[特許]1999-075519 (11.03.19)
`
`出願 (1) ( 11-075519)(11.03.19) 記号 (2926400241) 出願種別(01 )新法
`公開　　 (2000-003913)(12.01.07) 公開基準日 (10.03.26) 国内優先 (1)
`公告　　 ( )(12.07.10) 優先 ( ) 他 国
`審判 ( )( )( ) 担当 (4L00-8122)( 齋藤　恭一　　　　　　　　 )
`登録　　 ( 3062491) (12.04.28) 異議 ( 0) 請求項数 ( 10) 出願料金( 21,000)
`公決　　 (起 )(担 ) 文献 (1) 新規性 (0) 菌寄託 (0) 公害 ( )
`査定 (1) (起12.03.28)(担8122) 前置 ( ) 解除 ( )公序・要約(0)
` (発12.04.11)(官 ) 審査・評価請求( 1- ) 未請求(0) 自動起案( )
`最終　　 (A01)(12.04.28)　　　　　公開準備 (1) 早期審査 ( )
`変更先 ( )( )( ) 審決 ( )( ) 　　　　　　　
`　　　　 原出願( )( )( )種別( )
`　　　　　　　　　　　　　　　　　期間延長 ( ) 最新起案日 (12.03.28)
`公表　 ( ) ( ) 翻訳提出 ( )国際出願( )
`再公表 ( ) 国際公開 ( ) 　　　
`公開IPC4 H01L 21/88 KFIC 指定分類IPC　H01L 21/
`公告IPC4 H01L 21/88 KFIC
`名称　　配線構造体の形成方法　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
`出願人　代表( ) 種(2)コ-ド(000005821) 国(27) パナソニック株式会社　＊　　　　　
`　　　　　　大阪府門真市大字門真１００６番地　　　　　　　　　　　　　　　　　　
`代理人　種(1)コ-ド(100077931) 前田　弘　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
`　　　　種(1)コ-ド( ) 小山　廣毅　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
`中間 (A63 )特許願　11.03.19( 21,000)完 (A62-1 )審査請求11.04.05(124,800)完
`記録 (A13-1 )拒絶理由12.01.11(8122-22) (A971-001)面接記録12.02.29( )
` (A53 )意見書　12.03.10( )完 (A52-3 )補正書　12.03.10( )完
` (A01 )特許査定12.04.11(8122- ) (A61 )登録納付12.04.20( )
` (A86-1 )閲覧請求15.09.22( ) (A86-1 )閲覧請求20.08.04( )
` (A86-1 )閲覧請求26.09.08( )
`新出願 1 2000-066163 04 1 2000-066179 04
`国内優先(先) 1 10-079371(10.03.26)
`国内優先(後)
`
`TSMC Exhibit 1015
`
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`
`

`

`［書類名］特許願　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 1/ 2
`
`【書類名】　　　　　　特許願
`
`【整理番号】　　　　　2926400241
`
`【提出日】　　　　　　平成11年 3月19日
`
`【あて先】　　　　　　特許庁長官　　殿
`
`【国際特許分類】　　　H01L 21/3205
`
`【発明者】
`
`　　【住所又は居所】　大阪府門真市大字門真１００６番地　　松下電器産業株
`
`　　　　　　　　　　　式会社内
`
`　　【氏名】　　　　　青井　信雄
`
`【特許出願人】
`
`　　【識別番号】　　　000005821
`
`　　【氏名又は名称】　松下電器産業株式会社
`
`【代理人】
`
`　　【識別番号】　　　100077931
`
`　　【弁理士】
`
`　　【氏名又は名称】　前田　　弘
`
`【選任した代理人】
`
`　　　【識別番号】　　100094134
`
`　　　【弁理士】
`
`　　　【氏名又は名称】　小山　　廣毅
`
`【先の出願に基づく優先権主張】
`
`　　【出願番号】　　　平成10年特許願第 79371号
`
`　　【出願日】　　　　平成10年 3月26日
`
`【手数料の表示】
`
`　　【予納台帳番号】　014409
`
`　　【納付金額】　　　　　 21,000円
`
`【提出物件の目録】
`
`　　【物件名】　　　　明細書　 1
`
`　　【物件名】　　　　図面　 1
`
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`
`

`

`［書類名］特許願　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 2/ 2
`
`　　【物件名】　　　　要約書　 1
`
`　　【包括委任状番号】　9601026
`
`【プルーフの要否】　　要
`
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`
`Page 3 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%fi%]%W%
`[%HH]$u.3w
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 1/ 69
`~»11—o75519(11. 3.19)
`
`【書類名】　　　明細書
`I%fi%}
`|%fl%¢
`
`【発明の名称】　配線構造体の形成方法
`[%%®£%l Efififiwwfifififi
`
`【特許請求の範囲】
`[%%%fi®fi@}
`
`　【請求項１】　下層の金属配線の上に第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、
`lfififill TE®$EEfi®LK%1®%%fi%%fif5%1®IE&\
`
`　前記第１の絶縁膜の上に該第１の絶縁膜と組成が異なる第２の絶縁膜を形成す
`%E%1®%%fi®Ltfi%1®%%fi&mfiflfl&5%2®%%fi%%fif
`
`る第２の工程と、
`5%2®IEk\
`
`　前記第２の絶縁膜の上に該第２の絶縁膜と組成が異なる第３の絶縁膜を形成す
`%E%2@%%fi®Ltfi%2®%%fi&mfiflfl&5%3®%%fi%%fif
`
`る第３の工程と、
`5%3®IEk\
`
`　前記第３の絶縁膜の上に薄膜を形成する第４の工程と、
`WE%3®%%fi®LK%fi%%fif5%4®IEk\
`
`　前記薄膜の上に、配線形成用開口部を有する第１のレジストパターンを形成す
`WfififiwimxEfi%fifi%D%%Ef5%1®VVX%N5—V%%fif
`
`る第５の工程と、
`5%5®IEk\
`
`　前記薄膜に対して前記第１のレジストパターンをマスクとしてエッチングを行
`W$%fiKfiLTmE%1®vVx%N&—y%vx7&LTIy?yi%fi
`
`なって、前記薄膜からなり配線形成用開口部を有するマスクパターンを形成する
`€01‘WfififimafiDfifififififiD%%Efé7X7N5—V%%fifé
`
`第６の工程と、
`%6®IEk\
`
`　前記第３の絶縁膜の上に、コンタクトホール形成用開口部を有する第２のレジ
`%fi%3®fi%fi®:K\:y57%$—w%flfi%n%%E?5%2®vV
`
`ストパターンを形成する第７の工程と、
`2 k/*’5!—‘/7.a‘:9f3BJ‘w“E>’fi%"7 0>If§'r_k\
`
`　前記第３の絶縁膜、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンに対
`WE%3®%%fi\%1®VVXFN5—V&@%2®VVXFN5—VKfl
`
`するエッチングレートが高い一方、前記第２の絶縁膜に対するエッチングレート
`TéIy?VfV—Ffl%w—fi\%fi%2®%%fiKfif6Iy?VfV—%
`
`が低いエッチング条件で、前記第３の絶縁膜に対してドライエッチングを行なう
`flfiwIy?Vf%#T\%E%3®%%fiKfiLTF?%Iy?Vf%fi&5
`
`ことにより、前記第３の絶縁膜を該第３の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口
`:kKiD\%E%3®%%fi%fi%3®%%fiK:y57%$—w%fifi%n
`
`部が形成されるようにパターン化すると共に、前記第１のレジストパターン及び
`%fl%fiéhéi5KN5—Vkfé&%K\%fi%1®V§XEN5—V&@
`
`第２のレジストパターンを全面的に又は下部を残して除去する第８の工程と、
`%2 ODI/“/°7\ k/*’5!—‘/7a‘:éfiEI’~Jc:Xc:tT%f$%§§L'C%£fi“Z>’fi%"8 0>If§'r_k\
`
`　前記第２の絶縁膜に対するエッチングレートが高い一方、前記第１の絶縁膜及
`WE%2®%%fiKfif5Iy?yfv—%fl%w—fi\%E%1®%%fi&
`
`び第３の絶縁膜に対するエッチングレートが低いエッチング条件で、前記第２の
`fi%3®%%fiKfiféIy?VfV—FflfiVIy?Vf%#T\WE%2®
`
`絶縁膜に対してパターン化された前記第３の絶縁膜をマスクとしてドライエッチ
`fi%fiKfiLTN5—ymémk%E%3@%%%%vx7kLTPfixly?
`
`ングを行なうことにより、前記第２の絶縁膜を該第２の絶縁膜にコンタクトホー
`yf%fi&5:kKiD\%E%2®%%fi%fi%2®%%fiK:y57%$—
`
`ル形成用開口部が形成されるようにパターン化する第９の工程と、
`wfifififinflfififiéméi5mN5—ymfé%9®IEk\
`
`　前記第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜に対するエッチングレートが高い一方、前
`WE%1®%%fi&@%3®%%fiKfif5Iy?yfv—%fl%w—fi\W
`
`記マスクパターン及び第２の絶縁膜に対するエッチングレートが低いエッチング
`Evx7A5—y&@%2®%%@KfiféIy%Vfv—kflfiwlyfyf
`
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`
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`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%fi%]%W%
`[%HH]$u.3w
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 2/ 69
`~»11—o75519(11. 3.19)
`
`条件で、前記第３の絶縁膜に対して前記マスクパターンをマスクとしてドライエ
`%#T\%E%3®%%fiKfiLTWEVX7N5—V%7x7kLTFfifl
`
`ッチングを行なうと共に前記第１の絶縁膜に対してパターン化された前記第２の
`y?Vf%fi&5&#K%fi%1®%%fiKfiLTN7—Vmémt%E%2®
`
`絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、前記第３の絶縁膜
`%%fi%vx7&LTP?4Iy?yf%fi&5:&KiD\%E%3@%%fi
`
`に配線溝を形成すると共に前記第１の絶縁膜にコンタクトホールを形成する第１
`KEfi%%%fif6&%K%E%1®%%fiK:y97%$—w%%fif5%1
`
`０の工程と、
`omlfikx
`
`　前記配線溝及びコンタクトホールに金属膜を充填することにより、上層の金属
`Wfiflfififiwzyai%$—wm&Efi%£fifé:kKiD\Léwfifi
`
`配線及び前記下層の金属配線と前記上層の金属配線とを接続するコンタクトを形
`Efi&fi%ETE®&E%fi&%ELE®&EEfi&éfififézyfii%%%
`
`成する第１１の工程とを備えていることを特徴とする配線構造体の形成方法。
`fi?é%11mlfikéfizrwé:&%%&&féEfi%fi¢®%fifi&o
`
`　【請求項２】　前記第１０の工程と前記第１１の工程との間に、前記第３の絶
`[%fi%2) WE%10®IEk%E%11®I&&®%K\WE%3®%
`
`縁膜における前記配線溝に露出している部分及び前記第１の絶縁膜における前記
`fifimfifléflfiflfifimfimL1wé%fi&w%E%1mfififimfifiémfi
`
`コンタクトホールに露出している部分に金属膜からなる密着層を形成する工程を
`zyfii%$—wm%mLrwéfifimfififimafiéfififi%%fiféIE%
`
`さらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の配線構造体の形成方法。
`éEKfizTwé:&%%&&fé%fi%1KEfi®Efi%%¢®%fifiEo
`
`　【請求項３】　前記第３の絶縁膜は有機成分を主成分とすることを特徴とする
`lfififisl %E%3®%%fimfi%fi%%£fi%&f6:&%%&&f5
`
`請求項１に記載の配線構造体の形成方法。
`%fi%1KEfi®Efi%%¢®%fifi%o
`
`　【請求項４】　前記第３の工程は、パーフルオロデカリンを含む反応性ガスを
`[%fifi4}
`fiE%3®IEu\N~7wiu?flUV%€Ufim%fix%
`
`用いるＣＶＤ法により前記第３の絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする
`fiw5CVD&m;D%E%3m%%fi%%fif5I&%€U:&%%&&fé
`
`請求項３に記載の配線構造体の形成方法。
`%fi%3KEfi®Efi%%¢®%fifiEo
`
`　【請求項５】　前記第１の絶縁膜は有機成分を主成分とすることを特徴とする
`[%fi%5) %E%1®%%fimfi%fi%%£fi%&f6:&%%&&f5
`
`請求項３に記載の配線構造体の形成方法。
`%fi%3KEfi®Efi%%¢®%fifiEo
`
`　【請求項６】　前記第１０の工程と前記第１１の工程との間に、前記第３の絶
`[%fi%6) WE%10®IEk%E%11®I&&®%K\WE%3®%
`
`縁膜における前記配線溝に露出している部分及び前記第１の絶縁膜における前記
`fifimfifléflfiflfifimfimL1wé%fi&w%E%1mfififimfifiémfi
`
`コンタクトホールに露出している部分に、窒素を含有する反応性ガスを用いるプ
`:V57%$—wK%mL1w5%fiK\%$%€fi?5fim%fix%fiw67
`
`ラズマ処理によって密着層を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする
`§XvflflKioTfi%E%%fiféIE%éEKfiZTw5:k%%@&fé
`
`請求項５に記載の配線構造体の形成方法。
`%fi%5KEfi®Efi%%¢®%fifiEo
`
`　【請求項７】　前記第１の工程は、パーフルオロデカリンを含む反応性ガスを
`[%fifi7}
`fiE%1®IEu\N~7wiu?flUV%€Ufim%fix%
`
`用いるＣＶＤ法により前記第１の絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする
`fiw5CVD&m;D%E%1@%%fi%%fif5I&%€U:&%%&&fé
`
`請求項３に記載の配線構造体の形成方法。
`%fi%3KEfi®Efi%%¢®%fifiEo
`
`　【請求項８】　下層の金属配線の上に第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、
`lfififisl TE®$E%fi®:m%1®%%fi%%fif5%1®IE&\
`
`　前記第１の絶縁膜の上に該第１の絶縁膜と組成が異なる第２の絶縁膜を形成す
`%E%1®%%%®LKfi%1®%%fi&mflflfl&é%2@%%fi%%fif
`
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`
`Page 5 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%fi%]%W%
`[%HH]$u.3w
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 3/ 69
`~»11—o75519(11. 3.19)
`
`る第２の工程と、
`5%2®IEk\
`
`　前記第２の絶縁膜の上に該第２の絶縁膜と組成が異なる第３の絶縁膜を形成す
`WE%2®%%fi®:Kfi%2@%%fi&mfiflfl&é%3®%%fi%%fif
`
`る第３の工程と、
`5%3®IEk\
`
`　前記第３の絶縁膜の上に薄膜を形成する第４の工程と、
`WE%3®%%fi®LK%fi%%fif5%4®IEk\
`
`　前記薄膜の上に、配線形成用開口部を有する第１のレジストパターンを形成す
`WfififiwimxEfi%fifi%D%%fifé%1®VVXFN7—V%%fif
`
`る第５の工程と、
`5%5®IEk\
`
`　前記薄膜に対して前記第１のレジストパターンをマスクとしてエッチングを行
`W$%fiKfiLTmE%1®vVx%N&—y%vx7&LTIy?yi%fi
`
`なって、前記薄膜からなり配線形成用開口部を有するマスクパターンを形成する
`€01‘WfififimafiDfifififififiD%%Efé7X7N5—V%%fifé
`
`第６の工程と、
`%6®IEk\
`
`　前記第３の絶縁膜の上に、コンタクトホール形成用開口部を有する第２のレジ
`%fi%3®fi%fi®:K\:y57%$—w%flfi%n%%E?5%2®vV
`
`ストパターンを形成する第７の工程と、
`2 1*/\"5’—‘/%?T3BJW‘E>'5EI%"70>If§':k\
`
`　前記第３の絶縁膜に対するエッチングレートが高い一方、前記第２の絶縁膜、
`WE%3®%%fiKfif5Iy?yfv—%fl%w—fi\%E%2®%%fi\
`
`第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンに対するエッチングレート
`%1®vVxLN9—y&@%2@vvxLA5—ymfi¢éIy%y7v—L
`
`が低いエッチング条件で、前記第３の絶縁膜に対して前記第１のレジストパター
`flfiWIy?Vf%@T\WE%3®fi%%KfiLT%E%1®VVXEN7—
`
`ン及び第２のレジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行なうことに
`‘/&U“%20)I/“/°7< L/<5!—‘/%<7;<7 (E 1/C F‘?%I~yf“‘/7“%fi7:e5 : kc:
`
`より、前記第３の絶縁膜を該第３の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形
`iv‘%E%3®%%fi%fi%3®%%fiK:y57%$—w%fifi%D%fl%
`
`成されるようにパターン化する第８の工程と、
`fiéméi5KN5—Vmf5%8®IEk\
`
`　前記第２の絶縁膜に対するエッチングレートが高い一方、前記第１の絶縁膜、
`WE%2®%%fiKfif5Iy?yfv—%fl%w—fi\%E%1®%%fi\
`
`第３の絶縁膜、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンに対するエ
`%3®%%fi\%1@VVXFN5—V&@%2®VVXFN5—VKfi?él
`
`ッチングレートが低いエッチング条件で、前記第２の絶縁膜に対して前記第１の
`y?yfv—%flfiwIy?Vf%#T\WE%2®%%fiKfiLf%E%1®
`
`レジストパターン及び第２のレジストパターンをマスクとしてドライエッチング
`I/“/°7x L/%’5'—‘/&U“%20>I/\‘/“;< h2<5'—‘/7a‘:<7/“<7 (E I/C l~“?4’I~y?‘/7°
`
`を行なうことにより、前記第２の絶縁膜を該第２の絶縁膜にコンタクトホール形
`%fi&5:&Ki0\WE%2®fi%fi%$%2®fi%fiK:V57F$—w%
`
`成用開口部が形成されるようにパターン化する第９の工程と、
`fifi%n%fl%fiéméi5mN5—ymfé%9®IEk\
`
`　前記第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンを除去する第１０の
`WE%1®vVxkN5—V&w%2®vVx%N&—y%%£f5%1om
`
`工程と、
`Ifikx
`
`　前記第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜に対するエッチングレートが高い一方、前
`WE%1®%%fi&@%3®%%fiKfif5Iy?yfv—%fl%w—fi\W
`
`記マスクパターン及び第２の絶縁膜に対するエッチングレートが低いエッチング
`Evx7A5—y&@%2®%%@KfiféIy%Vfv—kflfiwlyfyf
`
`条件で、前記第３の絶縁膜に対して前記マスクパターンをマスクとしてドライエ
`%#T\%E%3®%%fiKflLTWEVX7N5—V%7x7kLTFfifl
`
`ッチングを行なうと共に前記第１の絶縁膜に対してパターン化された前記第２の
`y%yf%fi&5&#Kmfi%1®%%fimfiL1N5—ymémt%E%2®
`
`Page 6 of 134
`
`Page 6 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 4/ 69
`
`絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、前記第３の絶縁膜
`
`に配線溝を形成すると共に前記第１の絶縁膜にコンタクトホールを形成する第１
`
`１の工程と、
`
`　前記配線溝及びコンタクトホールに金属膜を充填することにより、上層の金属
`
`配線及び前記下層の金属配線と前記上層の金属配線とを接続するコンタクトを形
`
`成する第１２の工程とを備えていることを特徴とする配線構造体の形成方法。
`
`　【請求項９】　前記第３の絶縁膜は、シロキサン骨格を有する低誘電率ＳＯＧ
`
`膜であることを特徴とする請求項８に記載の配線構造体の形成方法。
`
`　【請求項１０】　下層の金属配線の上に第１の絶縁膜を形成する第１の工程と
`
`前記第１の絶縁膜の上に該第１の絶縁膜と組成が異なる第２の絶縁膜を形成す
`
`、 　
`
`る第２の工程と、
`
`　前記第２の絶縁膜の上に該第２の絶縁膜と組成が異なる第３の絶縁膜を形成す
`
`る第３の工程と、
`
`　前記第３の絶縁膜の上に該第３の絶縁膜と組成が異なる第４の絶縁膜を形成す
`
`る第４の工程と、
`
`　前記第４の絶縁膜の上に薄膜を形成する第５の工程と、
`
`　前記薄膜の上に、配線形成用開口部を有する第１のレジストパターンを形成す
`
`る第６の工程と、
`
`　前記薄膜に対して前記第１のレジストパターンをマスクとしてエッチングを行
`
`なって、前記薄膜からなり配線形成用開口部を有するマスクパターンを形成する
`
`第７の工程と、
`
`　前記第１のレジストパターンを除去した後、前記第４の絶縁膜及びマスクパタ
`
`ーンの上に、コンタクトホール形成用開口部を有する第２のレジストパターンを
`
`形成する第８の工程と、
`
`　前記第４の絶縁膜に対して前記第２のレジストパターン及びマスクパターンを
`
`マスクとしてドライエッチングを行なうことにより、前記第４の絶縁膜を該第４
`
`の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化する第
`
`９の工程と、
`
`Page 7 of 134
`
`Page 7 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%fi%]%W%
`[%HH]$u.3w
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 5/ 69
`~»11—o75519(11. 3.19)
`‘
`
`　前記第３の絶縁膜に対してパターン化された前記第４の絶縁膜をマスクとして
`%fi%3®%%fiKfiLTN5—ymémt%$%4m%%fi%vx7&LT
`
`ドライエッチングを行なうことにより、前記第３の絶縁膜を該第３の絶縁膜にコ
`P?%Iy?V7%fi&5:&KiD\Wfi%3®%%fi%$%3®fi%fiK:
`
`ンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化する第１０の工程と
`V57%$—w%fifi%n%fi%fiéméi5mN5—ymfé%1omlfik
`
`パターン化された前記第４の絶縁膜に対して前記マスクパターンをマスクとし
`N5—Vmémk%E%4®%%fiKflLTWEvx7N5—V%7x7kL
`
`、 　
`
`てドライエッチングを行なうと共に、前記第２の絶縁膜に対してパターン化され
`TF?%Iy?Vf%fi&5&%K\Wfi%2®%%fiKfiLTN5—Vméh
`
`た前記第３の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、パタ
`k%E%3®%%fi%vx7£LTP?%Iy?Vf%fi&5:&KiD\N5
`
`ーン化された前記第４の絶縁膜に配線溝を形成すると共に、前記第２の絶縁膜を
`—ymémt%E%4®%%fiKEfi%%%fif6&%K\%E%2®%%fi%
`
`該第２の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化
`fi%2m%%fiK:y&7%m—w%fi%%n%m%fiéméi5tN5—ym
`
`する第１１の工程と、
`fé%11®IEk\
`
`　パターン化された前記第３の絶縁膜に対して前記マスクパターンをマスクとし
`N5—Vmémk%E%3®%%fiKflLTWEvx7N5—V%7x7kL
`
`てドライエッチングを行なうと共に、前記第１の絶縁膜に対してパターン化され
`TF?%Iy?Vf%fi&5&%K\Wfi%1®%%fiKfiLTN5—Vméh
`
`た前記第２の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、パタ
`k%E%2®%%fi%vx7£LTP?%Iy?Vf%fi&5:&KiD\N5
`
`ーン化された前記第３の絶縁膜に配線溝を形成すると共に、前記第１の絶縁膜に
`—ymémt%E%3®%%fiKEfi%%%fif6&%K\%E%1®%%fiK
`
`コンタクトホールを形成する第１２の工程と、
`:y57%$—w%%fif5%12®IEk\
`
`　前記配線溝及びコンタクトホールに金属膜を充填することにより、上層の金属
`WE%fi%&@:y57%$—wK&Efi%£fifé:&KiD\LE®$E
`
`配線及び前記下層の金属配線と前記上層の金属配線とを接続するコンタクトを形
`%fi&@%ETE®&EEfi&%E:E®&EEfi&éfififézyaa%%%
`
`成する第１３の工程とを備えていることを特徴とする配線構造体の形成方法。
`fifé%13®IEk%fiZTwé:k%%&&fé%fi%fi¢®%fifi&o
`
`　【請求項１１】　前記第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜のうちの少なくとも１つ
`lfififilll %E%1m%%fi&@%3®%%fi®5B®y&<&%1o
`
`は、有機成分を主成分とすることを特徴とする請求項１０に記載の配線構造体の
`M‘fi%fi%%$fi%&f6:&%%&&fé%fi%1omfifimfifififiww
`
`形成方法。
`fifififio
`
`　【請求項１２】　前記第２のレジストパターンのコンタクトホール形成用開口
`[%fi%12) %E%2®vVx%N&—y®:y57%$—w%fifi%n
`
`部の寸法は、コンタクトホールの設計開口寸法に対して、前記上層の金属配線が
`%®¢&u\:y57%$—w®$%%n¢&KfiLf\%ELE®&E%fifl
`
`延びる方向に対して垂直な方向に拡大されていることを特徴とする請求項１０に
`Efiéfifitflbffififififimfifiéhfwé:&%%&&fé%fi%1OK
`
`記載の配線構造体の形成方法。
`Efimfifififiwwfiflfifio
`
`　【請求項１３】　下層の金属配線の上に第１の絶縁膜を形成する第１の工程と
`[%fi%13} TE®$E%fi®LK%1®%%fi%%fif5%1®Ifi&
`
`前記第１の絶縁膜の上に該第１の絶縁膜と組成が異なる第２の絶縁膜を形成す
`%E%1®%%fi®:Kfi%1@%%fi&mfiflfl&é%2®%%%%%fif
`
`、 　
`
`る第２の工程と、
`5%2®IEk\
`
`Page 8 of 134
`
`Page 8 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%§%]%fl%
`[%HH]¥M.3w
`
`6/ 69
`
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 6/ 69
`4????
`"11-O75519(11. 3.19)
`E:
`
`　前記第２の絶縁膜の上に該第２の絶縁膜と組成が異なる第３の絶縁膜を形成す
`%E%2®%%fi®LKfi%2@%%fi&mfiflE&é%8®%%fi%%fif
`
`る第３の工程と、
`5%3®IEk\
`
`　前記第３の絶縁膜の上に薄膜を形成する第４の工程と、
`WE%3®%%fi®LK%fi%%fif5%4®IEk\
`
`　前記薄膜の上に、配線形成用開口部を有する第１のレジストパターンを形成す
`fifififiwimxEfi%fifi%D%%Efé%1®VVX%N5—V%%fif
`
`る第５の工程と、
`5%5®IEk\
`
`　前記薄膜に対して前記第１のレジストパターンをマスクとしてエッチングを行
`W$%fiKfiLTmE%1®vVx%N&—y%vx7&LTIy?yi%fi
`
`なって、前記薄膜からなり配線形成用開口部を有するマスクパターンを形成する
`€01‘WfififimafiDfifififififiD%%Efé7X7N5—V%%fifé
`
`第６の工程と、
`%6®IEk\
`
`　前記第１のレジストパターンを除去した後、前記第３の絶縁膜及びマスクパタ
`%E%1®vVx%N9—V%%£Lt%\mE%3®%%fi&wvx7N5
`
`ーンの上に、コンタクトホール形成用開口部を有する第２のレジストパターンを
`—V®iK\ZV57F$—W%fiW%D%%fiT5%2®VVX%N5—V%
`
`形成する第７の工程と、
`%fifé%7®IEk\
`
`　前記第３の絶縁膜に対して前記第２のレジストパターン及びマスクパターンを
`mE%3®%%fiKfiLf%E%2®vVxLN5—y&@vx7A5—y&
`
`マスクとしてドライエッチングを行なうことにより、前記第３の絶縁膜を該第３
`7X7&LTP?%Iy?Vf%fi&5:&Ki0\%E%3®%%fi%$%3
`
`の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化する第
`®%%fiK:y77%$—w%fifi%D%fl%fiéh5i5tfl5—Vmf5%
`
`８の工程と、
`8®IEk\
`
`　前記第２の絶縁膜に対してパターン化された前記第３の絶縁膜をマスクとして
`%fi%2®%%fiKfiLTN5—Vmémk%E%3@%%fi%vX7kL1
`
`ドライエッチングを行なうことにより、前記第２の絶縁膜を該第２の絶縁膜にコ
`F?%Iy?V7%fi&5:&KiD\Wfi%2®%%fi%$%2®%%fiK:
`
`ンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化する第９の工程と、
`V77F$—w%fifi%D%fl%fiéhéi5Kfl5—VMfé%9®IEk\
`
`　パターン化された前記第３の絶縁膜に対して前記マスクパターンをマスクとし
`N5—Vmémk%E%3®%%fiKflLTWEvx7N5—V%7x7kL
`
`てドライエッチングを行なうと共に、前記第１の絶縁膜に対してパターン化され
`TF?%Iy?Vf%fi&5&#K\Wfi%1®%%fiKfiLTN5—Vméh
`
`た前記第２の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、パタ
`k%E%2®%%fi%vx7£LTP?%Iy?Vf%fi&5:&KiD\N5
`
`ーン化された前記第３の絶縁膜に配線溝を形成すると共に、前記第１の絶縁膜に
`—ymémt%E%3®%%fiKEfi%%%fif6&%K\%E%1®%%fiK
`
`コンタクトホールを形成する第１０の工程と、
`:y57%$—w%%fif5%10®IEk\
`
`　前記配線溝及びコンタクトホールに金属膜を充填することにより、上層の金属
`Wfiflfififiwzyfii%$—wm&Efi%£fifé:kKiD\:E®&E
`
`配線及び前記下層の金属配線と前記上層の金属配線とを接続するコンタクトを形
`%fi&@%ETE®&EEfi&%ELE®&EEfi&%%fif6:V57%%%
`
`成する第１１の工程とを備えていることを特徴とする配線構造体の形成方法。
`fifé%11®IEk%fiZTwé:k%%&&fé%fi%fi¢®%fifi&o
`
`　【請求項１４】　前記第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜のうちの少なくとも１つ
`[%fi%14) %E%1m%%fi&@%3®%%fi®5B®y&<&%1o
`
`は、有機成分を主成分とすることを特徴とする請求項１３に記載の配線構造体の
`M‘E%fi%%$fi%&f6:k%%&&f5%fi%1smfifimflfififiww
`
`形成方法。
`fifififio
`
`Page 9 of 134
`
`Page 9 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 7/ 69
`
`　【請求項１５】　前記第２のレジストパターンのコンタクトホール形成用開口
`
`部の寸法は、コンタクトホールの設計開口寸法に対して、前記上層の金属配線が
`
`延びる方向に対して垂直な方向に拡大されていることを特徴とする請求項１３に
`
`記載の配線構造体の形成方法。
`
`【発明の詳細な説明】
`
`　　【０００１】
`
`　【発明の属する技術分野】
`
`　本発明は半導体集積回路装置における配線構造体の形成方法に関する。
`
`　　【０００２】
`
`　【従来の技術】
`
`　半導体集積回路の高集積化の進展に伴い、金属配線同士の間の寄生容量である
`
`配線間容量の増加に起因する配線遅延時間の増大が半導体集積回路の高性能化の
`
`妨げとなっている。配線遅延時間は金属配線の抵抗と配線間容量との積に比例す
`
`るいわゆるＲＣ遅延と言われるものである。
`
`　　【０００３】
`
`　従って、配線遅延時間を低減するためには、金属配線の抵抗を小さくするか又
`
`は配線間容量を小さくすることが必要である。
`
`　　【０００４】
`
`　そこで、配線抵抗を小さくために、配線材料としてアルミ系合金に代えて銅を
`
`用いる半導体集積回路装置がＩＢＭ社やモトローラ社から報告されている。銅材
`
`料はアルミ系合金材料の３分の２程度の比抵抗を有しているため、配線材料とし
`
`て銅材料を用いると、アルミ系合金材料を用いる場合に比べて、単純に計算する
`
`と配線遅延時間が３分の２に減少するので、１．５倍の高速化を実現することが
`
`できる。
`
`　　【０００５】
`
`　しかしながら、半導体集積回路の高集積化がさらに進展すると、銅からなる金
`
`属配線を用いる場合でも、配線遅延時間の増大によって、高速化が限界に達する
`
`と懸念されている。また、配線材料としての銅は、金又は銀についで比抵抗が小
`
`さいので、銅からなる金属配線に代えて金又は銀からなる金属配線を用いても、
`
`Page 10 of 134
`
`Page 10 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 8/ 69
`
`配線抵抗の低減は かなものである。
`
`　　【０００６】
`
`　このため、半導体集積回路の高集積化のためには、配線抵抗の低減と共に配線
`
`間容量の低減が重要になっており、配線間容量の低減のためには、層間絶縁膜の
`
`比誘電率を小さくすることが必要である。従来、層間絶縁膜としては、シリコン
`
`酸化膜が用いられているが、シリコン酸化膜の比誘電率は４～４．５程度であっ
`
`て、より高集積化された半導体集積回路における層間絶縁膜には採用し難いとい
`
`う問題がある。
`
`　　【０００７】
`
`　そこで、比誘電率がシリコン酸化膜よりも小さい層間絶縁膜として、フッ素添
`
`加シリコン酸化膜、低誘電率ＳＯＧ膜及び有機高分子膜が提案されている。
`
`　　【０００８】
`
`　【発明が解決しようとする課題】
`
`　ところで、フッ素添加シリコン酸化膜の比誘電率は３．３～３．７であって、
`
`従来のシリコン酸化膜に比べて２割程度小さいが、フッ素添加シリコン酸化膜は
`
`、吸湿性が高いので大気中の水分を吸収しやすい。このため、フッ素添加シリコ
`
`ン酸化膜が水分を吸収して、比誘電率の高いＳｉＯＨが膜中に取り込まれるので
`
`、フッ素添加シリコン酸化膜の比誘電率が増加したり、熱処理工程においてＳｉ
`
`ＯＨが反応してＨ2 Ｏガスを放出したりするという問題、及びフッ素添加シリコ
`
`ン酸化膜中に遊離しているフッ素が熱処理工程において表面に偏析し、偏析した
`
`フッ素が密着層としてのＴｉＮ膜のＴｉ等と反応して剥がれやすいＴｉＦ膜を形
`
`成するという問題等があり、フッ素添加シリコン酸化膜は実用上の課題が多い。
`
`　　【０００９】
`
`　低誘電率ＳＯＧ膜としては、ＨＳＱ（Hydrogen　silsesquioxane：Ｓｉ原子と
`
`、Ｏ原子と、Ｏ原子の数の３分の２の数のＨ原子とからなる構造体）膜が検討さ
`
`れているが、ＨＳＱ膜は、従来のシリコン酸化膜に比べて、水分放出量が多いの
`
`で加工性が悪いという問題がある。ＨＳＱ膜は加工性が悪いためＨＳＱ膜に埋め
`
`込み配線を形成することは困難であるから、ＨＳＱ膜に金属配線を形成する場合
`
`には金属膜がパターン化されてなる金属配線を用いる必要がある。
`
`Page 11 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%fi%]%W%
`[%HH]$u.3w
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 9/ 69
`~»11—o75519(11. 3.19)
`
`　　【００１０】
`[00:10]
`
`　また、ＨＳＱ膜は金属配線との密着性が低いので、金属配線との密着性を確保
`Eh‘HSQfifi&EEfi&®%%%flfiw®T\$EEfi&®fi%%%%%
`
`するために金属配線との間に密着層としてのＣＶＤ酸化膜を形成する必要がある
`fétbm&E%fi&m%mfi%E&Lr®cVD@mfi%%fi#é%%flb5
`
`。ところが、金属配線の上にＣＶＤ酸化膜を形成すると、金属配線間に比誘電率
`0&:5fl\@E%fi®LKcVD%mfi%%fi#é&\Qfifififimmfififi
`
`の大きいＣＶＤ酸化膜が存在するため、実質的な配線間容量はＨＳＱ膜とＣＶＤ
`®fi%wCVD@kfifl@E?ékb\%EW&Efi%§%fiHSQfi&CVD
`
`酸化膜とから構成される直列容量になるので、ＨＳＱ膜を単体で用いた場合に比
`@kfi&#6%fiéhéEW§§K@é®f\HSQfi%$WTfiWt%éKm
`
`べて配線間容量が大きくなってしまうという問題がある。
`&T%fi%§%flfi%<&oTLi5&w5%Efl%5o
`
`　　【００１１】
`[oo1n
`
`　有機高分子膜は、低誘電率ＳＯＧ膜と同様、金属配線との密着性が低いので、
`fi%%fi¥fim\fi%%$soGfi&fi%\$E%fi&@fi%%flfiw@f\
`
`金属配線との間に密着層としてのＣＶＤ酸化膜を形成する必要がある。
`$E%fi&m%mfi%E&Lr®cVD@mfi%%fi%é%%mbéo
`
`　　【００１２】
`[oo1m
`
`　また、有機高分子膜に対するエッチングレートが酸素プラズマによりレジスト
`it‘E%%fi¥%KfiféIy?VfV—FflfiiffifvfiiDVVX%
`
`パターンをアッシングする際のアッシングレートとほぼ等しいため、レジストパ
`N7—V%7yVVff5%®7yVVfV—FkfififibwtbxV§X%N
`
`ターンをアッシングにより除去する際に有機高分子膜がダメージを受けるので、
`5'—‘/75:7~y“/‘/7“c:ot D%£fi“E>B%c:7{ET1%E'u’%T:fi¥H%7b§5”2<—V%§c7‘é0>’€\
`
`通常のレジストプロセスが使えないという問題がある。そこで、有機高分子膜の
`iE*¢?o>1/\‘/“;< %7°1:r«t:;<z2‘>‘1y-"E%Joeu\2:u\5Fnfifirbwpéo %:’C\ 7fi19’eEu‘*%éa\3fH%o>
`
`上にＣＶＤ酸化膜を形成した後、該ＣＶＤ酸化膜の上にレジスト膜を形成し、Ｃ
`LKCVD@mfi%%fiLt%\fiCVD@mfi®LKvVx%fi%%fiL\C
`
`ＶＤ酸化膜をエッチングストッパー（保護膜）としてレジスト膜をエッチング加
`VD%mfi%Iy?VfX%yN—(R%%)&LTvVx%fi%Iy?y7M
`
`工する方法が提案されている。
`:¢éfi&fl%%énrw5o
`
`　　【００１３】
`[oo1m
`
`　ところが、有機高分子膜の上にＣＶＤ酸化膜を形成する際、有機高分子膜の表
`&:5fl\E%%fi¥fi®LKCVD@mfi%%fi?5%\E%%%¥fi®%
`
`面が酸素を含む反応性ガスに曝されるため、有機高分子膜が酸素と反応して有機
`fifl@$%§UfiW%fixK%éhétb\%%%fi+fifl%$&RmLTE%
`
`高分子膜中にカルボニル基やケトン基等の極性基が導入されるので、有機高分子
`%%¥fi¢Kwwfi:w%%#%y%%®@%%fl§Aémé®@\E%%%¥
`
`膜の比誘電率が増加してしまうという問題がある。
`fi®m%%$fl%mLrLi5&w5%Eflbéo
`
`　　【００１４】
`[00:14]
`
`　また、有機高分子膜に銅の埋め込み配線を形成する場合、有機高分子膜は金属
`it‘fi%%fi¥fiKm®fiwfla%fi%%fi#5%%\fi%%%¥fim&E
`
`配線との密着性が低いため、有機高分子膜に形成された配線用凹部の周面に例え
`%fi&®fi%%flfiwtb\E%%fi¥fiK%fiéht%fifiM%®EfiKflz
`
`ばＴｉＮ等からなる密着層を形成する必要があるが、ＴｉＮ膜は抵抗が高いため
`cfT 1 N’5§=75>B7’£E>%TfT%E7ETF35?3"ZDJZ\§75§3?)ZDfi§\ T 1 NH%6;t1‘£Efi75‘=“u’é%‘b\7‘:b?>
`
`金属配線の有効断面積が減少してしまうので、銅からなる金属配線を用いて低抵
`Qfiflfiwfiflfifififlfiwbfbiémfx%mE&6@EEfi%fiwTfi%
`
`抗化を図ったメリットが損なわれてしまうという問題がある。
`?iH|:%o7‘:2< U y F75‘>‘1‘E7ZC:b7h'C Li 5 kl/\5F'nEJE75‘=‘&)Z>o
`
`Page 12 of 134
`
`Page 12 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%fi%]%W%
`[%HH]$u.3w
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 10/ 69
`~»11—o75519(11. 3.19)
`
`　　【００１５】
`[oo1M
`
`　前記に鑑み、本発明は、通常のレジストプロセスを採用して、比誘電率が低い
`WEK%#\$%%fi\@%®vVx%7utx%fifiLT\m%%$flfiw
`
`層間絶縁膜を形成できるようにすることを目的とする。
`E%%%fi%%fiT%6i5Kfé:k%E%&féo
`
`　　【００１６】
`[0016]
`
`　【課題を解決するための手段】
`[fiE%%%f6kb®$%}
`
`　本発明に係る第１の配線構造体の形成方法は、下層の金属配線の上に第１の絶
`$%%K%6%1®Efi%fi¢®%fifi&fl\TE®&EEfi®iK%1®%
`
`縁膜を形成する第１の工程と、第１の絶縁膜の上に該第１の絶縁膜と組成が異な
`%fi%%fi?5%1®IEk\%1m%%fi®Lmfi%1@%%fi&flmfl£&
`
`る第２の絶縁膜を形成する第２の工程と、第２の絶縁膜の上に該第２の絶縁膜と
`é%2®%%fi%%fiTé%2®IEk\%2®%%fi®LKfi%2®%%fi&
`
`組成が異なる第３の絶縁膜を形成する第３の工程と、第３の絶縁膜の上に薄膜を
`flfiflfl&é%3®%%fi%%fi?5%3®Ifi&\%3®%%fi®iK%fi%
`
`形成する第４の工程と、薄膜の上に、配線形成用開口部を有する第１のレジスト
`%fifé%4®IEk\fifiwimx%fi%fifi%D%%Ef5%1®vV2%
`
`パターンを形成する第５の工程と、薄膜に対して第１のレジストパターンをマス
`N5—y%%fi#5%5®I&&\%fimfiL1%1@v9xLA;—y&vx
`
`クとしてエッチングを行なって、薄膜からなり配線形成用開口部を有するマスク
`7&L1iy?yf%fi&o1\%fimE&D%fi%fifi%n%%fifévx7
`
`パターンを形成する第６の工程と、第３の絶縁膜の上に、コンタクトホール形成
`N5—V%%fi?é%6®IE£\%3®fi%%®iK\:V57F$—w%fi
`
`用開口部を有する第２のレジストパターンを形成する第７の工程と、第３の絶縁
`fHFa'¥J|3|1»:7‘[$%7§TZ>%20)I/“/°7x I~/*’5’—‘/75:fF3EJifi“E>’fi%"70>If5':<E\ %30>fi‘~@fi‘~%
`
`膜、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンに対するエッチングレ
`IE‘ %1 031/“/“7< F/*’5’—‘/£2U“%20>1/“/“7< F/*’5'—‘/&:§fl“E>I~y7“‘/7“I/
`
`ートが高い一方、第２の絶縁膜に対するエッチングレートが低いエッチング条件
`—Ffl%W—fi\%2®%%fiKfiféIy?VfV—%flfiWIy?Vf%@
`
`で、第３の絶縁膜に対してドライエッチングを行なうことにより、第３の絶縁膜
`T‘%3®%%fiKfiLTF?%Iy?V7%fi&5:&Ki0\%3®%%fi
`
`を該第３の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン
`%fi%3®%%fiK:y77%$—w%fifi%D%fl%fiéh5i5tfl5—y
`
`化すると共に、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンを全面的に
`mfé&#K\%1®vVx%N7—V&fi%2®VVX%N5—V%éfi%K
`
`又は下部を残して除去する第８の工程と、第２の絶縁膜に対するエッチングレー
`XfiT%%%LT%£f5%8®IE£\%2®%%fiKfl?éIy?VfV—
`
`トが高い一方、第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜に対するエッチングレートが低い
`Ffl%V—fi\%1®%%fi&@%3®%%fiKfiféIyfV7V—kflfiw
`
`エッチング条件で、第２の絶縁膜に対してパターン化された第３の絶縁膜をマス
`Iy%yi%#?\%2m%%fiKfiL1N5—ymémt%3m%%fi&vx
`
`クとしてドライエッチングを行なうことにより、第２の絶縁膜を該第２の絶縁膜
`7&LTP?%Iy?Vf%fi&5:£Ki@\%2®%%fi%§%2®%%fi
`
`にコンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化する第９の工程
`K:y77%$—w%fifi%D%fl%fiéh5i5tfl5—Vmfé%9®IE
`
`と、第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜に対するエッチングレートが高い一方、マス
`&\%1®%%fi&@%3®%%fiKfiféIy?yfv—%fl%w—fi\72
`
`クパターン及び第２の絶縁膜に対するエッチングレートが低いエッチング条件で
`7N5—V&@%2®%%fiKfiféIy?yfv—%flfiwIy%Vf%#T
`
`、第３の絶縁膜に対してマスクパターンをマスクとしてドライエッチングを行な
`\%3®fi%fiKfiLT7X7N5—V%VX7kLTF34ly?V7%fi@
`
`うと共に第１の絶縁膜に対してパターン化された第２の絶縁膜をマスクとしてド
`5&%K%1®%%fiKfiLTN5—Vméht%2®%%fi%vx7&LTP
`
`ライエッチングを行なうことにより、第３の絶縁膜に配線溝を形成すると共に第
`?4’I~‘/?‘/7“%fi7‘£ 5 : 2: 6:; 0 \ ‘£3 0)fi’=@fi‘~%fl%c:EEfi‘v§¥%%fF3EJ2?“E> 2:ibc:%
`
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`
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`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 11/ 69
`
`１の絶縁膜にコンタクトホールを形成する第１０の工程と、配線溝及びコンタク
`
`トホールに金属膜を充填することにより、上層の金属配線及び下層の金属配線と
`
`上層の金属配線とを接続するコンタクトを形成する第１１の工程とを備えている
`
`　【００１７】
`
`。 　
`
`　第１の配線構造体の形成方法によると、第８の工程において、第３の絶縁膜、
`
`第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンに対するエッチングレート
`
`が高い一方、第２の絶縁膜に対するエッチングレートが低いエッチング条件で、
`
`第３の絶縁膜に対してドライエッチングを行なって、第３の絶縁膜をパターン化
`
`すると共に、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンを除去するた
`
`め、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンを酸素プラズマを用い
`
`るアッシングにより除去する工程が不要になる。
`
`　　【００１８】
`
`　また、第２の絶縁膜の組成と第３の絶縁膜の組成とが異なるため、第１０の工
`
`程において、第３の絶縁膜に対してマスクパターンをマスクとしてドライエッチ
`
`ングを行なって配線溝を形成する際に、第２の絶縁膜をエッチングストッパーと
`
`して用いることができる。
`
`　　【００１９】
`
`　第１の配線構造体の形成方法は、第１０の工程と第１１の工程との間に、第３
`
`の絶縁膜における配線溝に露出している部分及び第１の絶縁膜におけるコンタク
`
`トホールに露出している部分に金属膜からなる密着層を形成する工程をさらに備
`
`えていることが好ましい。
`
`　　【００２０】
`
`　第１の配線構造体の形成方法において、第３の絶縁膜は有機成分を主成分とす
`
`ることが好ましい。
`
`　　【００２１】
`
`　この場合、第３の工程は、パーフルオロデカリンを含む反応性ガスを用いるＣ
`
`ＶＤ法により第３の絶縁膜を形成する工程を含むことが好ましい。
`
`　　【００２２】
`
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`
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`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%fi%]%W%
`[%HH]$u.3w
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 12/ 69
`~»11—o75519(11. 3.19)
`
`　また、この場合、第１の絶縁膜も有機成分を主成分とすることが好ましい。
`ik\:®%é\%1@%%fi%fi%fi%%$fi%&fé:kflfiiLwo
`
`　　【００２３】
`[o()23)
`
`　第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜が有機成分を主成分とする場合には、第１０の
`%1®%%fi&@%2®%%fiflE%fi%%$fi%&f5%éKm\%10®
`
`工程と第１１の工程との間に、第３の絶縁膜における配線溝に露出している部分
`Ifi&%11®Ifi&®fiK\%3®fi%fiKfiHé%fi%K%mLTwé%%
`
`及び第１の絶縁膜におけるコンタクトホールに露出している部分に、窒素を含有
`&fi%1®%%fiK£fi6:y57%$—wK%mLTwé%fiK\£$%§E
`
`する反応性ガスを用いるプラズマ処理によって密着層を形成する工程をさらに備
`féfimfifix%fiwé7?XvflflKioTfi%E%%fiféIE%éEmfi
`
`えていることが好ましい。
`iTw5:&flfiiLwo
`
`　　【００２４】
`[o()24)
`
`　第１の絶縁膜が有機成分を主成分とする場合には、第１の工程は、パーフルオ
`%1®%%fiflfi%fifi%£fifi&fé%éKm\%1®IEm\N—7w¢
`
`ロデカリンを含む反応性ガスを用いるＣＶＤ法により第１の絶縁膜を形成する工
`ufwuy%§Ufim%fix%fiw5CVD&m;D%1®%%fi%%fif6:
`
`程を含むことが好ましい。
`f%75:éT?B>:<E75‘=‘iI¥i L1/‘O
`
`　　【００２５】
`[o()25)
`
`　本発明に係る第２の配線構造体の形成方法は、下層の金属配線の上に第１の絶
`$%%K%6%2®Efi%fi¢®%fifi&fl\TE®&EEfi®iK%1®%
`
`縁膜を形成する第１の工程と、第１の絶縁膜の上に該第１の絶縁膜と組成が異な
`%fi%%fifé%1®IE£\%1®%%fi®LKfi%1®%%fi&flfiflE&
`
`る第２の絶縁膜を形成する第２の工程と、第２の絶縁膜の上に該第２の絶縁膜と
`é%2®%%%%%fifé%2®IEk\%2@%%fi®LKfi%2®%%fi&
`
`組成が異なる第３の絶縁膜を形成する第３の工程と、第３の絶縁膜の上に薄膜を
`flfifl£&é%3®%%fi%%fif5%3®I&&\%3®%%fi®LK%fi%
`
`形成する第４の工程と、薄膜の上に、配線形成用開口部を有する第１のレジスト
`%fif5%4®IEk\%fi®LK\%fi%fiW%D%%fif5%1®VVX%
`
`パターンを形成する第５の工程と、薄膜に対して第１のレジストパターンをマス
`/*’5’—‘/%:if3)3J2?“E>%50>If§':<E\
`‘7$H%&:i~JrL'C%1 03‘/“/“X E/*’5’—‘/%:<7><
`
`クとしてエッチングを行なって、薄膜からなり配線形成用開口部を有するマスク
`7&L1iy?yf%fi&o1\%fimE&D%fi%fifi%n%%fifévx7
`
`パターンを形成する第６の工程と、第３の絶縁膜の上に、コンタクトホール形成
`N5—V%%fi?é%6®IEk\%3®%%fi®LK\=V57F$—W%fi
`
`用開口部を有する第２のレジストパターンを形成する第７の工程と、第３の絶縁
`fi%n%%Efé%2®vVx%N&—y%%fif5%7®IEk\%3®%%
`
`膜に対するエッチングレートが高い一方、第２の絶縁膜、第１のレジストパター
`fl%¢:§fl“é:J1~y?‘/7“I/—%75‘>“u’:%1z‘—jf\ %20>fi‘~@fi‘5kfl%\ $103‘/“/°7< F/*5’-
`
`ン及び第２のレジストパターンに対するエッチングレートが低いエッチング条件
`V&@%2®vVx%N&—ymfiféIy%Vfv—%flfiwIy%Vf%#
`
`で、第３の絶縁膜に対して第１のレジストパターン及び第２のレジストパターン
`T‘%3®%%fiKfiLT%1®VVxLN7—V&@%2®VVX}N5—V
`
`をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、第３の絶縁膜を該第３の
`%<7/<7 2: I/C I~“?4’—'J1~y?“‘/7“%fi7‘£ 5 : 2: Ki 0 \ %3 0>fi‘~@fi‘5kfl%%%%E3"3 03
`
`絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化する第８
`%%fiK:y97%$—w%fifi%n%fl%fiém5i5tN5—ymfé%8
`
`の工程と、第２の絶縁膜に対するエッチングレートが高い一方、第１の絶縁膜、
`mlfikx%2®%%fiKfif5Iy?yfv—%fl%w—fi\%1®%%fi\
`
`第３の絶縁膜、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンに対するエ
`%30>%‘~@fi‘~%H%\ %1 03‘/“/°7< F/*’5’—‘/&U“%20>1/“/°7< F/*’5'—‘/c:ifl“E>I
`
`ッチングレートが低いエッチング条件で、第２の絶縁膜に対して第１のレジスト
`y?VfV—%flfiWiy?V7%@T\%2®%%fiKfiLT%1®VVX%
`
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`
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`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%fi%]%W%
`[%HH]$u.3w
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 13/ 69
`~»11—o75519(11. 3.19)
`
`パターン及び第２のレジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行なう
`/N5—V&fi%2and%KhN&—y%vx7kLXN€%flry?yi%fi&5
`
`ことにより、第２の絶縁膜を該第２の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が
`:kKiD\%2®%%fi%fi%2®%%fiK:y57%$—w%fifi%D%fl
`
`形成されるようにパターン化する第９の工程と、第１のレジストパターン及び第
`fiéfiliéhéi 5 L:/<’5’—‘/1l:fi“Z>’fi%"90>If§k\ ‘£1 031/\‘/“7< E/<’5'—‘/&U“%
`
`２のレジストパターンを除去する第１０の工程と、第１の絶縁膜及び第３の絶縁
`2®vVx%N&—y%%£f5%10®IEk\%1®%%fi&@%3®%%
`
`膜に対するエッチングレートが高い一方、マスクパターン及び第２の絶縁膜に対
`fiKfiféIy?VfV—%fl%W—fi\VX7N7—V&@%2®%%fiKfi
`
`するエッチングレートが低いエッチング条件で、第３の絶縁膜に対してマスクパ
`?6Iy?VfV—Fflfiwiy?V7%#T\%3®%%fiKfiLTVX7N
`
`ターンをマスクとしてドライエッチングを行なうと共に第１の絶縁膜に対してパ
`5’—‘/%<7><7 2: I/C l~“?4’—'J‘—‘y?“‘/7“%fi7‘£ 5 2:iE&C’fi%" 1 0)%‘~@fi‘5kfl%¢:i~JIL'C/i’
`
`ターン化された第２の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことによ
`5—Vmémt%2®%%fi%vx7&LrP34Iy%y7%fi&5:&Ki
`
`り、第３の絶縁膜に配線溝を形成すると共に第１の絶縁膜にコンタクトホールを
`U‘%3®%%fiK%fi%%%W?6&%K%1®%%fiK:V57F$—W%
`
`形成する第１１の工程と、配線溝及びコンタクトホールに金属膜を充填すること
`%fiT6%11®IEk\Efi%&@:V77%$—WK@Efi%ffi?é:&
`
`により、上層の金属配線及び下層の金属配線と上層の金属配線とを接続するコン
`Rib‘LE®&EEfi&@TE®&EEfi&LE®&E%fik%%fifé:y
`
`タクトを形成する第１２の工程とを備えている。
`57%%%fi%é%12®IE&%fizTw5o
`
`　　【００２６】
`[0()26]
`
`　第２の配線構造体の形成方法によると、第１０の工程において、第１のレジス
`'5BI%"20>EEfi‘v?1%iEf2|§0>91‘3)flZ7i?£‘6:J:E>kx Efil 00>If§':&:i51z"C\
`'E’I%“10>V“/‘7
`
`トパターン及び第２のレジストパターンを除去する際に、第１の絶縁膜及び第３
`%N5—V&@%2®vV2%N5—V%%£fé%K\%1®%%fi&@%3
`
`の絶縁膜における第２の絶縁膜のコンタクトホール形成用開口部に露出している
`®%%fiK£Hé%2®%%fi®:y77%$—w%fifi%D%K%mLTw5
`
`部分にダメージ層が形成されても、第１１の工程において、第１の絶縁膜及び第
`%%K§%—VEfl%fiéhT%\%11®IEKEwf\%1®%%fi&@%
`
`３の絶縁膜に対するエッチングレートが高い一方、マスクパターン及び第２の絶
`3®%%fiKfiféIy?VfV—%fl%W—fi\VX7N5—V&@%2®fi
`
`縁膜に対するエッチングレートが低いエッチング条件で、第３の絶縁膜に対して
`%fiKfif6ly?VfV—FflfiwIy?V7%#T\%3®%%fiKfiLT
`
`マスクパターンをマスクとしてドライエッチングを行なうと共に第１の絶縁膜に
`<7/“<7/*’5’—‘/%<7><7 2: I/C l~“?4’—'J‘—‘y?“‘/7“%fi7‘£ 5 2:iE&C’fi%" 1 0)fi’=@fi‘~%fl%&:
`
`対してパターン化された第２の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なっ
`fiLTN5—Vmémt%2®%%fi%vx7&LTP5%Iy?yf%fi&o
`
`て、第３の絶縁膜に配線溝を形成すると共に第１の絶縁膜にコンタクトホールを
`T‘%3®%%fiKEfi%%%fifé&%K%1®%%fiK:y57%$—w%
`
`形成するため、第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜に形成されているダメージ層は確
`fififétbx%1®%%%&@%3®%%fiK%fiéhTwé§%—7Eu%
`
`実に除去される。
`%m%£ém5o
`
`　　【００２７】
`[0()27]
`
`　第２の配線構造体の形成方法において、第３の絶縁膜は、シロキサン骨格を有
`%2®Efi%fi¢®%fifi&mxw<\%3m%%fim\vu%%V%%%fi
`
`する低誘電率ＳＯＧ膜であることが好ましい。
`féfi%%$soGfiTbé:&flfiiLwo
`
`　　【００２８】
`[0()28]
`
`　本発明に係る第３の配線構造体の形成方法は、下層の金属配線の上に第１の絶
`$%%K%6%3®Efi%fi¢®%fifi&fl\TE®&EEfi®iK%1®%
`
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`
`Page 16 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%fi%]%W%
`[%HH]$u.3w
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 14/ 69
`~»11—o75519(11. 3.19)
`
`縁膜を形成する第１の工程と、第１の絶縁膜の上に該第１の絶縁膜と組成が異な
`?fi%kH%75:9f3BJZ?“Z>’fi%" 1 0311512: \ % 1 035‘~@fi‘~%H%0)J:€C§?Z% 1 0>fi’=@?fi%“xfl%<Efi’=flBJZ75§E!i'e7‘oC
`
`る第２の絶縁膜を形成する第２の工程と、第２の絶縁膜の上に該第２の絶縁膜と
`5%2®%%fi%%fi?5%2®IEk\%2®%%fi®iKfi%2®%%fi&
`
`組成が異なる第３の絶縁膜を形成する第３の工程と、第３の絶縁膜の上に該第３
`flfiflE&é%3®%%@%%fi?5%3®IE&\%3®%%fi®LKfi%3
`
`の絶縁膜と組成が異なる第４の絶縁膜を形成する第４の工程と、第４の絶縁膜の
`®%%fi&mmflfi&é%4®%%fi%%fi?é%4®IE&\%4®%%fi®
`
`上に薄膜を形成する第５の工程と、薄膜の上に、配線形成用開口部を有する第１
`iK%fi%%fiT5%5®IEk\%fi®LK\Efi%fifi%D%%Efé%1
`
`のレジストパターンを形成する第６の工程と、薄膜に対して第１のレジストパタ
`031/“/“X F/*’5'—‘/%:fF3BJZ?“E>%6 0>If§':2:\
`‘7$H%c:i~JrL’C%1 03‘/“/“X F/*5’
`
`ーンをマスクとしてエッチングを行なって、薄膜からなり配線形成用開口部を有
`—V%VX7£LTiy?V7%fi€oT\%fiWB@@%fi%WW%D%%E
`
`するマスクパターンを形成する第７の工程と、第１のレジストパターンを除去し
`5‘/Z’3<’P<7/*’5’—‘/%?F35?5”E>%703I¥5':&\ %1 031/“/°7< E/*’5’—‘/7a‘:%£L
`
`た後、第４の絶縁膜及びマスクパターンの上に、コンタクトホール形成用開口部
`k%\%4®%%fi&@vx7N9—y®LK\:y57%$—w%fifi%D%
`
`を有する第２のレジストパターンを形成する第８の工程と、第４の絶縁膜に対し
`7E7fiTE>%20)I/“/°7< F/*’5’—‘/%fF2BJ2?“E>%80>If§':<E\ %40>%‘»@fi‘5kfl%&:i~JrL
`
`て第２のレジストパターン及びマスクパターンをマスクとしてドライエッチング
`T%2®VV1FN7—V&@7X7N5—V%7X7kLTF?%IyfVf
`
`を行なうことにより、第４の絶縁膜を該第４の絶縁膜にコンタクトホール形成用
`%fi&5:&KiD\%4®%%fi%fi%4®%%fiK:V57%$—w%fifi
`
`開口部が形成されるようにパターン化する第９の工程と、第３の絶縁膜に対して
`%D%fl%fiéh6i5Kfl5—Vmfé%9®IEk\%3®%%fiKfiLT
`
`パターン化された第４の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことに
`/*’5'—‘/1l:‘é7h7‘:’fi%"4 0>fi‘~@?fi%fl%7&<7><7 2: LT l<‘?4’I~y?‘/7“%fi7‘£ 5 : 2:1:
`
`より、第３の絶縁膜を該第３の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成さ
`iv‘%3®%%fi%fi%3®%%fiK:y57%$—w%fifi%D%fl%fié
`
`れるようにパターン化する第１０の工程と、パターン化された第４の絶縁膜に対
`méi5mN5—ymfé%10®IEk\N&—ymémk%4m%%fiKfi
`
`してマスクパターンをマスクとしてドライエッチングを行なうと共に、第２の絶
`I/C<7><7/*’5'—‘/%<7/“<7 2: LT l~“?4’I~y7“‘/7“%fi7ZC5 kiwi‘ 'fi%"20>fi‘~@
`
`縁膜に対してパターン化された第３の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを
`?fi%!1%&:§~”r1,'C/*’5’—‘/1l:‘c<7FL7‘:’5§|%"3 0>fi‘~@?fi%fl%7&<7><7 2: LT l<‘?4’I~y?‘/7°?
`
`行なうことにより、パターン化された第４の絶縁膜に配線溝を形成すると共に、
`fi&5:kKiD\N&—Vmémt%4®%%fiK%fi%%%flfé&#K\
`
`第２の絶縁膜を該第２の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるよ
`%2m%%fi%fi%2m%%fim:y571m—w%fi%%n%m%fiéméi
`
`うにパターン化する第１１の工程と、パターン化された第３の絶縁膜に対してマ
`51:/*’5'—‘/1l:fi“E>%1 1 0>If%<E\
`/*’5'—‘/1l:‘é7h7‘:’fi%"30>fi<@?fi%kfl%c:§9IL'C<7
`
`スクパターンをマスクとしてドライエッチングを行なうと共に、第１の絶縁膜に
`X7/*’5’—‘/%<7/“<7 2: LT l<‘?4’I~y?‘/7“%fi7ZC 5 kiwi‘ 531%" 1 0>fi’=@fi‘5kH%&:
`
`対してパターン化された第２の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なう
`fiLTN5—Vmémk%2®%%fi%7X7&LTP?%Iy?y7%fi&5
`
`ことにより、パターン化された第３の絶縁膜に配線溝を形成すると共に、第１の
`:&Ki0\N&—Vmént%3®%%fiKEfi%%%fifé&%K\%1®
`
`絶縁膜にコンタクトホールを形成する第１２の工程と、配線溝及びコンタクトホ
`fi%fiK:y77%$—w%%fifé%12®IEk\%fi%&@:y57%$
`
`ールに金属膜を充填することにより、上層の金属配線及び下層の金属配線と上層
`—WK&Efi%£fi?é:£KiD\iE®&EEfi&@TE®&EEfi&LE
`
`の金属配線とを接続するコンタクトを形成する第１３の工程とを備えている。
`0>&EEEfi’>?<<E75:1%%f=%?“é:r‘/5'7 F%fF3EJZ?“E>%1 30311512: %0%Z'C1/\Z>o
`
`　　【００２９】
`[o()29)
`
`　第３の配線構造体の形成方法によると、第８の工程において、第１のレジスト
`%8 0>EEfi‘y?<1%iEf2l§0>fF3BJZjf?£‘€:ckE> ck‘ %8 0>If5':&:i51z"C\
`72%" 1 031/“/°7\ 1
`
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`
`Page 17 of 134
`
`

`

`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`[%fi%]%W%
`[%HH]$u.3w
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 15/ 69
`~»11—o75519(11. 3.19)
`
`パターンを除去する際には、第３の絶縁膜の上には第４の絶縁膜が存在している
`N5—V%%£fé%Kfl\%3®%%fi®iKH%4®%%fifl@ELTwé
`
`ため、第１のレジストパターンを酸素プラズマにより除去しても、第３の絶縁膜
`Kb‘%1®VVXEN5~V%@$73f7KiD%£LT%\%3®%%fi
`
`がダメージを受けることがない。また、第１０の工程において、第３の絶縁膜に
`flVx—V%§Hé:kfi&woit\%10®IEmfiwf\%3®%%fiK
`
`対してドライエッチングを行なう際には、第１の絶縁膜の上には第２の絶縁膜が
`fiLTF?%Iy?Vf%fi&5%KH\%1®%%fi®iKm%2®%%fifl
`
`存在しているため、第１の絶縁膜がダメージを受けることがない。
`fifibrwétwx%1m%%fiflV%—v%§fié:&fl&wo
`
`　　【００３０】
`[o()3o)
`
`　第３の配線構造体の形成方法において、第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜のうち
`%3®Efi%fi¢®%fifi&Kfiw1\%1®%%fi&@%3®%%fi®5E
`
`の少なくとも１つは、有機成分を主成分とすることが好ましい。
`03/)‘7‘£< 2: TE; 1 09:1‘ E1§’eEBJZé:‘%$BJZéa‘<Efi“6 : 2: 75‘=‘iI¥$ 1,1/‘O
`
`　　【００３１】
`[0031]
`
`　第３の配線構造体の形成方法において、第２のレジストパターンのコンタクト
`%3®%fi%%¢®%fifiEK3w1\%2®vVx%N&—y®:y57%
`
`ホール形成用開口部の寸法は、コンタクトホールの設計開口寸法に対して、上層
`$—W%fiW%D%®¢&fl\:V57F$—w®$%%D¢&KfiLf\iE
`
`の金属配線が延びる方向に対して垂直な方向に拡大されていることが好ましい。
`wfififlfiflfifiéfifimfiLffififififimmfiéhfwé:kflfiibwo
`
`　　【００３２】
`[o()32)
`
`　本発明に係る第４の配線構造体の形成方法は、下層の金属配線の上に第１の絶
`$%%K%6%4®Efi%fi¢®%fifi&fl\TE®&EEfi®iK%1®%
`
`縁膜を形成する第１の工程と、第１の絶縁膜の上に該第１の絶縁膜と組成が異な
`fi‘~%fl%%if3BJi?“E>’fi%" 1 0>If§':<E \ % 1 0>fi'=@$%H%o>:c:%%% 1 0>fi’=@?fi%H%<Efi’=flBJZ75§E5'e7‘o€
`
`る第２の絶縁膜を形成する第２の工程と、第２の絶縁膜の上に該第２の絶縁膜と
`é%2®%%fi%%fiT5%2®IEk\%2®%%fi®LKfi%2®%%fi&
`
`組成が異なる第３の絶縁膜を形成する第３の工程と、第３の絶縁膜の上に薄膜を
`flfiflE&é%3®%%fi%%fi?é%3®Ifik\%3®%%fi®iK%fi%
`
`形成する第４の工程と、薄膜の上に、配線形成用開口部を有する第１のレジスト
`%fif5%4®IEk\%fi®LK\%fi%fiW%D%%fif5%1®VVX%
`
`パターンを形成する第５の工程と、薄膜に対して第１のレジストパターンをマス
`/*’5’—‘/%:fF2BJ2?“E>%5 0>If§':<E\
`‘7$H%&:i~JrL’C% 1 03‘/“/“7< F/*’5’—‘/%:<7><
`
`クとしてエッチングを行なって、薄膜からなり配線形成用開口部を有するマスク
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`パターンを形成する第６の工程と、第１のレジストパターンを除去した後、第３
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`
`の絶縁膜及びマスクパターンの上に、コンタクトホール形成用開口部を有する第
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`
`２のレジストパターンを形成する第７の工程と、第３の絶縁膜に対して第２のレ
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`
`ジストパターン及びマスクパターンをマスクとしてドライエッチングを行なうこ
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`とにより、第３の絶縁膜を該第３の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形
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`
`成されるようにパターン化する第８の工程と、第２の絶縁膜に対してパターン化
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`
`された第３の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、第２
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`
`の絶縁膜を該第２の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるように
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`
`パターン化する第９の工程と、パターン化された第３の絶縁膜に対してマスクパ
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`［書類名］明細書　　　　　　　　　　　　　［受付日］平11. 3.19
`［特許］平11-075519(11. 3.19) 頁: 16/ 69
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`ターンをマスクとしてドライエッチングを行なうと共に、第１の絶縁膜に対して
`
`パターン化された第２の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことに
`
`より、パターン化された第３の絶縁膜に配線溝を形成すると共に、第１の絶縁膜
`
`にコンタクトホールを形成する第１０の工程と、配線溝及びコンタクトホールに
`
`金属膜を充填することにより、上層の金属配線及び下層の金属配線と上層の金