向から見て、第１スルーホール１４の中心に
`FARYT 41 YTS 1 8 , H1 SBA EH2 264
`ダイボンディング電極１８，第１面実装用電極２２およ
`ULEDFY73 0OOTHENOHDMWUET SEDI
`びＬＥＤチップ３０のそれぞれの中心が位置するように
`ENENAERENTINS, S50. B2AIV—-M—IP
`それぞれが配置されている。さらに、第２スルーホール
`16ORMCITVRY TS 4 Y TEth2 OS6LVA2A
`１６の中心にワイヤボンディング電極２０および第２面
`ERAS 2 4OENTHOHOMMETSEDICtN
`実装用電極２４のそれぞれの中心が位置するようにそれ
`EnPRReNT1S, FULT cHS5BR12,LE
`ぞれが配置されている。そして、これら基板１２，ＬＥ
`DF9730 , FARYT 1 Y THE 8 , OF VRY
`Ｄチップ３０，ダイボンディング電極１８，ワイヤボン
`F4¢Y7EH20 , S5UCH1 SLU 2 HERZ
`ディング電極２０，ならびに第１および第２面実装用電
`22 ,24l4, ChEneFHARDSERTEWON
`極２２，２４は、それぞれを平面方向から見て各辺の対
`BIT SEOESULMBIUICEAT SRKECHESNT
`応するものどうしが互いに平行する状態で配置されてい
`bo
`る。
`(0018) ccB1(B)cmoksle, STR
`【００１８】ここで、図１（Ｂ）に示すように、ダイボ
`YF4Y 7H 1 8O—-WOREM1ELEDFY73
`ンディング電極１８の一辺の長さＭ１をＬＥＤチップ３
`0OD-WOREM2 KNBAB<KULTUSAM, COLD
`０の一辺の長さＭ２よりも大きくしているが、このよう
`CABS UTWSOlk, LEDFY7F300RYF4+yY
`に大きくしているのは、ＬＥＤチップ３０のボンディン
`FUBMEVTNTCHLEDFYT3 0&9IMRT 41
`グ位置が多少ずれてもＬＥＤチップ３０をダイボンディ
`YE 1 8 LICMRICRYT 74 VTCESLIICITS
`ング電極１８上に確実にボンディングできるようにする
`ttl, GBAtHST SESHESA MSM 1 2 Lich
`ともに、両者を接着する導電性接着剤が基板１２上に流
`NESBWKDICTSKOORBATH), RIWEt
`れ落ちないようにするための余裕分であり、最低必要と
`SNSERKBRETAR CUTS, EUT. BH120
`される余裕分だけ大きくしている。そして、基板１２の
`FEOZHH12a,12be, chde8hlh12a,
`左右の各側面１２ａ，１２ｂと、これら各側面１２ａ，
`12beMASTI( RYT 1 VY TEM 8BSLVUITV
`１２ｂと隣合うダイボンディング電極１８およびワイヤ
`RYT 4 Y TEth 2 ODSABCORPAN 1, N21,
`ボンディング電極２０の各側縁との間隔Ｎ１，Ｎ２は、
`BRAMEDM LCE 1 2EBMTSCROMMUE
`基板母材を切断して基板１２を形成するときの切断位置
`OILSE DEEMBTSEOORERDCTH), RARWEL
`のばらつきを許容するための余裕分であり、最低必要と
`AnSebat LTS,
`される間隔としている。
`(0019) M1icCmRoBHERE 10 KSC, YR
`【００１９】図１に示す発光装置１０によると、ダイボ
`YF74Y7EH1 SOLMICLEDFY73 OAKRYT
`ンディング電極１８の上面にＬＥＤチップ３０がボンデ
`A YFENTWINT, SIRYVT 14 Y TE 1 BELUGA
`ィングされていて、ダイボンディング電極１８および第
`1MRRASH2 207ZNHENOMNICA 1 A—-H—
`１面実装用電極２２のそれぞれの面内に第１スルーホー
`Jb1 40ENTHOROMA 14 aSbLUEHAl
`ル１４のそれぞれの表面側開口端部１４ａおよび裏面側
`Ome 1 4bAawWEBLTNS, 565i, SARUF 4
`開口端部１４ｂが位置している。さらに、ダイボンディ
`Y7Shh 18 CB 1 MERASH2 2M, B1AI-
`ング電極１８と第１面実装用電極２２とが、第１スルー
`MR-Jb1 4 WICH ONCS 1 BeSih2 6(ChO TE
`ホール１４内に形成された第１接続電極２６によって電
`AWICHRENTINS, LEMDT. SIRY FIT
`気的に接続されている。したがって、ダイボンディング
`Bi 1 8&1 2 LicBMITSEOOAZK—-AL, F
`電極１８を基板１２上に形成するためのスペースと、ダ
`
`(4)
`
`10
`10
`
`20
`20
`
`30
`30
`
`40
`40
`
`50
`50
`
`eAR2003-17754
` 特開２００３−１７７５４
`6
`{hYT 4 YTS 1 8 C41 WERASH2 2CeE
`イボンディング電極１８と第１面実装用電極２２とを電
`AMIcHeET SEDOAK-ACEHATSCEMTE
`気的に接続するためのスペースとを共用することができ
`bo
`る。
`(0020) kot, SIRYF1Y TE 1 8 eH
`【００２０】よって、ダイボンディング電極１８を形成
`FEKHOAK—-AWIMC, SIRT 4 Y TEhh 1 8
`するためのスペース以外に、ダイボンディング電極１８
`t# 1 WSRASMH2 2 Ce BACHESEOORA
`と第１面実装用電極２２とを電気的に接続するためのス
`A-Z% (MACHTIB bICMASTSAKR-AL 2)
`ペース（図４に示す端部２ｂに相当するスペースＬ２）
`SBIICRRST SMERE<, COREE 1 200
`を別個に確保する必要がなく、その分だけ基板１２の面
`AM (MIA) OVKENSECTScCEMCES, &
`方向（横幅方向）の寸法を小さくすることができる。さ
`Sic, Bh 1 2ORMICHMENCEA 1 HERA SHH 2
`らに、基板１２の裏面に形成された第１面実装用電極２
`2 MOBS 3 8 ICBM ANCARNY-Y 40 alc
`２が回路基板３８に形成された配線パターン４０ａに半
`H42aeNLCEANICERANSOT, BHRE 1
`田４２ａを介して電気的に接続されるので、発光装置１
`OERRITSEOOAZKR—-AVWIMC, M4 icmTEH I
`０を実装するためのスペース以外に、図４に示す半田９
`bOAN—-AL 4H BSW 3 8 LICMRIT SMEMS
`ｂのスペースＬ４を回路基板３８上に確保する必要がな
`bi.
`い。
`(0021) tL, D173 20-HPEAW ICE
`【００２１】そして、ワイヤ３２の一端が電気的に接続
`SHED PRY TS 4 Y TEhh2 OS6LUSE 2 HERA
`されたワイヤボンディング電極２０および第２面実装用
`Bh 2 ADENTENOMNICH 2 AML—M—Ib1 6OF
`電極２４のそれぞれの面内に第２スルーホール１６のそ
`HENORMAM OMB 1 6 aASLURAAO Me 1
`れぞれの表面側開口端部１６ａおよび裏面側開口端部１
`6bAUEBLTWNS, 5lo, VIVRUT1Y TE
`６ｂが位置している。さらに、ワイヤボンディング電極
`20¢%2 HERASM24eEN, B22I—H-Ib1
`２０と第２面実装用電極２４とが、第２スルーホール１
`6 AICANIC 2 BBM 2 8ichko CERMICH
`６内に形成された第２接続電極２８によって電気的に接
`MANTIS, CHicko tT, DAVRUT 4 VTE
`続されている。これによって、ワイヤボンディング電極
`2 0B 1 2 LICBMTSEHOAZAK-ALE, ITV
`２０を基板１２上に形成するためのスペースと、ワイヤ
`RYT 4 YTS 2 OCR 2HRRASH24¢4ES
`ボンディング電極２０と第２面実装用電極２４とを電気
`Wicket SEOOAZK-ACEHATScCEMTE
`的に接続するためのスペースとを共用することができ
`bo
`る。
`(0022) kot, D(VRUT 4 VTE 2 OK
`【００２２】よって、ワイヤボンディング電極２０を形
`MI SEODOAR—-AWC, DAVY 74Y TEh
`成するためのスペース以外に、ワイヤボンディング電極
`20¢8%2 HSAEM 2 4 CeSRHICBRI SEO
`２０と第２面実装用電極２４とを電気的に接続するため
`OAXN—ZA (M4 CRTHB 2 alcH#ATSAK-AL
`のスペース（図４に示す端部２ａに相当するスペースＬ
`1) SRIBICRRT SMBEME<, TORAETEM 1 2
`１）を別個に確保する必要がなく、その分だけ基板１２
`OAM (IAA) OTKENSCTSCEMTCE
`の面方向（横幅方向）の寸法を小さくすることができ
`& tlt, CO#R2HRFRASHE 2 4 PHBE 3 8
`る。そして、この第２面実装用電極２４が回路基板３８
`CME NKCERING—Y 40 DITKA 4 2bETLT
`に形成された配線パターン４０ｂに半田４２ｂを介して
`BaWicHeeRenseoet, M4 lcmng$HI aDn~anr—
`電気的に接続されるので、図４に示す半田９ａのスペー
`AL3&EAAICTSCEMCES,
`スＬ３を不用にすることができる。
`(0023) Kk, LEDFyF30NRYVFIVTS
`【００２３】また、ＬＥＤチップ３０がボンディングさ
`HEI KYT 4 YTS 8ORKE. LEDFYT
`れたダイボンディング電極１８の形状を、ＬＥＤチップ
`3 ODMMORKENIBAS< L. DDEMORKON
`３０の底面の形状よりも大きくし、かつ底面の形状の相
`WHIT SCeEICKI, SIRY FS 4 YTS 8 Llc
`似形にすることにより、ダイボンディング電極１８上に
`LEDFyY7F30&RYT 1 YIFSCRONETNE
`ＬＥＤチップ３０をボンディングするときの位置ずれを
`HAT SEODORBRES1 RUT 14 VTE 1 8 OF
`許容するための余裕分をダイボンディング電極１８の全
`ACB CT-EICTSCEMTES, KOT. PIRY
`周に亘って一定にすることができる。よって、ダイボン
`T4Y 7S1 8 ERIWECANSRBDENAE ¢
`ディング電極１８を最低必要とされる余裕分だけ大きく
`FECEMCESOCT, SIRVT1Y TE 1 8 Skt
`することができるので、ダイボンディング電極１８を比
`RNs < FSCEMNTES,
`較的小さくすることができる。
`(0024) COLD, M4ICRIRRKOKRARE 1
`【００２４】このように、図４に示す従来の発光装置１
`OmB2a, 2DICHYFSAR—-AL1,L 208
`の端部２ａ，２ｂに相当するスペースＬ１，Ｌ２だけ基
`1 2O0HAA (BAR) OTKER<K TSCENT
`板１２の面方向（横幅方向）の寸法を短くすることがで
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 4
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 4
`
`

`

`7
`2S. LASBERER3 8 HICSIUITH4ICRTER
`きるし、しかも回路基板３８上において図４に示す半田
`9a,9bDORK-ZAL3, L4@RKRETScCENT
`９ａ，９ｂのスペースＬ３，Ｌ４を不用とすることがで
`2S, Lito, DREK3 8 ICRRANSRKRE
`きる。したがって、回路基板３８に実装される発光装置
`1 OFORRBESERLIBETSTCEMTES,
`１０等の実装密度を従来よりも上げることができる。
`Loo025) cHicKkI, MRR 8 LICSRORK
`【００２５】これにより、回路基板３８上に多数の発光
`Re 1OeRRLEMA. GREK3 8 OLMOMRY
`装置１０を実装した場合、回路基板３８の上面の面積当
`EKVOSBLEDFY73 OMHET SHOMAEHEKK
`たりの各ＬＥＤチップ３０が発生する光の強さを従来よ
`NbAB< FTScCENTASL, Bh1 20HOM
`りも大きくすることができるし、基板１２の上面の面積
`SEI OKOWMASHERKEVEAS<( TSTEMTCE
`当たりの光の強さを従来よりも大きくすることができ
`bo
`る。
`(0026) 2, Milemtksic, LEDF YT
`【００２６】そして、図１に示すように、ＬＥＤチップ
`306bLUYT RYT 1 Y TE 1 BOREAL C
`３０およびダイボンディング電極１８の各中心を互いに
`—MaetEecetickN, LEDFyS30097 RYT
`一致させたことにより、ＬＥＤチップ３０のダイボンデ
`4Y 7B 1 8 iCMT SRY FT 74 VY TOURTHORA
`ィング電極１８に対するボンディングの位置ずれの許容
`SHAS << TScCEMTES, ELT, SIRVT 41
`範囲を大きくすることができる。そして、ダイボンディ
`Y7Sh18 , 41 HERASH2 26LVA1AI—
`ング電極１８，第１面実装用電極２２および第１スルー
`K—-Jb1 4DENEHNOHDE-RStEceck,
`ホール１４のそれぞれの中心を一致させたことにより、
`B1AILV-M—Ib1 4M UTSA RYT 4 Y TE1
`第１スルーホール１４に対してダイボンディング電極１
`SHkUSE 1 HERASM2 24M ScCeoOUaT
`８および第１面実装用電極２２を形成するときの位置ず
`Hic kStntnOMRHREAS CK TScCEMTE
`れによるそれぞれの許容範囲を大きくすることができ
`&, Bele. DIVRYF4YT7EH20 , A2HRR
`る。同様に、ワイヤボンディング電極２０，第２面実装
`FSi 2 46kU8 2 ZAIb—-K—-Jb 1 6OTHEHOH
`用電極２４および第２スルーホール１６のそれぞれの中
`WE-HRAGKECECKY, B2AIV—M—Jb1 6 low
`心を一致させたことにより、第２スルーホール１６に対
`LTDA VARY T 4 YTS 2 OSLUA 2 HRRAZ
`してワイヤボンディング電極２０および第２面実装用電
`M2 4eBKT ScCEONETHICLStTHENOHA
`極２４を形成するときの位置ずれによるそれぞれの許容
`BACAR < TScCEMCES,
`範囲を大きくすることができる。
`(0027) REL. LicemHIT, LEDFy73
`【００２７】ただし、上記実施例では、ＬＥＤチップ３
`0, S4RYF1Y TE 1 8 , 21 SSS 2 2
`０，ダイボンディング電極１８，第１面実装用電極２２
`BLUSH 1 AL-M—-Ib 1 4DENHENOHDE-RS
`および第１スルーホール１４のそれぞれの中心を一致さ
`tim, tnhtnOHobe-Hete<ctThbe&bi, KE
`せたが、それぞれの中心を一致させなくてもよい。ただ
`L. COBATE, BH1AI—-M—-J)1 4ORHARO
`し、この場合でも、第１スルーホール１４の表面側開口
`imeh 14 adkLURMAM OMB 1 4 bOtHtEHNEY
`端部１４ａおよび裏面側開口端部１４ｂのそれぞれをダ
`AKYF4Y TEM 1 SSLUGE 1 HERASH2 20
`イボンディング電極１８および第１面実装用電極２２の
`ENENOHANICKETS, CLT DIVRUTF TY
`それぞれの面内に配置する。そして、ワイヤボンディン
`B20, $2HRRASH2 46BLVUA2AZIV—-H
`グ電極２０，第２面実装用電極２４および第２スルーホ
`—Ib1 6DENHENOHDE-HAEtEM THEnO
`ール１６のそれぞれの中心を一致させたが、それぞれの
`Hbe—-MeCR< THK, COBSCHAHRIC, F
`中心を一致させなくてもよい。この場合でも同様に、第
`2AJV—-K—-J)b 1 6 ORAM OMB 16 aABLURA
`２スルーホール１６の表面側開口端部１６ａおよび裏面
`IRD eB 1 6 DOENEHADIVRYT 4 YTEth
`側開口端部１６ｂのそれぞれをワイヤボンディング電極
`2060S 2 MRAZ 2 4OTNTHOMAICH
`２０および第２面実装用電極２４のそれぞれの面内に配
`Bd,
`置する。
`(O028) EU, Licempltid, LEDFy73
`【００２８】そして、上記実施例では、ＬＥＤチップ３
`0 ORHORKEIIEHBELEOTC. S4IRYF1yY
`０の底面の形状を略正方形としたので、ダイボンディン
`Zi 1 8 OWAKEMIEARCLEM, LEDFy73
`グ電極１８の形状を略正方形としたが、ＬＥＤチップ３
`ODRHORKMECA ISEBCHS CEL, SRY
`０の底面の形状がたとえば矩形であるときは、ダイボン
`4 VFS 1 BEENLIBY LASIWCORRKON
`ディング電極１８をそれよりも少し大きいその形状の相
`WHBETSEKLI,
`似形とするとよい。
`(0029) Ke, Licemplth SrRYF17
`【００２９】また、上記実施例では、ダイボンディング
`Zhi 1 8 OWKELEDFY73 0OORMOMRKOAI
`電極１８の形状をＬＥＤチップ３０の底面の形状の相似
`Belem, HUBECLE< THEN, Bld, LEDF
`形としたが、相似形としなくてもよい。要は、ＬＥＤチ
`
`(5)
`
`10
`10
`
`20
`20
`
`30
`30
`
`40
`40
`
`50
`50
`
`eAR2003-17754
` 特開２００３−１７７５４
`8
`YI30eSIRYT 4 YTS 1 BECKY TI YT
`ップ３０をダイボンディング電極１８上にボンディング
`CHSEKESLHKTCHNITLK,
`できる大きさと形状であればよい。
`(0030) €5ic, Licempltit, LEDFy73
`【００３０】さらに、上記実施例では、ＬＥＤチップ３
`OSGAT SEXRRICCORMAABALEM, cH
`０を使用する発光装置にこの発明を適用したが、これ以
`IOREAILEEAKL -PSEEAT SKEXREICCO
`外のたとえば半導体レーザ等を使用する発光装置にこの
`FIRS BASSCeEMCESL, FSV YAVSOHo
`発明を適用することができるし、トランジスタ等の他の
`HERBSARES CORMEBAS SCEMCE
`面実装型半導体装置にもこの発明を適用することができ
`bo
`る。
`(0031) EU, LicempIti, B1icmokS
`【００３１】そして、上記実施例では、図１に示すよう
`IC, SIRYF1Y TES | DAVRYT1 YT
`に、ダイボンディング電極１８，ワイヤボンディング電
`M20, @5UCH1S6LUE 2 HERASMH2 2 , 2
`極２０，ならびに第１および第２面実装用電極２２，２
`4M, B1SBLUB2 AI—-M—-JV1 4, 16 OENE
`４が、第１および第２スルーホール１４，１６のそれぞ
`HENS SRAGIBOMBI4a, 16adbkL0VH
`れと対応する表面側開口端部１４ａ，１６ａおよび裏面
`GIRO14b, 16beBSkSICHMENTIIS
`側開口端部１４ｂ，１６ｂを覆うように形成されている
`MB, CHITRAT. SIRVT 14 Y TSH 8 OT
`が、これに代えて、ダイボンディング電極１８，ワイヤ
`RYT 4 Y7EMH20 , BEVICH1SbLUA2HRR
`ボンディング電極２０，ならびに第１および第２面実装
`FAABH2 2, 240ENTNOPRICBBTLEBAL,
`用電極２２，２４のそれぞれの中央に貫通孔を形成し、
`ENENOBEILMAENENCHHT SF 1 SBKLUA 2
`それぞれの貫通孔がそれぞれと対応する第１および第２
`AJb-M—-Jb14,
`1 6ORMAIROMB1 4a, 16
`スルーホール１４，１６の表面側開口端部１４ａ，１６
`aBkURMAMOHB14b, 16be¢BmtSk>
`ａおよび裏面側開口端部１４ｂ，１６ｂと連通するよう
`CLTBKL, BS, EHENOBBLORFI, 41
`にしてもよい。なお、それぞれの貫通孔の直径は、第１
`BLUB2AIL-M—-JL 14, 1 6OtHENABICH
`および第２スルーホール１４，１６のそれぞれ内面に形
`MANTNISH1 SLU 2 MBM 6 , 2 8 OA
`成されている第１および第２接続電極２６，２８の内径
`¢tal—e¢v 3,
`と同一とする。
`(moOms wail)
`【図面の簡単な説明】
`(21) (A) dC ORMO-RHMICKRSRREM
`【図１】（Ａ）はこの発明の一実施例に係る発光装置が
`ACRERLICHRRANCNSKEERTMMR,
`配線基板上に実装されている状態を示す縦断面図、
`(B) It 1 (A) SRAHOKAREERITFEONCS
`（Ｂ）は図１（Ａ）実施例の発光装置を示す平面図であ
`bo
`る。
`[42] 81 (A) SHPOKAREERITRANCH
`【図２】図１（Ａ）実施例の発光装置を示す底面図であ
`bo
`る。
`[3] CROMRKRSPRARSRECRRENTIUS
`【図３】従来の発光装置が配線基板上に実装されている
`KEESPAN CHS.
`状態を示す斜視図である。
`[24] CROMRKREPRRSRLCRRENTIUS
`【図４】従来の発光装置が配線基板上に実装されている
`KEEmSHHS CHS.
`状態を示す縦断面図である。
`(#5 0Rn08 )
`【符号の説明】
`10
`#HXHRE
`１０ …発光装置
`12
`Bm
`１２ …基板
`14
`#1 AIb-M—Jb
`１４ …第１スルーホール
`14a,16a AAPOR
`１４ａ，１６ａ …表面側開口端部
`14b6,16b mR Ome
`１４ｂ，１６ｂ …裏面側開口端部
`16 2 AIb-M—JIb
`１６ …第２スルーホール
`18 Ways 4 Vy TS
`１８ …ダイボンディング電極
`20)
`D4VKRYT1Y TE
`２０ …ワイヤボンディング電極
`22 81RASH
`２２ …第１面実装用電極
`24
`A2HnRRASH
`２４ …第２面実装用電極
`26
`81 RREw
`２６ …第１接続電極
`28
`B2eREH
`２８ …第２接続電極
`30
`LEDF¥7
`３０ …ＬＥＤチップ
`32 DV
`３２ …ワイヤ
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 5
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 5
`
`

`

`34 eis
`３４ …被覆部
`38
`[let
`３８ …回路基板
`
`9
`
`(1)
`【図１】
`
`eAR2003-17754
` 特開２００３−１７７５４
`10
`*40a,40b MRIto-—y
`＊
`４０ａ，４０ｂ …配線パターン
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`(6)
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`*
`＊
`
`{82)
`【図２】
`
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`
`10
`
`10
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`
`26
`
`2B AO
`
`42
`
`26
`
`(4)
`【図４】
`
`is 20
`[Q3)
`【図３】
`
`A
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 6
`
`Nichia Exhibit 1005
`Page 6
`
`

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`(19) Japan Patent Office (JP)
`
`(12) Japanese Unexamined Patent
`Application Publication (A)
`
`(51) Int. Cl.7
`
`Identification codes
`
`F1
`
`(11) Japanese Unexamined Patent
`Application Publication Number 2003-17754
`(P2003-17754A)
`(43) Publication Date: January 17, 2003
`(2003.1.17)
`
`Theme Codes (Reference)
`
`
`
`
`
`
`Request for Examination: Not yet requested Number of Claims: 2 OL (Total of 6 pages)
`(21) Application Number Japan Patent Application 2001-203272
`(71) Applicant 000116024
`(P2001-203272)
`
`
`Rohm Semiconductor
`
`
`
`21 Saiinmizosaki-cho, Ukyo-ku,
`(22) Date of Application July 4, 2001 (2001.7.4)
`
`
`Kyoto-shi, Kyoto-fu Japan
`(72) Inventor
`Hiroki Ishinaga
`
`
`c/o Rohm Semiconductor
`
`
`21 Saiinmizosaki-cho, Ukyo-ku,
`
`
`Kyoto-shi, Kyoto-fu Japan
`(74) Agent
`100090181
`
`
`Patent Attorney Yoshihito Yamada (and 1 other)
`F terms (reference)
`
`
`
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`
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`
`
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`(54) [Title of the Invention] Surface Mount type Semiconductor Device
`
`
`(57) [Abstract]
`[Constitution] The front side opening end part 14a and back side opening
`end part 14b of the first through hole 14 are each placed in-plane of the
`die bonding electrode 18 and electrode for the first surface mounting 22
`formed in substrate 12 and LED chip 30 is bonded on the die bonding
`electrode 18. As a result, a space to form the die bonding electrode 18 on
`the substrate 12 and a space to electrically connect the die bonding
`electrode 18 and electrode for the first surface mounting 22 can be shared
`so [that the] width for the shared area on substrate 12 can be narrowed.
`And, space for soldering doesn’t need to be secured, except for the space
`to mount the light emitting device 10 on the circuit board 38, because
`electrode for the first surface mounting 22 can be connected to the wiring
`pattern 40a of the circuit board 38 by solder 42a.
`[Effect] The packing density of the surface mount type light emitting
`devices on the circuit board can be increased more than that of a
`conventional device.
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`Nichia Exhibit 1005
`Page 7
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`(2)
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`Japanese Unexamined Patent Application Publication Number 2003-17754
`
`2
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`[0004] With such a light emitting device 1, each of the side parts
`3e and 4e of terminal parts 3a and 4a are electrically connected
`with each of the wiring patterns 8a and 8b of circuit board 8 by
`solder 9a and 9b. Meantime, each of the terminal parts 3a and 4a
`consist of surface parts 3d and 4d formed on the surface of
`substrate 2, side parts 3e and 4e formed on the side of substrate 2
`and back parts 3f and 4f formed on the back of substrate 2.
`[0005] [Problems to be Resolved by the Invention] However, as
`shown in Fig. 4, with a convention light emitting device 1, each
`of the end parts 2a and 2b of substrate 2 are formed by projecting
`beyond each side of coating part 7. Therefore, the projecting
`[amount of] L1 and L2 of each of the end parts 2a and 2b is one
`of the reasons the width of light emitting device 1 is made wider.
`And each of the side parts 3e and 4e of terminal parts 3a and 4a
`are electrically connected to each of the wiring patterns 8a and 8b
`of the circuit board 8 by solder 9a and 9b. Therefore, the spaces
`L3 and L4 are needed for this solder 9a and 9b on circuit board 8.
`In this manner, with a conventional light emitting device 1, the
`width is wider due to L1 and L2 and the spaces L3 and L4 for
`solder 9a and 9b that are needed on the circuit board 8, so this
`prevents an increase in the packing density of the light emitting
`device 1, etc. mounted on the circuit board 8.
`[0006] As a result, the main purpose of this invention is to
`provide a surface mount type semiconductor device which makes
`the width of a surface mount type semiconductor device narrower
`and a space for soldering on the circuit board is not needed.
`[0007]
`[Means of Solving the Problems] The first invention is a surface
`mount type semiconductor device comprising a substrate, a die
`bonding electrode and a wire bonding electrode formed on the
`surface of substrate, a semiconductor element chip die bonded to
`the die bonding electrode, a wire electrically connecting the
`semiconductor element chip and wire bonding electrode,
`electrodes for first and second surface mounting formed on the
`back of substrate, a first through hole wherein both sides of each
`opening of the end parts are each placed in-plane of the die
`bonding electrode and electrode for the first surface mounting,
`penetrating the substrate, a second through hole wherein both
`sides of each opening end part are each placed in-plane of the
`wire bonding electrode and electrode for the second surface
`mounting, penetrating the substrate, a first connect electrode is
`formed inside the first through hole and it is electrically
`connecting the die bonding electrode and the electrode for first
`surface mounting and a second connect electrode is formed inside
`the second through hole and it is electrically connecting the wire
`bonding electrode and the electrode for second surface mounting.
`
`
`
`
`
`1
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`[Scope of Patent Claims]
`[Claim 1]
`A surface mount type semiconductor device comprising; a
`substrate, a die bonding electrode and wire bonding electrode
`formed on the surface of the substrate, a semiconductor element
`chip die bonded to the die bonding electrode, a wire electrically
`connecting the semiconductor element chip and the wire bonding
`electrode, an electrode for first and second surface mounting
`formed on the back side of the substrate, a first through hole
`wherein each opening end part of both sides are each placed in-
`plane of the die bonding electrode and the electrode for first
`surface mounting, penetrating the substrate, a second through
`hole wherein each opening end part of both sides are each placed
`in-plane of the wire bonding electrode and the electrode for
`second surface mounting, penetrating the substrate, a first connect
`electrode electrically connecting the die bonding electrode and
`the electrode for first surface mounting, formed inside the first
`through hole, and a second connect electrode electrically
`connecting the wire bonding electrode and the electrode for
`second surface mounting, formed inside the second through hole.
`[Claim 2] A surface mount type semiconductor device according
`to Claim 1, wherein the semiconductor element chip is a light
`emitting element chip of an upper surface light emitting type and
`which is sealed by a coating part consisting of a translucent resin.
`[Detailed Description of the Invention]
`[0001]
`[Field of Industrial Application] This invention is related to a
`surface mount type semiconductor device, and especially relates
`to a surface mount type semiconductor device wherein a die
`bonding electrode and wire bonding electrode are formed on the
`surface of the substrate, including for example, a light emitting
`diode and transistor, etc., and electrodes for the first and second
`surface mounting formed on the back side are electrically
`connected by a connecting electrode formed inside the
`corresponding through holes.
`[0002]
`[Conventional Technology] An example of a conventional surface
`mount type semiconductor light emitting device is shown in Fig.
`3 and Fig. 4. This surface mount type semiconductor light
`emitting device (hereafter called simply “light emitting device”) 1
`includes a substrate 2 and a pair of electrodes 3 and 4 are formed
`on each of the end parts 2a and 2b of the substrate 2. Electrodes 3
`and 4 each include terminal parts 3a and 4a, and the wire bonding
`electrode 3b and drawer part 4b are formed in the center of the
`width direction of each of the terminal parts 3a and 4a. And the
`die bonding electrode 4c is formed in the tip of the drawer part 4b.
`[0003] And, a semiconductor light emitting element chip
`(hereafter called “LED chip”) 6 is die bonded to die bonding
`electrode 4c and the bottom electrode is electrically connected to
`electrode 4. And, the upper surface electrode of LED chip 6 and
`the wire bonding electrode 3b of electrode 3 are electrically
`connected via wire 5. Further, the wire bonding electrode 3b,
`drawer part 4b, die bonding electrode 4c, wire 5 and LED chip 6,
`etc. are sealed by coating part 7 consisting of a translucent
`synthetic resin.
`
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`Nichia Exhibit 1005
`Page 8
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`(3)
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`Japanese Unexamined Patent Application Publication Number 2003-17754
`
`4
`multiple light emitting chips (hereafter called “LED chip”) in the
`depth direction and width direction with the size of the board base
`material being approximately 10cm x 5cm and this can be
`obtained by cutting this board base material.
` [0014] A pair of the first through hole 14 and the second through
`hole 16, penetrating this substrate 12 and having a certain spacing
`from each other are formed on the substrate 12. The front side
`opening end parts 14a and 16a which open on the surface of each
`substrate 12 of these first and second through holes 14 and 16 are
`each placed in-plane of the die bonding electrode 18 and the wire
`bonding electrode 20 formed on the surface of substrate 12 and
`are coated by electrodes 18 and 20 corresponding to each. And
`each of the front side opening end parts 14a and 16a of each of
`the though holes 14 and 16 are located in the center of each of the
`electrodes 18 and 20. Also, the back side opening end parts 14b
`and 16b that open on the back of substrate 16 of the first and
`second thorough holes 14 and 16 are each placed in-plane of the
`electrode for first surface mounting 22 and the electrode for the
`second surface mounting 24 formed on